【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】曝光装置以及物品的制造方法
[0001]本专利技术涉及曝光装置以及物品的制造方法。
技术介绍
[0002]以往使用一种利用照明光学系统对原版(中间掩模或者掩模)进行照明并将原版的图案经由投影光学系统投影到基板(晶片)的曝光装置。在曝光装置中,伴随半导体设备的微细化,要求实现高分辨率。为了实现高分辨率,曝光的光的短波长化、投影光学系统的数值孔径(NA)的增加(高NA化)以及变形照明(环带照明、双极照明、四极照明等)是有效的。
[0003]另一方面,伴随近年来的设备构造的多层化,在曝光装置中,还要求重叠精度的提高。在专利文献1中,公开了一种具有配置于从曝光装置的被照明面的共轭面向光源侧散焦后的位置的遮光部、和配置于从被照明面的共轭面向被照明面侧散焦后的位置的遮光部的曝光装置。专利文献1所公开的曝光装置对提高重叠精度是有效的。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2010
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73835号公报
技术实现思路
[0007]专利
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种曝光装置,一边使原版和基板在扫描方向上移动,一边对所述基板进行曝光,其特征在于,具有利用来自光源的光对所述原版的被照明面进行照明的照明光学系统,所述照明光学系统包括:第1遮光部,配置于从所述被照明面的共轭面向所述光源侧离开的位置;第2遮光部,配置于从所述共轭面向所述被照明面侧离开的位置;以及遮蔽部,配置于所述第1遮光部与所述第2遮光部之间,划定所述被照明面的照明范围,沿着所述照明光学系统的光轴的方向上的所述共轭面与所述第1遮光部之间的第1距离以及沿着所述光轴的方向上的所述共轭面与所述第2遮光部之间的第2距离的和是5mm以上并且20mm以下,所述第1遮光部以及所述第2遮光部被配置成所述第1距离和所述第2距离不同。2.根据权利要求1所...
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