一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法技术

本发明专利技术公开了一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法，属于半导体存储技术领域，先对替换地址通过两级选择器进行分级拆分处理，然后对主存储区出错处判断第两个选择器的地址是否两次替换，考虑到统一出两次出错后大概率会成为坏区，因此若是相同则跳过，然后执行先判断一一分配的冗余区是否可用，若是不可用则对调用其他的冗余资源对其替换，对冗余区执行若是检测出错误则可将记录信息转存到其他的锁存器中，且具有多次机会，综上可实现兼具小面积和多次列冗余替换，从而在小成本的基础上极大的提升器件良率和芯片性能的一致性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法


[0001]本专利技术属于半导体存储
，尤其涉及了一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法。

技术介绍

[0002]随着半导体芯片制程工艺日益缩小，非易失性存储器芯片中存储单元的特性越来越难控制，在芯片制造过程中也更容易引入缺陷导致存储单元的特性不好，虽然往往只有少数的一些存储单元的特性不好，但为了保证存储器芯片的可靠性和耐久性，在晶圆测试和封装测试过程中只要发现了有擦写性能或者可靠性可能存在风险的存储单元，就对该颗芯片进行筛除，但随之而来的是带来测试良率的损失，提高了芯片的成本。
[0003]为了减少因为少数存储单元不好的擦写性能或者可靠性可能存在缺陷而对整颗芯片进行筛除的比例（提高芯片测试的良率，降低芯片的成本），列冗余替换是目前主流非易失性存储器厂商的主要解决办法，利用列冗余将主存储区擦写特性不好或者可靠性存在风险的存储单元进行替换，从而达到提高良率的目的，但列冗余替换的电路设计也会新增芯片的面积，如果列冗余替换的电路设计不合理，导致增加了过多的芯片面积，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法，其特征在于，具体步骤如下，S1、对存储单元进行分级选择；S2、分级选择后对出错地址进行多次列冗余替换。2.根据权利要求1所述的一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法，其特征在于：所述级选择具体为：S1
‑
1将main区和redundancy区的位线分别通过YMUX1和YMUX2进行地址差分后得到main区SA_main个灵敏放大器，以及redundancy区SA_redun个灵敏放大器；S1
‑
2记录YMUX2_main和SA_main的地址。3.根据权利要求2所述的一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法，其特征在于：其中YMUX2_redun/YMUX2_main =1:2。4.根据权利要求1所述的一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法，其特征在于：所述多次列冗余替换为：S2
‑
1首先对每个YMUX2_redun多记录2bit信息，即1bit标志redundancy好坏的flag信息和1bit标志Latch是否替换被使用的flag信息；S2
...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋双泉，黎永健，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：