一种集成式耐腐蚀MEMS压力传感器及制造方法技术

本发明专利技术属于集成电路封装技术领域，特别涉及一种集成式耐腐蚀MEMS压力传感器及制造方法。包括PCB基板，PCB基板上分别贴装有MEMS芯片和ASIC芯片；围坝，形成进行物理隔离的双腔室；围坝通过耐腐蚀胶水粘接于PCB基板的顶部，通过双腔室将MEMS芯片和ASIC芯片相隔开，且贴装有MEMS芯片的腔室内填充有耐腐蚀的保护凝胶，以完全覆盖MEMS芯片；金属盖板，金属盖板通过耐腐蚀胶水粘接于围坝的顶部，且金属盖板的顶部一侧开设有通孔。本发明专利技术解决了现有MEMS压力传感器在小型化、标准化问题的同时兼顾耐腐蚀性要求；制造工艺适于批量化高精度加工，提升产品良率，降低产品成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路封装，特别涉及一种集成式耐腐蚀mems压力传感器及制造方法。

技术介绍

1、从半导体集成电路技术发展而来的微机电系统(micro-electro-mechanicalsystem，mems)技术日渐成熟，利用这一技术可以制作各种微型传感器，这些传感器体积小和能耗低，可实现许多全新的功能，而且成本低廉，便于大批量和高精度生产，易构成大规模和多功能阵列，非常适合在汽车上应用。由于mems压力传感器具有小型化外形和又能够耐介质腐蚀的特性，在工业自动化控制、汽车控制系统等领域有着广泛的应用。应用时环境介质含有腐蚀性成分，要求传感器能够在腐蚀环境中长期可靠应用。

2、现有常规的mems压力传感器结构在使用时，存在整体尺寸偏大、耐腐蚀性和气密性较差的缺陷，因此对测量的精度和可靠性造成一定的影响。

3、鉴于上述现状，亟需研发一种集成式耐腐蚀mems压力传感器及制造方法以解决上述技术缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种集成式耐腐蚀mems压力传感器及制造方法，通本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成式耐腐蚀MEMS压力传感器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种集成式耐腐蚀MEMS压力传感器，其特征在于，所述PCB基板的底部还包括布设的若干焊盘，若干所述焊盘构成方形点阵、十字形点阵或田字形点阵。

3.如权利要求1所述的一种集成式耐腐蚀MEMS压力传感器，其特征在于，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片上的焊盘分别与所述PCB基板上的焊盘通过金线键合，同时所述PCB基板上还包括设置的镀金布线层，以实现各芯片间的电信号导通。

4.如权利要求1所述的一种集成式耐腐蚀MEMS压力传感器，其特征在于，还包括L型溢胶槽，所述L型溢胶槽沿所...

【技术特征摘要】

1.一种集成式耐腐蚀mems压力传感器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种集成式耐腐蚀mems压力传感器，其特征在于，所述pcb基板的底部还包括布设的若干焊盘，若干所述焊盘构成方形点阵、十字形点阵或田字形点阵。

3.如权利要求1所述的一种集成式耐腐蚀mems压力传感器，其特征在于，所述mems芯片和所述asic芯片上的焊盘分别与所述pcb基板上的焊盘通过金线键合，同时所述pcb基板上还包括设置的镀金布线层，以实现各芯片间的电信号导通。

4.如权利要求1所述的一种集成式耐腐蚀mems压力传感器，其特征在于，还包括l型溢胶槽，所述l型溢胶槽沿所述围坝的底部四周边沿路径进行开设。

5.如权利要求1所述的一种集成式耐腐蚀mems压力传感器，其特征在于，还包括加强肩部，所述加强肩部一体成型...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪祖民，周海慧，张建中，夏成君，丁钰洁，顾晓泳，
申请(专利权)人：龙微科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：