具有用于电子束偏转的磁体单元的直线加速器系统技术方案

本发明专利技术涉及一种直线加速器系统、一种MeV射束设备、一种用于产生MeV电子束的方法和一种所属的计算机程序产品。根据本发明专利技术的用于产生MeV电子束的直线加速器系统具有带有外壳的直线加速器腔室，其中外壳在端侧由用于出射MeV电子束的出射开口中断，并且其特征在于设有可接通的磁体单元，所述磁体单元在偏转运行模式下配置用于，在直线加速器腔室内产生磁场，使得在直线加速器腔室内发射的至少一个电子由于通过磁场发生的偏转远离出射开口与外壳相互作用，使得在偏转运行模式下，穿过出射开口的MeV电子束的强度小于在磁体单元的射束产生运行模式下穿过出射开口的MeV电子束的强度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
具有用于电子束偏转的磁体单元的直线加速器系统


[0001]本专利技术涉及一种直线加速器系统、一种MeV射束设备、一种用于产生MeV电子束的方法和一种所属的计算机程序产品。

技术介绍

[0002]直线加速器系统以已知的方式用于沿着直线加速带电粒子、尤其电子。根据直线加速器系统的类型，电子尤其借助于直线加速器腔室中的射频源被加速到高于1MeV的能量上。被加速的MeV电子束可以用于不同的应用，例如用于直接借助MeV电子束治疗患者或者用于借助于MeV电子束在靶处生成MeV辐射之后进行治疗。MeV电子束或MeV辐射的替选的应用涉及在安全检查或海关检查时对目标的尤其无破坏的材料检查和/或透视。根据应用，射线防护规定可以有意义。因此，通常需要将MeV电子束或MeV辐射的强度减小到最小值。所述强度尤其被称为剂量。
[0003]典型地，MeV电子束或MeV辐射的强度在电子注入开始时改变，直至已经出现稳态。换言之，强度逐步增加，直至直线加速器系统可以在稳态下提供恒定的强度。在射线防护规定的意义上，强度的这种初始变化是不利的。在启动直线加速器系统时的这种时间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于产生MeV电子束的直线加速器系统(10)，所述直线加速器系统(10)具有：
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带有外壳的直线加速器腔室(11)，其中所述外壳在端侧由用于出射所述MeV电子束的出射开口(12)中断，其特征在于，
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设有可接通的磁体单元(13)，所述可接通的磁体单元(13)在偏转运行模式下配置用于，在所述直线加速器腔室(11)内产生如下磁场：所述磁场使得在所述直线加速器腔室(11)内发射的至少一个电子(P)由于通过磁场引起的偏转远离所述出射开口(12)与所述外壳相互作用，使得在所述偏转运行模式下，穿过所述出射开口(12)的所述MeV电子束的强度小于在所述磁体单元(13)的射束产生运行模式下穿过所述出射开口(12)的所述MeV电子束的强度。2.根据权利要求1所述的直线加速器系统(10)，还具有用于将电子作为电子束射入到所述直线加速器腔室(11)中的电子源(14)，其中所述电子源(14)配置用于，在所述磁体单元(13)的所述偏转运行模式下与在所述磁体单元(13)的所述射束产生运行模式下相比射入更少的电子。3.根据权利要求2所述的直线加速器系统(10)，其中在所述磁体单元(13)的所述偏转运行模式下，不借助于所述电子源(14)发射电子。4.根据权利要求2至3中任一项所述的直线加速器系统(10)，还具有时钟单元(16)，所述时钟单元构成用于，同步地切换所述可接通的磁体单元(13)和所述电子源(14)。5.根据上述权利要求中任一项所述的直线加速器系统(10)，还具有安全装置(17)，所述安全装置构成用于，切换所述可接通的磁体单元(13)，使得穿过所述出射开口(12)的所述MeV电子束的强度在10ms的关断时间内减小到基本上为零。6.根据权利要求5所述的直线加速器系统(10)，其中所述关断时间等于或小于1ms。7.根据上述权利要求中任一项所述的直线加速器系统(10)，还具有屏蔽装置(19)，所述屏蔽装置用于吸收通过至少一个偏转的电子的相互作用而生成的轫致辐射。8.根据上述权利要求中任一项所述的直线加速器系统(10)，其中所述磁体单元(13)在所述偏转运行模式下产生具有如下磁场强度的磁场：所述磁场强度使得在所述直线加速器腔室(11)的单元(11.1...11.N)内发射的电子在该单元内与...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯文，
申请(专利权)人：西门子医疗有限公司，
类型：发明
国别省市：