显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板中氧化物薄膜晶体管的氧化物层以及氧化物薄膜晶体管的第一源极(或第一漏极)之间设计有第二绝缘层，因此可以避免氧化物层与第一源极(或第一漏极)直接接触。由此，在制备得到第一源极和第一漏极的过程中，该第二绝缘层可以对氧化物层起到保护作用，能够避免氧化物层被损伤，能够保证显示面板的良率。能够保证显示面板的良率。能够保证显示面板的良率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]显示面板包括衬底基板，以及位于衬底基板的一侧的多个子像素。每个子像素包括像素电路以及发光单元，像素电路用于驱动发光单元发光。
[0003]相关技术中，低温多晶氧化物(low temperature poly oxide，LTPO)显示面板中子像素的像素电路包括至少一个氧化物薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。低温多晶硅(low temperature poly silicon，LTPS)显示面板中子像素的像素电路包括的TFT均为LTPS TFT。由于氧化物TFT相比LTPS TFT而言，可以节省电量，降低显示装置的功耗，因此现有的显示面板通常设计为LTPO显示面板。
[0004]但是，制备LTPO显示面板的过程中，容易导致氧化物薄膜晶体管的氧化物层损伤，LTPO显示面板的良率较低。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以解决相关技术中显示面板的良率较低的问题。所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
[0007]衬底基板；
[0008]以及，位于所述衬底基板的一侧的氧化物薄膜晶体管，第一绝缘层和第二绝缘层，所述氧化物薄膜晶体管包括：第一栅极，氧化物层，第一源极和第一漏极；
[0009]其中，所述第一栅极位于所述衬底基板的一侧，所述第一绝缘层位于所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧，所述氧化物层位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第二绝缘层位于所述氧化物层远离所述衬底基板的一侧，所述第一源极和所述第一漏极间隔设置，且均位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第一源极通过所述第二绝缘层中的第一过孔与所述氧化物层连接，所述第一漏极通过所述第二绝缘层中的第二过孔与所述氧化物层连接。
[0010]可选的，所述氧化物层的材料为铟镓锌氧化物。
[0011]可选的，所述显示面板还包括：位于所述衬底基板的一侧的低温多晶硅薄膜晶体管，第三绝缘层以及第四绝缘层；所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：有源层，第二栅极，第二源极和第二漏极；
[0012]所述有源层，所述第三绝缘层，所述第二栅极以及所述第四绝缘层沿远离所述衬底基板的方向依次层叠，所述第二源极和所述第二漏极间隔设置，且均与所述有源层连接。
[0013]可选的，所述第一栅极位于所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第二源极，所述第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极位于同层；
[0014]所述第一绝缘层，所述第二绝缘层，所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层中具有
第三过孔和第四过孔，所述第二源极通过所述第三过孔与所述有源层连接，所述第二漏极通过所述第四过孔与所述有源层连接。
[0015]可选的，所述显示面板还包括：沿远离所述第一源极的方向依次层叠的第五绝缘层，连接层，第六绝缘层，阳极层以及像素界定层；
[0016]所述连接层通过所述第五绝缘层中的第五过孔与所述第二漏极连接，所述阳极层通过所述第六绝缘层中的第六过孔与所述连接层连接，所述像素界定层具有镂空区域，所述镂空区域用于露出所述阳极层。
[0017]可选的，所述第一绝缘层，所述第二绝缘层，所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层的材料均为无机材料；
[0018]所述第五绝缘层和所述第六绝缘层的材料均为有机材料。
[0019]可选的，所述显示面板还包括：存储电容，所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板；
[0020]其中，所述第一电容极板与所述第二栅极位于同层，所述第二电容极板与所述第一栅极位于同层。
[0021]另一方面，提供了一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
[0022]提供一衬底基板；
[0023]在所述衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极；
[0024]在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；
[0025]在所述第一绝缘层所述衬底基板的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管的氧化物层；
[0026]在所述氧化物层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层中具有第一过孔和第二过孔；
[0027]以及，在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管的第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极间隔设置，所述第一源极通过所述第一过孔与所述氧化物层连接，所述第一漏极通过所述第二过孔与所述氧化物层连接。
[0028]可选的，在所述衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极之前，所述方法还包括：
[0029]在所述衬底基板的一侧形成低温多晶硅薄膜晶体管的有源层；
[0030]在所述有源层远离所述衬底基板的一侧形成第三绝缘层；
[0031]在所述第三绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的第二栅极；
[0032]在所述第二栅极远离所述衬底基板的一侧形成第四绝缘层；
[0033]在所述衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极之后，所述方法还包括：
[0034]在所述衬底基板的一侧形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极间隔设置，且均与所述有源层连接。
[0035]可选的，在所述衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极，包括：
[0036]在所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管的第一栅极；
[0037]形成所述第一源极，所述第一漏极，所述第二源极和所述第二漏极，包括：
[0038]在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成所述第一源极，所述第一漏极，所述第二源极和所述第二漏极。
