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一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法技术
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文档序号:32968611
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本发明公开了一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法,结构包括衬底,衬底上设有电极引线,电极引线埋设在绝缘保护层中,绝缘保护层上设有阵列排布的功能区单元;功能区单元包括热执行器和叉指结构样品台,热执行器与下方的所述电极引线连接,热执行器...
该专利属于东南大学所有,仅供学习研究参考,未经过东南大学授权不得商用。
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