本实用新型专利技术公开了一种MOCVD设备的尾气处理装置，包括密封的装置本体、尾气进口管及尾气出口管，装置本体的内腔被分隔成相对独立的缓冲腔和处理腔，装置本体的外部连接有向处理腔内注液的洗液加注控制系统，处理腔包括三个处理室，分别为依次设置的一级处理室、二级处理室及三级处理室，尾气出口管上安装有排气泵，一级处理室与二级处理室相对独立，二级处理室与三级处理室的底部连通，三个处理室内均设置有多层格栅，每个处理室内的多层格栅的孔径由下至上递减，尾气处理装置还包括连通管Ⅰ、连通管Ⅱ及连通管Ⅲ以及安装在装置本体内且能延伸出装置本体外的排液管。该结构简单，能够有效去除尾气中的有害气体，设备故障率低、安全系数高。安全系数高。安全系数高。
【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD设备的尾气处理装置
[0001]本技术涉及半导体
，具体涉及一种MOCVD设备的尾气处理装置。
技术介绍
[0002]金属有机物化学汽相沉积(Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition，简写 M0CVD)设备主要用于化合物半导体材料与器件(比如GaAs、InP、GaN、InAs、GaSb等材料)的生长。在进行GaAs、InP基材生长时，会使用到砷烷、磷烷等有害气体，该类气体要求零排放。常规的处理方法为采用吸附式尾气处理器，处理量小，使用周期短，故业界在大量使用砷烷、磷烷时会使用MOCVD设备的尾气处理装置进行尾气处理，该类装置核心点在于气液混合，常规的操作方法是直接采用多次喷淋洗液来去除该类有害气体，而由于喷淋气液接触面有限，故需要多级处理腔进行操作。其带来的隐患是：多次多级操作则会带来装置故障率以及堵塞概率的提升，增大了安全风险及使用成本。如何提供一种安全、有效、成本低的尾气处理装置是本领域技术人员致力于解决的事情。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种MOCVD设备的尾气处理装置。
[0004]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种MOCVD设备的尾气处理装置，包括密封的装置本体、尾气进口管及尾气出口管，所述装置本体的内腔被分隔成相对独立的缓冲腔和处理腔，所述装置本体的外部连接有向处理腔内注液的洗液加注控制系统，所述处理腔包括三个处理室，分别为依次设置的一级处理室、二级处理室及三级处理室，所述尾气进口管插设在缓冲腔内，所述尾气出口管的一端接入三级处理室内，尾气出口管上安装有排气泵，一级处理室与二级处理室相对独立，二级处理室与三级处理室的底部连通，三个处理室内均设置有多层格栅，每个处理室内的多层格栅的孔径由下至上递减，所述尾气处理装置还包括连通管Ⅰ、连通管Ⅱ及连通管Ⅲ，所述连通管Ⅰ用于将缓冲腔内的尾气导入到一级处理室的洗液中；连通管Ⅱ用于将经一级处理室处理后的尾气导入到二级处理室的洗液中；连通管Ⅲ用于将经二级处理室处理后的尾气导入到三级处理室的洗液中，所述尾气处理装置还包括安装在所述装置本体内且能延伸出装置本体外的排液管，所述缓冲腔、一级处理室、二级处理室及三级处理室的底部均设置有与排液管连通的排液阀。
[0005]作为一种具体的实施方式，所述一级处理室、二级处理室及三级处理室中的格栅均为蜂巢状格栅。
[0006]作为一种具体的实施方式，所述一级处理室内的格栅有四层，每层格栅的孔径均在5
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50mm间，每层格栅的厚度在1
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10mm间，上下相邻两层格栅间的间距在10
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500mm间，由下至上，四层格栅孔径的递减值范围在1
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50mm间。优选地，所述一级处理室内的格栅由下至上，第一层格栅的孔径为50mm，第二次格栅的孔径为40mm，第三层格栅的孔径为30mm，第四层格栅的孔径为20mm。
[0007]作为一种具体的实施方式，所述二级处理室和三级处理室内的格栅均有四层，每
层格栅的孔径均在1
‑
10mm间，每层格栅的厚度在1
‑
10mm间，上下相邻两层格栅间的间距在10
‑
500mm，由下至上，四层格栅孔径的递减值范围在1
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5mm。
[0008]作为一种具体的实施方式，所述缓冲腔、一级处理室、二级处理室及三级处理室的底部均呈V型槽结构。
[0009]作为一种具体的实施方式，所述一级处理室和三级处理室内安装有与洗液加注控制系统相连的加液管，所述一级处理室及三级处理室内还安装有用于监测洗液液位和pH的传感器，所述传感器与洗液加注控制系统通讯连接。
[0010]作为一种具体的实施方式，所述连通管Ⅰ、连通管Ⅱ及连通管Ⅲ上两端的管口中至少伸入洗液中的一端管口采用了喷淋状管口。