[0039]可选的，形成第一绝缘层，所述第二绝缘层，所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层，包括：
[0040]在所述有源层远离所述衬底基板的一侧形成第三绝缘膜层；
[0041]在所述第二栅极远离所述衬底基板的一侧形成第四绝缘膜层；
[0042]在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘膜层；
[0043]在所述氧化物层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘膜层；
[0044]对所述第一绝缘膜层，所述第二绝缘膜层，所述第三绝缘膜层，以及所述第四绝缘膜层进行第一次图案化处理，得到所述第一中间绝缘层，所述第二中间绝缘层，所述第三中间绝缘层以及所述第四中间绝缘层；
[0045]对所述第一中间绝缘层，所述第二中间绝缘层，所述第三中间绝缘层以及所述第四中间绝缘层进行第二次图案化处理，得到所述第一绝缘层，所述第二绝缘层，所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层；
[0046]其中，所述第一中间绝缘层，所述第二中间绝缘层，所述第三中间绝缘层以及所述第四中间绝缘层具有第三过孔和第四过孔，所述第一源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板(10)包括：衬底基板(101)；以及，位于所述衬底基板(101)的一侧的氧化物薄膜晶体管(102)，第一绝缘层(103)和第二绝缘层(104)，所述氧化物薄膜晶体管(102)包括：第一栅极(1021)，氧化物层(1022)，第一源极(1023)和第一漏极(1024)；其中，所述第一栅极(1021)位于所述衬底基板(101)的一侧，所述第一绝缘层(103)位于所述第一栅极(1021)远离所述衬底基板(101)的一侧，所述氧化物层(1022)位于所述第一绝缘层(103)远离所述衬底基板(101)的一侧，所述第二绝缘层(104)位于所述氧化物层(1022)远离所述衬底基板(101)的一侧，所述第一源极(1023)和所述第一漏极(1024)间隔设置，且均位于所述第二绝缘层(104)远离所述衬底基板(101)的一侧，所述第一源极(1023)通过所述第二绝缘层(104)中的第一过孔与所述氧化物层(1022)连接，所述第一漏极(1024)通过所述第二绝缘层(104)中的第二过孔与所述氧化物层(1022)连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述氧化物层(1022)的材料为铟镓锌氧化物。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(10)还包括：位于所述衬底基板(101)的一侧的低温多晶硅薄膜晶体管(105)，第三绝缘层(106)以及第四绝缘层(107)；所述低温多晶硅薄膜晶体管(105)包括：有源层(1051)，第二栅极(1052)，第二源极(1053)和第二漏极(1054)；所述有源层(1051)，所述第三绝缘层(106)，所述第二栅极(1052)以及所述第四绝缘层(107)沿远离所述衬底基板(101)的方向依次层叠，所述第二源极(1053)和所述第二漏极(1054)间隔设置，且均与所述有源层(1051)连接。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极(1021)位于所述第四绝缘层(107)远离所述衬底基板(101)的一侧，所述第二源极(1053)，所述第二漏极(1054)，所述第一源极(1023)和所述第一漏极(1024)位于同层；所述第一绝缘层(103)，所述第二绝缘层(104)，所述第三绝缘层(106)以及所述第四绝缘层(107)中具有第三过孔和第四过孔，所述第二源极(1053)通过所述第三过孔与所述有源层(1051)连接，所述第二漏极(1054)通过所述第四过孔与所述有源层(1051)连接。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(10)还包括：沿远离所述第一源极(1023)的方向依次层叠的第五绝缘层(108)，连接层(109)，第六绝缘层(110)，阳极层(111)以及像素界定层(112)；所述连接层(109)通过所述第五绝缘层(108)中的第五过孔与所述第二漏极(1054)连接，所述阳极层(111)通过所述第六绝缘层(110)中的第六过孔与所述连接层(109)连接，所述像素界定层(112)具有镂空区域，所述镂空区域用于露出所述阳极层(111)。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层(103)，所述第二绝缘层(104)，所述第三绝缘层(106)以及所述第四绝缘层(107)的材料均为无机材料；所述第五绝缘层(108)和所述第六绝缘层(110)的材料均为有机材料。7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(10)还包括：存储电容(115)，所述存储电容(115)包括第一电容极板(1151)和第二电容极板(1152)；其中，所述第一电容极板(1151)与所述第二栅极(1052)位于同层，所述第二电容极板
(1152)与所述第一栅极(1021)位于同层。8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板(101)；在所述衬底基板(101)的一侧形成氧化物薄膜晶体管(102)的第一栅极(1021)；在所述第一栅极(1021)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第一绝缘层(103)；在所述第一绝缘层(103)所述衬底基板(101)的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管(102)的氧化物层(1022)；在所述氧化物层(1022)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第二绝缘层(104)，所述第二绝缘层(104)中具有第一过孔和第二过孔；以及，在所述第二绝缘层(104)远离所述衬底基板(101)的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管(102)的第一源极(1023)和第一漏极(1024)，所述第一源极(1023)和所述第一漏极(1024)间隔设置，所述第一源极(1023)通过所述第一过孔与所述氧化物层(1022)连接，所述第一漏极(1024)通过所述第二过孔与所述氧化物层(1022)连接。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板(101)的一侧形成氧化物薄膜晶体管(102)的第一栅极(1021)之前，所述方法还包括：在所述衬底基板(101)的一侧形成低温多晶硅薄膜晶体管(105)的有源层(1051)；在所述有源层(1051)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第三绝缘层(106)；在所述第三绝缘层(106)远离所述衬底基板(101)的一侧形成所述低温多晶硅薄膜晶体管(105)的第二栅极(1052)；在所述第二栅极(1052)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第四绝缘层(10...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱亚威，曹鑫，杨帆，王子峰，樊浩原，李仁佑，
申请(专利权)人：绵阳京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：