一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法，结构包括衬底，衬底上设有电极引线，电极引线埋设在绝缘保护层中，绝缘保护层上设有阵列排布的功能区单元；功能区单元包括热执行器和叉指结构样品台，热执行器与下方的所述电极引线连接，热执行器的悬臂梁通过连杆连接叉指结构样品台，叉指结构样品台正下方设有电镜观测窗口。器件基于双层多晶硅结构、多参数热执行器阵列和叉指结构样品台组成的变形载网机制，使该测试芯片可以在原位TEM/SEM里实现适配于多种待测样品的原位多参数力学模式表征功能。学模式表征功能。学模式表征功能。

【技术实现步骤摘要】
一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及原位测试芯片
，具体涉及一种用于TEM/SEM电镜的原位MEMS测试芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]过去的几十年，人们对低维材料的机械力学性能产生了极大的兴趣，纳米线、碳纳米管和石墨烯等低维材料是重要的基础研究方向，这是由于它们有异于块体材料的特殊性能以及拥有独特且可定制的物理性能的潜力，包括能量收集和存储、纳米机电系统（NEMS）、柔性电子学和可拉伸电子学在内的各种纳米技术应用。此外，当材料特征尺寸降至微纳米量级时，其力学性能与宏观体材料具有显著不同，并且纳米材料的力学性能与其微纳米尺度的变形机制密切相关。因此，发展一种可以实现TEM/SEM电镜下，能够原位观察在亚埃、原子或纳米尺度下研究材料的显微结构随不同模式力学载荷变化，对于提高微纳电子器件的可靠性，促进相关领域的发展具有十分重要的意义。
[0003]北京工业大学韩晓东教授课题组开发出一系列基于碳支撑膜和热双金属变形装置，其中基于碳支撑膜的变形技术对于纳米材料的拉伸方向和拉伸速度难以控制，成功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种原位MEMS变形载网芯片结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有电极引线，所述电极引线埋设在绝缘保护层中，所述绝缘保护层上设有阵列排布的功能区单元；所述功能区单元包括热执行器和叉指结构样品台，热执行器与下方的所述电极引线连接，热执行器的悬臂梁通过连杆连接叉指结构样品台，所述叉指结构样品台正下方设有电镜观测窗口。2.根据权利要求1所述的原位MEMS变形载网芯片结构，其特征在于，所述叉指结构样品台由位于两侧的固定梳齿以及位于中间，且连接在所述连杆两侧的可动梳齿交叉构成。3.根据权利要求2所述的原位MEMS变形载网芯片结构，其特征在于，位于同一行的各功能区单元中，各热执行器的驱动方向一致，位于一直线的各连杆依次首尾相连，各热执行器与电极引线形成并联连接。4.根据权利要求1
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3任一所述的原位MEMS变形载网芯片结构，其特征在于，所述热执行器采用V型梁结构或Z型梁结构。5.根据权利要求4任一所述的原位MEMS变形载网芯片结构，其特征在于，所述热执行器包括多个所述V型梁平行排列，相邻V型梁通过中点相互连接。6.根据权利要求1
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3任一所述的原位MEMS变形载网芯片结构，其特征在于，所述绝缘保护层采用氮化硅。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂萌，黄语恒，尹奎波，谭治远，吴博知，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：