一种基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计及其制备方法技术

本发明专利技术属于光电探测技术领域，具体为一种基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计及其制备方法。本发明专利技术管状测辐射热计包括：使用磁控溅射在带有热氧化硅的高阻硅片上生长的具有内应力梯度氧化钒薄膜；在图形化之后的氧化钒薄膜上制备的电极；带有电极的氧化钒薄膜为管状结构。当红外光照射在管状氧化钒薄膜上时，入射光辐射功率在氧化钒薄膜内转化为热，使得氧化钒薄膜的电阻减小，由外加在电极上的恒定电压读出光谱信号。该器件可在室温条件下实现灵敏的广角、宽光谱探测。本发明专利技术可作为传统薄膜测辐射热计的有力补充，且工艺流程简单、成本低，将在非制冷红外焦平面的发展与应用中具有较强的实际意义。强的实际意义。强的实际意义。

【技术实现步骤摘要】
一种基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电探测
，具体涉及一种管状测辐射热计及其制备方法。

技术介绍

[0002]为满足军事国防、工业生产及民用等领域对红外探测器的需求，新一代红外探测技术正朝着超高灵敏度、超宽光谱响应、非制冷及低成本的方向发展。一般的，红外探测器可分为光子探测器和热探测器。长期以来，光子探测器因其高灵敏度、高响应速度成为红外探测技术的主流。但是，波长大于3 微米的光子探测器通常都需要使用制冷系统，使得红外探测器设备变得笨重、成本高昂且能耗较高，这大大限制了红外探测技术在工业及民用领域的推广。与光子探测器相比，热探测器可在室温下工作，但是其灵敏度较差，常用于对性能指标要求较低的低成本行业。直到20世纪80年代，霍尼韦尔公司和德州仪器公司分别基于氧化钒和非晶硅在室温热成像技术方面取得了突破性成就，从此世界各国的红外研究机构都开始了现代辐射热计技术的研发。时至今日，美国依旧是掌握最优非制冷成像技术的国家。虽然美国允许掌握该技术的美国公司出售其部分产品，但是生产技术还是严格保密。因此，大力发展本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计，其特征在于，包括：衬底、氧化钒薄膜、源电极、漏电极；其中：所述衬底为带有热氧化硅的高阻硅片；所述衬底中，热氧化硅的下表面与所述高阻硅片上表面接触；所述氧化钒的下表面与所述热氧化硅的上表面接触；所述源电极和所述漏电极的下表面分别与所述氧化钒的上表面接触；所述源电极和所述漏电极分别设置在所述氧化钒的两端；所述源电极、所述漏电极和所述氧化钒三者一起向上卷起成为管状结构。2.根据权利要求1所述的基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计，其特征在于，所述氧化钒的厚度为50
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120nm。3.根据权利要求1所述的基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计，其特征在于，所述源电极和所述漏电极的材料为铬，厚度为30
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60nm。4.一种如权利要求1
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3之一所述的基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）选择带有热氧化硅的高阻硅片为衬底，其中热氧化硅作为牺牲层，高阻硅片起支撑作用；（2）利用丙酮，异丙醇分别超声清洗衬底；（3）利用磁控溅射在衬底的氧化硅表面生长氧化钒薄膜；（4）利用激光直写定义腐蚀窗口图形；使用反应离子刻蚀机去除腐蚀窗口图形下面氧化钒...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅永丰，吴斌民，张子煜，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：