一种双频段NB电路及电路模组制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双频段NB电路及电路模组；通过改进电路，采用26MHZ晶振倍频产生824M~960Mhz的频率，同时利用多个π型匹配电路调节失配的匹配，保证所设计电路的相位和频率都匹配发射需求，集成双发射电路来同时满足高频率和低频率的信号发射需求，增加电路集成度，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种双频段NB电路及电路模组


[0001]本专利技术涉及通信领域，特别涉及一种双频段NB电路及电路模组。

技术介绍

[0002]NB
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IoT全称NarrowBand
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InternetofThing，是基于蜂窝网络的窄带物联网技术，具有广覆盖、低功耗、低成本、大连接等特点。近年来随着技术的不断创新应用，当前的物联网应用理念实现普及，在“智慧城市”建设中，物联网已经在环境、交通、市政、家居等领域广泛应用。在工业领域物联网也逐渐开始普及，如物联网仪表、物联网数据采集系统等。基于NB
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IoT网络的无线通信，与其他无线通信产品类似，在无数据发送时，NB
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IoT电路处于空闲状态，消耗极小的电流；在进行数据发送时，与NB
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IoT电路中的功率放大模块瞬时消耗极大的电流。对于电路，其特点在于通过限制电路能量来达到安全目的，与NB
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IoT电路数据发送时要求提供瞬间大电流相互冲突。即电路的限能作用会导致NB
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IoT无线通信失败，同时，瞬间的脉冲电流还会引起电路电压跌落，当电压跌落超过电路最小工作电压时，还会引起电路复位甚至死机。目前NB
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Iot电路主要是全球通频段电路及模组，或者国内的全国通频段电路及模组。NB模组主要应用于物联网通讯模组，对成本的要求非常严格，以上现有的NB技术方案均可以实现物联网通讯模组的要求，但是电路成本偏高。
[0003]例如，一种在中国专利文献上公开的“一种NB
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IoT无线通信电路”，其公告号CN213279649U，包括电源变换电路，电源变换电路的输入端与前级电源输出端连接，电源变换电路的输出端连接至限能电路输入端，限能电路输出端连接至NB
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IoT电路的电源端；NB
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IoT电路中NB
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IoT芯片的UART接口和WKUP引脚与MCU电路中MCU芯片的GPIO连接；NB
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IoT电路的电源端放置电容储能电路，电源变换电路输出电压等于NB
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IoT电路最高工作电压。所述电容储能电路由2个220uF电容并联而成，放置在NB
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IoT电路中NB
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IoT芯片电源引脚1cm范围内，克服了电路限能和无线发射时瞬间高耗能间的矛盾，使得NB
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IoT无线通信技术得以在型防爆产品上应用。然而本产品属于一般的NB
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Iot电路，如支持中国移动和中国电信双通信模式，其成本价格依旧偏高，无法满足需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术主要针对现有NB
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Iot电路无法同时适应中国电信和中国移动双频段及模组、且生产成本较高的问题；提供了一种双频段NB电路及电路模组；通过改进电路，采用26MHZ晶振倍频产生824M~960Mhz的频率，同时利用多个π型匹配电路调节失配的匹配，保证所设计电路的相位和频率都匹配发射需求，集成双发射电路来同时满足高频率和低频率的信号发射需求，增加电路集成度，降低成本。
[0005]本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
[0006]一种双频段NB电路及电路模组，包括主芯片，第一晶振，低功率发射模块，高功率发射模块和信号接收模块，高频开关，π型匹配电路3和天线； 所述第一晶振与主芯片相连；所述主芯片连接低功率发射模块的输入端，所述主芯片连接高功率发射模块的输入端，所
