一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置，包括底座、可旋转支柱、真空吸附机构，底座通过可旋转支柱与真空吸附机构连接；真空吸附机构包括吸附腔体和真空管道，吸附腔体包括外环和供扩膜晶圆的晶圆本体放置的内容置槽，外环上设有多个真空孔；真空管道的入口设于底座上，穿过可旋转支柱后与真空孔连接；当扩膜晶圆的晶圆本体放置在内容置槽时，扩膜晶圆的扩膜环置于外环上、并位于真空孔外围。本实用新型专利技术通过将扩膜后的晶圆本体固定，再转动吸附腔体，使割膜刀片沿着扩膜环边缘进行割膜，割膜更快捷方便，不易受伤，并且扩膜环还作为割膜刀片的割膜路线，使得割膜刀片沿预定路线进行割膜，不会损伤膜体其余部分。不会损伤膜体其余部分。不会损伤膜体其余部分。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置


[0001]本技术涉及半导体制备领域，尤其涉及一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置。

技术介绍

[0002]晶圆切割完成后，需对晶圆进行扩膜然后挑片。现目前手动对扩膜后的晶圆进行割膜主要是扩膜环将晶圆进行扩膜后，一只手拿着扩膜环，然后另一只手通过割膜刀片沿着扩膜环边缘旋转，进行割膜。操作过程中，不易操作，很容易造成人员划伤，也容易让刀片触碰到扩膜环内的膜体，使膜体损伤。
[0003]因此，针对上述问题，提供一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置，是本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置。
[0005]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0006]本技术的第一方面，提供一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置，包括底座、可旋转支柱、真空吸附机构，所述底座通过可旋转支柱与真空吸附机构连接；
[0007]所述真空吸附机构包括吸附腔体和真空管道，所述吸附腔体包括外环和供扩膜晶圆的晶圆本体放置的内容置槽，外环上设有多个真空孔；所述真空管道的入口设于底座上，穿过可旋转支柱后与所述真空孔连接；
[0008]当扩膜晶圆的晶圆本体放置在内容置槽时，扩膜晶圆的扩膜环置于外环上、并位于所述真空孔外围。
[0009]进一步地，所述辅助割膜装置还包括用于对沿所述扩膜环外边缘的扩膜晶圆的膜体割开的割膜刀片。
[0010]进一步地，所述真空孔为四个，以内容置槽中心呈90度均匀分布。
>[0011]进一步地，所述真空孔为三个，以内容置槽中心呈120度均匀分布。
[0012]进一步地，所述真空管道的入口外接真空产生装置。
[0013]进一步地，所述外环包括支座和设置于支座上的环壁，所述支座底部与可旋转支柱连接，所述环壁内形成所述内容置槽。
[0014]进一步地，所述真空管道在支座上分为多个，依次对应于多个真空孔。
[0015]进一步地，所述支座为圆柱体，所述环壁为圆环壁。
[0016]进一步地，所述可旋转支柱位于支座正中心底部。
[0017]进一步地，所述扩膜晶圆包括晶圆本体、扩膜环和膜体，所述膜体固定在扩膜环上，所述晶圆本体固定在扩膜环内的膜体上。
[0018]本技术的有益效果是：
[0019](1)在本技术一示例性实施例中，通过将扩膜后的晶圆本体固定，再转动吸附
腔体，使割膜刀片沿着扩膜环边缘进行割膜，割膜更快捷方便，不易受伤，并且扩膜环还作为割膜刀片的割膜路线，使得割膜刀片沿预定路线进行割膜，不会损伤膜体其余部分。
[0020](2)在本技术又一示例性实施例中，真空孔为四个，以内容置槽中心呈90度均匀分布；或者所述真空孔为三个，以内容置槽中心呈120度均匀分布。无论是采用哪种方式，都需要限定为多个且均匀分布，从而达到吸附力强且均匀的效果。
[0021](3)在本技术又一示例性实施例中，真空管道在支座上分为多个，依次对应于多个真空孔，采用该种方式可以方便设置，避免从真空管道的入口的开始设置多个真空管道需要对应设置多个真空产生装置不方便的问题。
[0022](4)在本技术又一示例性实施例中，支座为圆柱体，环壁为圆环壁，可旋转支柱位于支座正中心底部。其中，采用圆柱体的方式方便旋转和安装。
附图说明
[0023]图1为本技术一示例性实施例提供的辅助割膜装置的立体结构示意图；
[0024]图2为本技术一示例性实施例提供的辅助割膜装置的俯视结构示意图；
[0025]图3为本技术一示例性实施例提供的辅助割膜装置的俯视操作结构示意图；
[0026]图4为本技术一示例性实施例提供的辅助割膜装置的剖面结构示意图；
[0027]图中，1
‑
真空孔，2
‑
吸附腔体，201
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外环，20101
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支座，20102
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环壁，202
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内容置槽，3
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可旋转支柱，4
‑
真空管道的入口，5
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底座，6
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扩膜环，7
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晶圆本体，8
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膜体，9
‑
割膜刀片。
具体实施方式
[0028]下面结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0030]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0031]在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0032]应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离
本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。此外，属于“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0034]参见图1，图1示出了本技术的一示例性实施例提供的一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置的结构示意图，包括底座5、可旋转支柱3、真空吸附机构，所述底座5通过可旋转支柱3与真空吸附机构连接；
[0035]所述真空吸附机构包括吸附腔体2和真空管道，如图2所示，所述吸附腔体2包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置，其特征在于：包括底座、可旋转支柱、真空吸附机构，所述底座通过可旋转支柱与真空吸附机构连接；所述真空吸附机构包括吸附腔体和真空管道，所述吸附腔体包括外环和供扩膜晶圆的晶圆本体放置的内容置槽，外环上设有多个真空孔；所述真空管道的入口设于底座上，穿过可旋转支柱后与所述真空孔连接；当扩膜晶圆的晶圆本体放置在内容置槽时，扩膜晶圆的扩膜环置于外环上、并位于所述真空孔外围。2.根据权利要求1所述的一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置，其特征在于：所述辅助割膜装置还包括用于对沿所述扩膜环外边缘的扩膜晶圆的膜体割开的割膜刀片。3.根据权利要求1所述的一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置，其特征在于：所述真空孔为四个，以内容置槽中心呈90度均匀分布。4.根据权利要求1所述的一种晶圆扩膜后的辅助割膜装置，其特征在于：所述真空孔为三个，以内容置槽中心呈120度均匀分...

【专利技术属性】
技术研发人员：段小洪，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：