一种存储器保护电路及通信模块制造技术

技术编号:32897368 阅读:10 留言:0更新日期:2022-04-07 11:46
本实用新型专利技术公开了一种存储器保护电路及通信模块,该存储器保护电路,其特征在于,包括:电压监测电路,具有检测端和输出端,所述电压监测电路的检测端用于与存储器的电源端连接,所述电压监测电路的输出端用于与存储器的写保护端连接;主控电路,具有输入端和输出端,所述主控电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接,所述主控电路的输出端用于与所述存储器连接;所述电压监测电路,用于对存储器的供电电压进行监测,当所述供电电压低于预设阈值时,输出电压异常信号,以使存储器进入写保护状态;所述主控电路,在检测到所述电压异常信号时,停止对存储器进行擦写操作。本实用新型专利技术保护了存储器的数据安全。新型保护了存储器的数据安全。新型保护了存储器的数据安全。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器保护电路及通信模块


[0001]本技术涉及存储器写保护
,尤其涉及一种存储器保护电路及通信模块。

技术介绍

[0002]FLASH闪存是非易失性存储器,是目前各类设备中常用的存储器芯片,具有可擦除可编程的特点,在没有电流供应的条件下也能够长久地保存数据,其存储的数据不会因为没有供电而丢失,因此,FLASH闪存常被用来存储设备固件及各类设备参数信息。图1是目前设备中常见的FLASH闪存的电路连接示意图,设备电源直接给主控单元和FLASH芯片供电,主控单元与FLASH芯片之间直接连接,设备运行过程中,主控单元可以从FLASH芯片中读取数据,也可以向FLASH芯片中写入数据。正常情况下,只要保证设备电源提供给主控单元和FLASH芯片的供电电压在二者的正常工作电压范围,主控单元就可以正常读写FLASH芯片中的数据,FLASH芯片中的数据也不会出现错误或者丢失情况。
[0003]设备工作时,与设备连接的外设的使用会造成设备负载增大,再加上电源自身产生的纹波,很容易出现供电电压波动的情况。通常,存储器芯片(FLASH芯片)与主控芯片的工作电压并不完全一致,存储器芯片的工作电压一般在2.7

