一种功率MOSFET封测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及封测装置技术领域，具体揭示了一种功率MOSFET封测装置，包括工作台，所述工作台顶部的左侧设有固定杆，所述固定杆右侧的顶部设有承载板，所述承载板的底部设有封测仪，所述工作台的顶部设有活动箱，所述活动箱的内腔设有移动板，所述活动箱内腔两侧的顶部均设有与移动板相适配的滑槽，所述移动板顶部的两侧均设有连接杆。本实用新型专利技术电机运行，通过电机带动螺杆进行转动，通过螺杆带动螺套进行移动，通过活动箱内的活动槽和滑块配合螺套进行移动，通过螺套带动移动杆进行移动，通过移动杆带动导轮进行移动，通过导轮与斜板上的导槽配合斜板向上移动，通过斜板带动移动板向上移动。向上移动。向上移动。

【技术实现步骤摘要】
一种功率MOSFET封测装置


[0001]本技术涉及封测装置
，具体为一种功率MOSFET封测装置。

技术介绍

[0002]金属
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氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管 (Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor,MOSFET) 是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管 (field
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effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。
[0003]在对功率MOSFET封测时，需要使用到封测装置进行封测，封测装置在使用时，需要使用到放置板，但是，目前市场上现有的放置板在调节高度时，需要工作手动进行调节，从而大大降低了封测装置的工作效率。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本技术提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率MOSFET封测装置，包括工作台(1)，其特征在于：所述工作台(1)顶部的左侧设有固定杆(5)，所述固定杆(5)右侧的顶部设有承载板(6)，所述承载板(6)的底部设有封测仪(7)，所述工作台(1)的顶部设有活动箱(8)，所述活动箱(8)的内腔设有移动板(11)，所述活动箱(8)内腔两侧的顶部均设有与移动板(11)相适配的滑槽(10)，所述移动板(11)顶部的两侧均设有连接杆(22)，所述连接杆(22)的顶部贯穿并延伸至活动箱(8)的顶部，所述连接杆(22)的顶部设有放置板(9)，所述移动板(11)的底部设有斜板(14)，所述斜板(14)的斜面开设有导槽(15)，所述活动箱(8)右侧的底部设有电机(20)，所述电机(20)的输出端设有螺杆(12)，所述螺杆(12)的左侧贯穿并延伸至活动箱(8)的内腔，所述螺杆(12)的表面螺纹设置有螺套(17)，所述螺套(17)的底部设有滑块(16)，所述活动箱(8)内腔的底部开设有与滑块(16)相适配的活动槽(13)，所述螺套(17)的顶部设有移动杆(18)，所述移动杆(18...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵杰，
申请(专利权)人：凤鋆电子科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：