制备高质量多孔GaN模板晶体的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β

【技术实现步骤摘要】
制备高质量多孔GaN模板晶体的方法


[0001]本专利技术涉及到一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，属于半导体材料


技术介绍

[0002]以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为主的III
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V族氮化物材料(又称GaN基材料)是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。GaN基材料是直接带隙宽禁带半导体材料，具有1.9—6.2eV之间连续可变的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强和高热导率等优越性能，在短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备等方面具有重要的应用，用于制造比如蓝、紫、紫外波段发光器件、探测器件，高温、高频、高场大功率器件，场发射器件，抗辐射器件，压电器件等。
[0003]GaN单晶的熔点高达2300℃，分解点在900℃左右，生长需要极端的物理环境，而且大尺寸GaN单晶无法用传统晶体生长的方法得到。所以大多数的GaN薄膜都是在异质衬底上外延得到的。目前应用于半导体技术的GaN主要是采用异质外延方法在蓝宝石、SiC或Si等衬底上制备。在异质外延中，由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β
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Ga2O3薄膜，使得外延的β
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Ga2O3薄膜呈现单一畴外延的形貌，将β
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Ga2O3薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中进行氮化部分氮化或全部氮化，得到高质量多孔GaN模板晶体。2.根据权利要求1所述的制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：所述切割角在蓝宝石衬底c轴沿<11
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20>方向。3.根据权利要求2所述的制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：所述切割角为蓝宝石衬底c轴沿<11
‑...

【专利技术属性】
技术研发人员：修向前，施佳诚，李悦文，许万里，陶涛，张荣，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：