一种射频收发装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种射频收发装置，包括依次电连接的接收支路、射频开关和发射支路；接收支路包括依次电连接的MEMS滤波器A、限幅器、放大器、MEMS滤波器B、放大功分多功能电路、检波器和下变频多功能电路；发射支路包括电连接的上变频多功能电路和MEMS滤波器C；放大功分多功能电路将放大器、功分器集成为单个封装芯片；下变频多功能电路将数控衰减器、放大器、滤波器、IQ混频器集成为单个封装芯片；上变频多功能电路将IQ混频器、滤波器、放大器、数控衰减器集成为单个封装芯片。本实用新型专利技术提供的一种射频收发装置，将多个散装芯片集成为单个封装芯片，提高产品集成度，简化装配工序，提高电路一致性和可靠性。路一致性和可靠性。路一致性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种射频收发装置


[0001]本技术涉及微波电路
，具体涉及一种射频收发装置。

技术介绍

[0002]陆海空天电一体化成为现代信息化系统的重要特点，其中电子系统的集成化和微小型化是最重要的发展主题。其中芯片化技术和先进封装技术是攻关先进电子装备小型化的核心技术。
[0003]射频收发装置包括接收支路、发射支路、射频开关三部分。传统的实现方式为：选用滤波器、限幅器、放大器、功分器、数控衰减器、混频器、开关等多种散装芯片，采用金丝键合方式进行电气连接。多个散装芯片的简单集成会导致装配工序复杂、任务量较大且容易使装配过程中出现不必要的失误，降低产品可靠性。

技术实现思路

[0004]本技术是为了克服上述现有技术中的问题，提供一种射频收发装置，将多个散装芯片集成为单个封装芯片，提高产品集成度，简化装配工序，提高电路一致性和可靠性。
[0005]本技术提供一种射频收发装置，包括依次电连接的接收支路、射频开关和发射支路；
[0006]接收支路包括依次电连接的MEMS滤波器A、限幅器、放大器、MEMS滤波器B、放大功分多功能电路、检波器和下变频多功能电路；下变频多功能电路与射频开关相连；
[0007]发射支路包括电连接的上变频多功能电路和MEMS滤波器C；上变频多功能电路与射频开关相连；
[0008]放大功分多功能电路将放大器、功分器集成为单个封装芯片；
[0009]下变频多功能电路将数控衰减器、放大器、滤波器、IQ混频器集成为单个封装芯片；
[0010]上变频多功能电路将IQ混频器、滤波器、放大器、数控衰减器集成为单个封装芯片。
[0011]本技术所述的一种射频收发装置，作为优选方式，接收支路、射频开关和发射支路采用硅基MEMS封装工艺集成在硅基板上。
[0012]本技术所述的一种射频收发装置，作为优选方式，装置包括自下而上垂直堆叠的地层、无源电路层、有源电路层和供电层。
[0013]本技术所述的一种射频收发装置，作为优选方式，地层、无源电路层、有源电路层和供电层通过贯穿硅通孔进行互连。
[0014]本技术所述的一种射频收发装置，作为优选方式，下变频多功能电路功率可调。
[0015]本技术所述的一种射频收发装置，作为优选方式，下变频多功能电路衰减设
置为0时，增益为12dB。
[0016]本技术所述的一种射频收发装置，作为优选方式，下变频多功能电路衰减的可调范围为31dB。
[0017]本技术所述的一种射频收发装置，作为优选方式，上变频多功能电路功率可调。
[0018]本技术所述的一种射频收发装置，作为优选方式，上变频多功能电路衰减设置为0时，增益为12dB。
[0019]本技术所述的一种射频收发装置，作为优选方式，上变频多功能电路衰减的可调范围为31dB。
[0020]本技术的有益效果在于：
[0021](1)使用定制多功能芯片，将多个散装芯片集成为单个封装芯片，减少了芯片的种类和互连线的数量，大大减轻了装配压力，提高了电路一致性及产品可靠性。
[0022](2)采用硅基MEMS封装工艺，将大量无源器件集成在硅基板上，提高了系统集成度。
[0023](3)采用硅通孔结构进行信号传输，将无源层和有源层在垂直方向进行堆叠，使不同分层的器件在最短路径上实现全局互连，实现高密度板级三维互连设计，大幅减小系统尺寸。
附图说明
[0024]图1为一种射频收发装置结构示意图；
[0025]图2为一种射频收发装置地层结构示意图；
[0026]图3为一种射频收发装置无源电路层结构示意图；
[0027]图4为一种射频收发装置有源电路层结构示意图；
[0028]图5为一种射频收发装置供电层结构示意图。
具体实施方式
[0029]实施例1
[0030]如图1所示，一种射频收发装置，包括依次电连接的接收支路、射频开关和发射支路；
[0031]接收支路包括依次电连接的MEMS滤波器A、限幅器、放大器、MEMS滤波器B、放大功分多功能电路、检波器和下变频多功能电路；下变频多功能电路与射频开关相连；
[0032]发射支路包括电连接的上变频多功能电路和MEMS滤波器C；上变频多功能电路与射频开关相连；
[0033]放大功分多功能电路将放大器、功分器集成为单个封装芯片；
[0034]下变频多功能电路将数控衰减器、放大器、滤波器、IQ混频器集成为单个封装芯片；下变频多功能电路功率可调，衰减设置为0时增益为12dB，衰减的可调范围为31dB；
[0035]上变频多功能电路将IQ混频器、滤波器、放大器、数控衰减器集成为单个封装芯片；上变频多功能电路功率可调，衰减设置为0时增益为12dB，衰减的可调范围为31dB。
[0036]接收支路、射频开关和发射支路采用硅基MEMS封装工艺集成在硅基板上，如图2～
5所示，装置包括自下而上垂直堆叠的地层、无源电路层、有源电路层和供电层，地层、无源电路层、有源电路层和供电层通过贯穿硅通孔进行互连；芯片级射频装置尺寸为：32mm
×
25mm
×
1mm。
[0037]本装置利用单刀双掷射频开关进行本振信号的链路选通，实现接收支路与发射支路的分时工作。
[0038]以上说明对本技术而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出的任何修改、变化或等效，都将落入本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频收发装置，其特征在于：包括依次电连接的接收支路、射频开关和发射支路；所述接收支路包括依次电连接的MEMS滤波器A、限幅器、放大器、MEMS滤波器B、放大功分多功能电路、检波器和下变频多功能电路；所述下变频多功能电路与所述射频开关相连；所述发射支路包括电连接的上变频多功能电路和MEMS滤波器C；所述上变频多功能电路与所述射频开关相连；所述放大功分多功能电路将放大器、功分器集成为单个封装芯片；所述下变频多功能电路将数控衰减器、放大器、滤波器、IQ混频器集成为单个封装芯片；所述上变频多功能电路将IQ混频器、滤波器、放大器、数控衰减器集成为单个封装芯片。2.根据权利要求1所述的一种射频收发装置，其特征在于：所述接收支路、所述射频开关和所述发射支路采用硅基MEMS封装工艺集成在硅基板上。3.根据权利要求2所述的一种射频收发装置，其特征在于：所述装置包括自下而上...

【专利技术属性】
技术研发人员：党伟，胡继军，张勇，董晖，
申请(专利权)人：北京遥测技术研究所，
类型：新型
国别省市：