一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及MEMS压力传感器技术领域,公开了一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片，包括衬底，衬底内部设有第一容腔和第二容腔，衬底上在第一容腔的顶面的区域为第一敏感膜，衬底上在第二容腔的顶面的区域为第二敏感膜，第一敏感膜和第二敏感膜上分别设有压敏电阻，第二敏感膜上设有导气孔，导气孔与第二容腔连通，在测量环境中，第一敏感膜处的压敏电阻会输出第一检测信号，该信号包含压力信号和残余应力引入的误差信号，第二敏感膜处的压敏电阻输出第二检测信号，该信号主要是残余应力引入的误差信号，将第二检测信号补偿第一检测信号便能得到实际检测信号。由于MEM压力传感器芯片实际检测信号消除了残余应力的影响，进而降低了输出漂移。而降低了输出漂移。而降低了输出漂移。

【技术实现步骤摘要】
一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片


[0001]本技术涉及MEMS压力传感器
，具体涉及一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片。

技术介绍

[0002]MEMS压力传感器具有体积小、重量轻、成本低、线性度好、重复性高、可靠性高等特点，是当前压力传感器发展的主流方向，将替代传统各式压力传感器。MEMS压力传感器通常具有一个相对较薄的硅压力敏感膜，可在压力作用下发生形变。敏感膜上通过离子注入形成压敏电阻，压敏电阻可以检测到敏感膜在压力作用下的形变大小，相应的，检测出压力的大小。
[0003]在外界压力、温度等条件都不变的情况下，理论上MEMS压力传感器的输出值是稳定的。然而，实际上，随着时间的推移，MEMS压力传感器的输出值会出现漂移。在造成MEMS压力传感器输出随着时间逐渐漂移的原因中，芯片中残余应力释放不完全是最主要的原因。
[0004]残余应力一方面来自于芯片敏感结构层和衬底层的键合。目前常见的键合方式为阳极键合，阳极键合不但需要高温(通常为300～500℃)，还需加载高电压(一般为500～1000V)，在键合界本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片，其特征在于，包括衬底，所述衬底内部开设有第一容腔和第二容腔，所述衬底上在所述第一容腔的顶面的区域为第一敏感膜，所述衬底上在所述第二容腔的顶面的区域为第二敏感膜，所述第一敏感膜和第二敏感膜上分别设有压敏电阻，所述衬底上还开设有与外界连通的导气孔，所述导气孔与所述第二容腔连通。2.根据权利要求1所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片，其特征在于，所述导气孔竖直开设在所述第二敏感膜上。3.根据权利要求1所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片，其特征在于，所述衬底的顶部从下往上分别设有介质层和钝化层，所述钝化层上设有金属PAD，压敏电阻的接线端通过引线与所述金属PAD电连接。4.根据权利要求1
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3任一项所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪祖民，
申请(专利权)人：龙微科技无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：