3.6V,主控芯片的工作电压一般在2

3.6V。当供电电压波动到2.7

2V之间时,主控芯片能够保持正常工作,而存储器芯片则可能因供电电压不足造成工作异常,此时,主控芯片很可能无法从存储器芯片中读取正确的数据;更有甚者,如果此时主控芯片向存储器芯片写入数据,不仅很可能会造成数据写入失败,也很可能会造成存储器芯片中的数据丢失。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种存储器保护电路及通信模块,旨在解决操作存储器过程中因供电电压出现波动导致存储器中的参数和固件等数据容易丢失的问题,保护存储器的数据安全。
[0005]为了实现上述目的,本技术提供一种存储器保护电路,包括:
[0006]电压监测电路,具有检测端和输出端,所述电压监测电路的检测端用于与存储器的电源端连接,所述电压监测电路的输出端用于与存储器的写保护端连接;
[0007]主控电路,具有输入端和输出端,所述主控电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接,所述主控电路的输出端用于与所述存储器连接;
[0008]所述电压监测电路,用于对存储器的供电电压进行监测,当所述供电电压低于预设阈值时,输出电压异常信号,以使存储器进入写保护状态;
[0009]所述主控电路,用于在检测到所述电压异常信号时,停止对存储器进行擦写操作。
[0010]可选地,所述一种存储器保护电路还包括延时电路,设置在所述电压监测电路与存储器之间,所述延时电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接,所述延时电路的输出端用于与存储器的写保护端连接;
[0011]其中,所述电压监测电路,还用于在所述供电电压大于或等于预设阈值时,输出电压正常信号;
[0012]所述延时电路,用于在接收到所述电压正常信号时进行放电,在接收到所述电压异常信号时进行充电,并在充电电压达到预设电压时,输出写保护触发信号,以触发存储器进入写保护状态。
[0013]可选地,所述延时电路包括充放电延时单元、第一开关和第二开关,所述第一开关的受控端与所述电压监测电路的输出端连接,所述第一开关的第一端与存储器的电源端连接,所述第一开关的第二端与所述充放电延时单元的输入端连接,所述充放电延时单元的输出端与所述第二开关的受控端连接,所述第二开关的第一端用于与存储器的电源端连接,所述第二开关的第二端接地。
[0014]可选地,所述第一开关包括第一电阻和第一MOS管,所述第一电阻的一端和所述第一MOS管的栅极分别与所述电压监测电路的输出端连接,所述第一电阻的另一端和所述第一MOS管的源极分别与存储器的电源端连接,所述第一MOS管的漏极为所述第一开关的第二端;所述第二开关包括第二MOS管和第二电阻,所述第二MOS管的栅极与所述充放电延时单元的输出端连接,所述第二MOS管的漏极与所述第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端连接存储器的电源端,所述第二MOS管的源极接地,其中,所述第二MOS管的漏极与所述第二电阻连接的公共端为所述延时电路的输出端。
[0015]可选地,所述充放电延时单元包括第三电阻、第四电阻和第一电容,所述第三电阻的一端和第四电阻的一端分别与所述第一开关的第二端连接,所述第四电阻的另一端与所述第一电容的一端连接,所述第一电容的另一端和所述第三电阻的另一端分别接地;其中,所述第四电阻与所述第一电容连接的公共端为所述充放电延时单元的输出端。
[0016]可选地,所述主控电路,还用于在检测到存储器为写保护状态,且检测到所述电压异常信号时,停止对存储器进行擦写操作。
[0017]可选地,所述电压监测电路包括电压比较器、分压单元和稳压单元;所述分压单元的输入端与存储器的电源端连接,所述分压单元的输出端与所述电压比较器的同相输入端,所述稳压单元的输入端与存储器的电源端连接,所述稳压单元的输出端与所述电压比较器的反向输入端连接,所述电压比较器的输出端为所述电压监测电路的输出端。
[0018]可选地,所述分压单元包括第五电阻和第六电阻;所述第五电阻的一端与存储器的电源端连接,所述第五电阻的另一端分别与所述第六电阻的一端和所述电压比较器的同相输入端连接,所述第六电阻的另一端接地。
[0019]可选地,所述稳压单元包括第七电阻和稳压管,所述七电阻的一端与存储器的电源端连接,所述第七电阻的另一端分别与所述稳压管的阴极和所述电压比较器的反相输入端连接,所述稳压管的阳极接地。
[0020]此外,为实现上述目的,本技术还提供一种通信模块,包括存储器和存储器保护电路;
[0021]所述存储器保护电路用于根据存储器的供电电压对存储器的读写进行保护,所述存储器保护电路被配置为如上所述的一种存储器保护电路。
[0022]本技术通过所述电压监测电路实时检测存储器的供电电压,在存储器的供电电压波动到低于存储器的工作电压时,锁定存储器写状态寄存器,控制存储器进入写保护
状态,以停止存储器正常写入操作,从而保证电压波动不会造成存储器中参数和固件等数据丢失,进而保护了存储器的数据安全;进一步地,可以使主控电路在检测到电压监测电路输出了电压异常信号时,停止对存储器进行擦写操作,以保证数据不会丢失。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0024]图1为现有设备中FLASH闪存电路连接示意图;
[0025]图2为本技术一种存储器保护电路一实施例的模块示意图;
[本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器保护电路,其特征在于,包括:电压监测电路,具有检测端和输出端,所述电压监测电路的检测端用于与存储器的电源端连接,所述电压监测电路的输出端用于与存储器的写保护端连接;主控电路,具有输入端和输出端,所述主控电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接,所述主控电路的输出端用于与所述存储器连接;所述电压监测电路,用于对存储器的供电电压进行监测,当所述供电电压低于预设阈值时,输出电压异常信号,以使存储器进入写保护状态;所述主控电路,在检测到所述电压异常信号时,停止对存储器进行擦写操作。2.如权利要求1所述的一种存储器保护电路,其特征在于,所述一种存储器保护电路还包括延时电路,设置在所述电压监测电路与存储器之间,所述延时电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接,所述延时电路的输出端与存储器的写保护端连接;其中,所述电压监测电路,还用于在所述供电电压大于或等于预设阈值时,输出电压正常信号;所述延时电路,用于在接收到所述电压正常信号时进行放电;在接收到所述电压异常信号时进行充电,并在充电电压达到预设电压时,输出写保护触发信号,以触发存储器进入写保护状态。3.如权利要求2所述的一种存储器保护电路,其特征在于,所述延时电路包括充放电延时单元、第一开关和第二开关,所述第一开关的受控端与所述电压监测电路的输出端连接,所述第一开关的第一端与存储器的电源端连接,所述第一开关的第二端与所述充放电延时单元的输入端连接,所述充放电延时单元的输出端与所述第二开关的受控端连接,所述第二开关的第一端用于与存储器的电源端连接,所述第二开关的第二端接地。4.如权利要求3所述的一种存储器保护电路,其特征在于,所述第一开关包括第一电阻和第一MOS管,所述第一电阻的一端和所述第一MOS管的栅极分别与所述电压监测电路的输出端连接,所述第一电阻的另一端和所述第一MOS管的源极分别与存储器的电源端连接,所述第一MOS管的漏极为所述第一开关的第二端;所述第二开关包括第二MOS管和第二电阻,所述第二MOS管的栅极与所述充放电延时单元的输出端连接,所述第二M...

【专利技术属性】
技术研发人员:古欣王磊王金灿赵成志梁义正
申请(专利权)人:山东有人物联网股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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