述主芯片连接信号接收模块的输出端；所述低功率发射模块的输出端与高频开关相连，所述高功率发射模块的输出端与高频开关相连，所述信号接收模块的输入端与高频开关相连；高频开关与π型匹配电路3交互连接，所述π型匹配电路3与天线交互连接。
[0007]本专利技术采用双频段同时支持中国电信824Mhz~894Mhz，中国移动880Mhz~960Mhz频段的NB电路及电路模组，采用26MHZ晶振倍频产生824M~960Mhz的频率，同时利用多个π型匹配电路调节失配的匹配，保证所设计电路的相位和频率都匹配发射需求，集成双发射电路来同时满足高频率和低频率的信号发射需求，增加电路集成度，大幅度降低了NB模组的成本。
[0008]作为优选，所述高功率发射模块包括电容C71，电容C26，电容C27，电阻R14，功率放大器，电容C35，电感L4，电容C34，低通滤波器，电容C37，电感L6，电容C36；主芯片的RF_TX_LB2发射口和电容C71的第一端连接，电容C71的第二端接地；电容C71的第一端连接电容C26的第一端，电容C26的第二端连接电容C27的第一端，电容C27的第二端接地；电容C27的第二端连接电阻R14的第一端，电阻R14的第二端连接功率放大器的RF_IN端口；功率放大器RF_OUT端口连接电容C35的第一端，电容C35的第二端接地；电容C35的第一端连接电感L4的第一端，电感L4的第二端连接电容C34的第一端，电容C34接地；电感L4的第二端连接低通滤波器的第一端口，低通滤波器的第二端口连接电容C37的第一端，电容C37的第二端接地；电容C37的第一端连接电感L6的第一端，电感L6的第二端连接电容C36的第一端，电容C36的第二端接地；电容C36的第一端为高功率发射模块的输出端。输出大功率时，此时高功率信号通过主芯片的RF_TX_LB2端口，经过功率放大器的放大后，再再经过π型匹配电路1将阻抗匹配到功率放大器的效率和平均功率的中间，保证效率和性能最佳，再经过低通滤波器将高于960Mhz的干扰信号滤除掉，再经过π型匹配电路2，将经过低通滤波器后失配情况进行调制，保证阻抗控制在50Ω。
[0009]作为优选，所述功率放大器的VBAT输入端由主芯片VDDVIB控制输出，包括主芯片，电容C67，电容C241，电容C451，电容C301；主芯片VDDVIB端口连接电容C67的第一端，电容C67的第二端接地；电容C67的第一端连接电容C241的第一端，电容C241的第二端接地；电容C241的第一端连接电容C451的第一端，电容C451的第二端接地；电容的第一端连接电容的第一端，电容的第二端接地，电容的第一端连接功率放大器的VBAT端口。通过芯片的VDDVIB输出控制信号，连接功率放大器。
[0010]作为优选，功率放大器的VCC由主芯片的VDDWAP输出控制；包括主芯片，电感L3，电容C10，电容C11，电感L8，电容C30，电容C45，电容C24；电感L3的第一端连接主芯片的LX_WPA端口，电感L3的第二端连接电容C10的第一端，电容C10的第二端接地；电感L3的第二端连接电容C11的第一端，电容C11的第二端接地；电感L3的第二端连接主芯片的FB_WPA端口；电感L3的第二端连接电感L8的第一端，电感L8的第二端连接电容C30的第一端，电容C30的第二端接地；电容C30的第一端连接电容C45的第一端，电容C45的第二端接地；电容C45的第一端连接电容C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双频段NB电路及电路模组，其特征在于，包括主芯片，第一晶振，低功率发射模块，高功率发射模块和信号接收模块，高频开关，π型匹配电路3和天线；所述第一晶振与主芯片相连；所述主芯片连接低功率发射模块的输入端，所述主芯片连接高功率发射模块的输入端，所述主芯片连接信号接收模块的输出端；所述低功率发射模块的输出端与高频开关相连，所述高功率发射模块的输出端与高频开关相连，所述信号接收模块的输入端与高频开关相连；高频开关与π型匹配电路3交互连接，所述π型匹配电路3与天线交互连接。2.根据权利要求1所述的一种双频段NB电路及电路模组，其特征在于：所述高功率发射模块包括电容C71，电容C26，电容C27，电阻R14，功率放大器，电容C35，电感L4，电容C34，低通滤波器，电容C37，电感L6，电容C36；主芯片的RF_TX_LB2发射口和电容C71的第一端连接，电容C71的第二端接地；电容C71的第一端连接电容C26的第一端，电容C26的第二端连接电容C27的第一端，电容C27的第二端接地；电容C27的第二端连接电阻R14的第一端，电阻R14的第二端连接功率放大器的RF_IN端口；功率放大器RF_OUT端口连接电容C35的第一端，电容C35的第二端接地；电容C35的第一端连接电感L4的第一端，电感L4的第二端连接电容C34的第一端，电容C34接地；电感L4的第二端连接低通滤波器的第一端口，低通滤波器的第二端口连接电容C37的第一端，电容C37的第二端接地；电容C37的第一端连接电感L6的第一端，电感L6的第二端连接电容C36的第一端，电容C36的第二端接地；电容C36的第一端为高功率发射模块的输出端。3.根据权利要求2所述的一种双频段NB电路及电路模组，其特征在于：所述功率放大器的VBAT输入端由主芯片VDDVIB控制输出，包括主芯片，电容C67，电容C241，电容C451，电容C301；主芯片VDDVIB端口连接电容C67的第一端，电容C67的第二端接地；电容C67的第一端连接电容C241的第一端，电容C241的第二端接地；电容C241的第一端连接电容C451的第一端，电容C451的第二端接地；电容的第一端连接电容的第一端，电容的第二端接地，电容的第一端连接功率放大器的VBAT端口。4.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：于海波，孙香涛，宋连宇，
申请(专利权)人：浙江利尔达物联网技术有限公司，
类型：新型
国别省市：