相变存储单元的测试结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种相变存储单元的测试结构，包括金属布线层，所述金属布线层包括第一金属布线区、第二金属布线区及中间金属布线区，其中，第一金属布线区与相变存储单元连接，第二金属布线区通过金属接触通孔引出，且中间金属布线区中具有金属绕线结构，且金属绕线结构分别与第一金属布线区和第二金属布线区连接。本实用新型专利技术提供的测试结构中，中间金属布线区具有金属绕线结构，相当于在第一金属布线区和第二金属布线区之间引入一电阻器，以限制瞬态冲击电流在一个较小的水平，避免相变电阻动态阻值的变化导致回路冲击瞬态电流过大，保护相变存储单元，提高测试的可靠性。提高测试的可靠性。提高测试的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
相变存储单元的测试结构


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种相变存储单元的测试结构。

技术介绍

[0002]相变存储器(Phase Change RAM，PCRAM)是一种固态半导体非易失性存储器，由于其具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射等优点，被认为最有可能取代目前的flash和 DARM而成为未来存储器主流产品的器件。为了推动相变存储器的研究进程，其器件单元的电学和存储性能(如阈值电压和电流、读/写/擦最佳操作参数、功耗、疲劳特性等)的表征是非常重要的。我们通常会设计相应的相变存储单元的测试结构(Test Key)，通过测试其中的擦电流来表征相变存储器器件单元的电学和存储性能。
[0003]相变存储器单元的测试主要包括写(set)、擦(reset)和读(read)操作，目前国内外多采用施加电压脉冲的方法对相变存储单元进行set、reset 操作。电压脉冲易产生信号过冲现象，会影响写擦电流的可靠性，相变过程中瞬态电流的准确计算也非常困难，同时，脉冲幅度过大产生的过瞬态冲击电流会破坏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相变存储单元的测试结构，其特征在于，包括：金属布线层，所述金属布线层包括第一金属布线区、第二金属布线区及中间金属布线区，其中，所述第一金属布线区通过第一金属接触通孔用于与相变存储单元连接，所述第二金属布线区通过第二金属接触通孔引出，所述中间金属布线区具有金属绕线结构，且所述金属绕线结构分别与所述第一金属布线区和所述第二金属布线区连接。2.根据权利要求1所述的相变存储单元的测试结构，其特征在于，所述金属绕线结构中的金属绕线呈蛇形。3.根据权利要求1所述的相变存储单元的测试结构，其特征在于，所述第一金属布线区和所述第二金属布线区的金属布线均呈网格结构。4.根据权利要求1所述的相变存储单元的测试结构，其特征在于，所述第一金属布线区的布线面积小于所述第二金属布线区的布线面积。5.根据权利要求1所述的相变存储单元的测试结构，其特征在于，所述第一金属布线...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国强，杨红心，张恒，刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：新型
国别省市：