多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备制造方法及图纸

本发明专利技术属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备。本申请中的清洗方法包括以下步骤：排出多晶硅生产设备内的剩余气体，向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体，使刻蚀气体与附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜相反应，获取部分内壁面的反应温度，根据部分内壁面的反应温度不再变化，确定附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜完全清除，停止向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体。根据本申请中的多晶硅生产设备的清洗方法，能够有效的将附着在生产设备的内壁面的硅薄膜完全清除，保证多晶硅生产设备工作的可靠性。晶硅生产设备工作的可靠性。晶硅生产设备工作的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备


[0001]本专利技术属于多晶硅生产
，具体涉及一种多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备。

技术介绍

[0002]在多晶硅生产工艺过程中，会有部分多晶硅析出并附着在生产设备的管壁上形成硅薄膜，硅薄膜长期累积后容易造成管壁的堵塞，从而影响多晶硅的正常生产过程。因此需要定期对多晶硅的生产设备的内管壁进行清洗。
[0003]现有的清洗方法中包括向生产设备内通入刻蚀气体，通过刻蚀气体与硅薄膜相反应从而使硅薄膜脱落。由于生产设备内各位置的的硅薄膜的厚度和位置不一致，从而不能够通过一次刻蚀过程将附着在生产设备管壁的硅薄膜完全清除，还需进行二次刻蚀。在对硅薄膜的二次刻蚀过程通过监测时间确定刻蚀气体与硅薄膜的反应过程。由于各位置硅薄膜的厚度和位置不一致，在相同的时间内附着在管壁上的依然硅薄膜不能够全部进行脱落，从而影响对生产设备的清洗效果。

技术实现思路

[0004]本申请的第一方面提出了一种多晶硅生产设备的清洗方法，所述清洗方法包括以下步骤：<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅生产设备的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：排出所述多晶硅生产设备内的剩余气体；向所述多晶硅生产设备内通入刻蚀气体，使所述刻蚀气体与附着在所述多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜相反应；获取所述部分内壁面的反应温度；根据所述部分内壁面的反应温度不再变化，确定附着在所述多晶硅生产设备的所述部分内壁面的硅薄膜完全清除，停止向所述多晶硅生产设备内通入刻蚀气体。2.根据权利要求1所述的多晶硅生产设备的清洗方法，其特征在于，向所述多晶硅生产设备内通入氮气以排出所述多晶硅生产设备内的剩余气体。3.根据权利要求1所述的多晶硅生产设备的清洗方法，其特征在于，所述停止向所述多晶硅生产设备内通入刻蚀气体的步骤后，还包括以下步骤：向所述多晶硅生产设备内通入氮气以排出所述多晶硅生产设备内的气体。4.根据权利要求1所述的多晶硅生产设备的清洗方法，其特征在于，所述向所述多晶硅生产设备内通入刻蚀气体的步骤前，还包括以下步骤：将所述刻蚀气体通入等离子发生器中以生成等离子体。5.根据权利要求1所述的多晶硅生产设备的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括以下步骤：将清除后的所述硅薄膜吹离出所述多晶硅生产...

【专利技术属性】
技术研发人员：安重镒，李相遇，金成基，熊文娟，崔恒玮，田光辉，蒋浩杰，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：