[0011]作为一种具体的实施方式，所述尾气处理装置还包括安装在装置本体外、向缓冲腔及处理腔内充氮气的氮气管。
[0012]作为一种具体的实施方式，所述排液管上还设置有逆止阀。
[0013]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：本技术的MOCVD设备的尾气处理装置，该尾气处理装置通过设置缓冲腔，能够防止尾气处理过程中，处理室内的尾气反灌至MOCVD设备中，同时可防止前端MOCVD设备气体管路出现故障导致洗液反流至尾气管路的情况发生，通过带有多层格栅的一级处理室，将尾气中的粉尘等颗粒物进行去除，同时进行第一次洗气，而通过二级处理室和三级处理室时，两个处理室内的洗液将经过多层格栅的尾气切割成更小单元的气泡，以提高尾气与洗液的接触面积以完全去除尾气中的有害气体，处理后的废液经排液管排出，整套尾气处理装置减少了处理腔的级数，从而降低了设备的故障率，而排气泵位于尾气出口管上可确保整个处理腔整体处于负压状态，避免设备因密封问题导致气体泄漏的情况发生，而增加氮气管道，可实现在线对格栅和连通管的清洗，大幅度减少了堵塞风险及拆卸次数，提高了整个装置的安全系数。
附图说明
[0014]附图1为本技术所述的MOCVD设备的尾气处理装置的结构示意图；
[0015]其中：100、装置本体；1、尾气进口管；2、尾气出口管；3、排气泵；4、缓冲腔；5、一级处理室；6、二级处理室；7、三级处理室；8、格栅；9、连通管Ⅰ；10、连通管Ⅱ；11、连通管Ⅲ；12、洗液加注控制系统；13、排液管；14、加液管；15、氮气管；16、尾气进口阀；17、尾气出口阀；18
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19、氮气阀；20
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23、排液阀；24、逆止阀；25、传感器。
具体实施方式
[0016]下面结合附图及具体实施例来对本技术的技术方案作进一步的阐述。
[0017]一种MOCVD设备的尾气处理装置，参见图1所示，包括密封的装置本体100、尾气进口管1及尾气出口管2，该装置本体100的内腔被分隔成相对独立的缓冲腔4和处理腔，装置本体100的外部连接有向处理腔内注液的洗液加注控制系统12，处理腔包括三个处理室，分别为依次设置的一级处理室5、二级处理室6及三级处理室7，尾气进口管1插设在缓冲腔4内，用于向装置本体100通入尾气，尾气出口管2的一端插设在三级处理室7内，且尾气出口管2上安装有排气泵3，通过排气泵3抽气，从而使整个装置本体100处于负压状态，从而避免了整个装置因密封问题而导致气体泄漏的情况发生。
[0018]这里，一级处理室5与二级处理室6相对独立，二级处理室6与三级处理室7的底部连通，三个处理室内均设置有多层格栅8，每个处理室内的多层格栅8的孔径由下至上递减，尾气处理装置还包括连通管Ⅰ9、连通管Ⅱ10及连通管Ⅲ11，连通管Ⅰ9用于将缓冲腔4内的尾气导入到一级处理室5的洗液中；连通管Ⅱ10用于将经一级处理室5处理后的尾气导入到二级处理室6的洗液中；连通管Ⅲ1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOCVD设备的尾气处理装置，其特征在于，包括密封的装置本体、尾气进口管及尾气出口管，所述装置本体的内腔被分隔成相对独立的缓冲腔和处理腔，所述装置本体的外部连接有向处理腔内注液的洗液加注控制系统，所述处理腔包括三个处理室，分别为依次设置的一级处理室、二级处理室及三级处理室，所述尾气进口管插设在缓冲腔内，所述尾气出口管的一端接入三级处理室内，尾气出口管上安装有排气泵，一级处理室与二级处理室相对独立，二级处理室与三级处理室的底部连通，三个处理室内均设置有多层格栅，每个处理室内的多层格栅的孔径由下至上递减，所述尾气处理装置还包括连通管Ⅰ、连通管Ⅱ及连通管Ⅲ，所述连通管Ⅰ用于将缓冲腔内的尾气导入到一级处理室的洗液中；连通管Ⅱ用于将经一级处理室处理后的尾气导入到二级处理室的洗液中；连通管Ⅲ用于将经二级处理室处理后的尾气导入到三级处理室的洗液中，所述尾气处理装置还包括安装在所述装置本体内且能延伸出装置本体外的排液管，所述缓冲腔、一级处理室、二级处理室及三级处理室的底部均设置有与排液管连通的排液阀。2.根据权利要求1所述的MOCVD设备的尾气处理装置，其特征在于，所述一级处理室、二级处理室及三级处理室中的格栅均为蜂巢状格栅。3.根据权利要求2所述的MOCVD设备的尾气处理装置，其特征在于，所述一级处理室内的格栅有四层，每层格栅的孔径均在5
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50mm间，每层格栅的厚度在1
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10mm间，上下相邻两层格栅间的间距在1...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵迎春，熊敏，董旭，
申请(专利权)人：苏州镓港半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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