一种光刻图形的优化方法及装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种光刻图形的优化方法及装置，该方法用于集成电路器件；具体包括：获取光刻图形的样本数据，样本数据包括所述目标图形区的第一尺寸信息以及所述至少两个材料层的材料信息；基于样本数据生成的第一光罩图形对光刻胶图层进行光刻，生成第一目标图形，第一目标图形的图形尺寸误差大于误差阈值；基于第一目标图形的图形尺寸误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形。本方案可以对图形尺寸误差超过阈值的第一光罩图形进行图形优化，获得图形尺寸误差更小的第二光罩图形，不仅提高了光刻的精度，避免出现光刻胶残留，且提高了后续的工艺窗口，提高产品的良品率。的良品率。的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻图形的优化方法及装置


[0001]本申请实施例涉及半导体
，特别涉及一种光刻图形的优化方法及装置。

技术介绍

[0002]光刻技术在集成电路(IC)制造中广泛使用，在光刻过程中，光刻机在对硅片(wafer)进行曝光时，根据实际需要的电路图形设计光罩图形，并在晶圆上涂抹光刻胶图层，进而通过曝光将光罩图形转移到晶圆上，形成对应的电路图形。
[0003]但在实际曝光过程中，由于集成电路器件表面会使用多种不用材质的材料层，且不同材料层在激光曝光下具有各自的反射率，因而会导致光刻后实际光刻胶的打开区域尺寸减小或增大，严重时会引起光刻胶残留或打开无效。
[0004]现如今主要通过增大间距的方式来避免光刻胶残留的问题，但如此会影响半导体的实际电性或工作性能。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种光刻图形的优化方法及装置。所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种光刻图形的优化方法，所述方法用于集成电路器件，所述集成电路的扩散层包括至少两个材料层，材料层上方设置有光刻胶图层，且所述光刻胶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻图形的优化方法，其特征在于，所述方法用于集成电路器件，所述集成电路的扩散层包括至少两个材料层，材料层上方设置有光刻胶图层，且所述光刻胶图层的曝光区用于光刻形成目标图形区；所述方法包括：获取光刻图形的样本数据，所述样本数据包括所述目标图形区的第一尺寸信息以及所述至少两个材料层的材料信息；基于所述样本数据生成的第一光罩图形对所述光刻胶图层进行光刻，生成第一目标图形，所述第一目标图形的图形尺寸误差大于误差阈值，其中，所述图形尺寸误差由材料层反射率差异产生；基于所述第一目标图形的所述图形尺寸误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形，所述第二光罩图形对应的图形尺寸误差小于所述误差阈值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标图形区覆盖所述至少两个材料层，所述第一尺寸信息包括所述目标图形区的第一图层宽度和第一图层长度，所述至少两个材料层包括第一材料层和第二材料层，且所述第一材料层和所述第二材料层对应不同的材料反射率。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述样本数据生成第一光罩图形，包括：根据所述目标图形区和所述至少两个材料层的位置信息、所述第一图层宽度和所述第一图层长度，设计所述第一光罩图形，其中所述第一光罩图形与所述目标图形区属于映射关系。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述样本数据生成第一光罩图形后，所述方法还包括：基于所述第一光罩图形对所述光刻胶图层进行光刻，生成所述第一目标图形，并分别获取位于所述第一材料层区域的第二图层宽度，以及位于所述第二材料层区域的第三图层宽度；分别根据所述第二图层宽度以及所述第三图层宽度计算所述第一材料层的第一图形尺寸误差和所述第二材料层的第二图形尺寸误差。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一目标图形的所述图形尺寸误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形，包括：将所述第一材料层区域对应的所述第一目标图形的所述第一图层宽度、所述第二图层宽度、所述第一材料层的材料信息和所述第一图形尺寸误差输入所述OPC校正模型，所述OPC校正模型基于历史样本数据构建得到；以所述第二图层宽度为模型输入，所述图形尺寸误差为监督，迭代训练所述OPC校正模型；将所述第二材料层区域对应的所述第一目标图形的所述第一图层宽度、所述第三图层宽度、所述第二材料层的材料信息和所述第二图形尺寸误差输入所述OPC校正模型；以所述第三图层宽度为模型输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华标，叶甜春，朱纪军，罗军，李彬鸿，赵杰，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：