一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法，属于光纤传感器技术领域。本发明专利技术解决了现有光纤声压传感器由于初始腔长相位差不准确，进而导致传感器解调效果不好的问题。本发明专利技术传感器包括两个光纤组件和夹层结构，夹层结构为SOI

【技术实现步骤摘要】
一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法，属于光纤传感器


技术介绍

[0002]光纤声压传感器具有耐高温、耐腐蚀、抗电磁干扰、灵敏度高、体积小、质量轻等优势，广泛地应用于航天、工业、军事等领域。光纤声压传感器种类繁多，其中Fabry
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Perot干涉式传感器分辨率高、性能优异，已成为目前最有前景的一种光纤声压传感器。MEMS技术具有成本低、功耗低、高性能和集成化等优点，为膜片式压力传感器的制造提供了技术支持。随着光纤传感技术与MEMS技术的不断发展，将两者结合制作光纤MEMS传感器成为一大研究热点。
[0003]典型的非本征法布里
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珀罗干涉仪(Extrinsic Fabry
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Perot Interferometer，EFPI)可以利用光纤端面与敏感薄膜构成，由于其在静态或动态压力应用中具有良好传感性能而备受关注。这类传感器结构可以有效测量如声音、振动这种动态信号。其特点是，利用强度解调检本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器，其特征在于，包括两个光纤组件和夹层结构，所述的夹层结构依次由SOI衬底层(3)、SiO2层(4)、第一Si基层(5)、支撑结构层(6)和第二Si基层(7)组成，所述的支撑结构层(6)为框架结构与第二Si基层(7)形成第一方形槽(8)，所述的SiO2层(4)和第一Si层5上刻蚀有方形通孔，该方形通孔与SOI衬底层(3)构成第二方形槽(9)，且第一方形槽(8)和第二方形槽(9)连通在夹层结构内形成密封腔；所述的两个光纤组件连接在SOI衬底层(3)上，且其中一个光纤组件安装在与第二方形槽(9)位置对应的SOI衬底层(3)上。2.根据权利要求1所述的一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器，其特征在于，所述的SiO2层(4)和第一Si基层(5)的厚度和为200μm。3.根据权利要求1所述的一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器，其特征在于，所述的光纤组件由剥去表面涂层的单模光纤(1)和毛细玻璃管(2)组成，所述的单模光纤(1)插装在毛细玻璃管(2)内。4.根据权利要求3所述的一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器，其特征在于，所述的毛细玻璃管(2)的直径为1.8mm。5.根据权利要求1所述的一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器，其特征在于，所述的支...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘彬，董喜来，钟志，单明广，于蕾，刘磊，
申请(专利权)人：哈尔滨工程大学，
类型：发明
国别省市：