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本发明公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β
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该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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