【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本专利技术涉及对功率晶体管进行并联驱动的半导体装置。
技术介绍
[0002]就对功率晶体管进行并联驱动的半导体装置而言，为了特性改善，将MOSFET(单极)和IGBT(双极)组合作为功率晶体管。如果对这些功率晶体管的驱动使用共通的栅极电压，则由于IGBT的短路耐量而使栅极电压受到限制，因此制约了由MOSFET的栅极电压增加带来的特性改善。这成为MOSFET的芯片尺寸缩小的阻碍，无法实现低成本化和小型化。因此，提出了通过电源电压不同的单独的驱动电路对2个功率晶体管进行控制的半导体装置(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2020
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18037号公报
[0004]但是，由于需要准备单独的驱动电路，因此部件件数和电路规模增加，无法实现总体上的成本降低。另外，在电源电压不同的2个驱动电路之间产生传输延迟波动，品质和性能下降。
技术实现思路
[0005]本专利技术就是为了解决上述这样的课题而提出的，其目的在于得到能够降低成本、提高品质和性能
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第1及第2功率晶体管，它们彼此并联连接，饱和电流不同；以及栅极驱动器，其分别通过单独的栅极电压对所述第1及第2功率晶体管进行驱动，所述栅极驱动器具有：驱动电路，其将输入信号输入而将驱动信号输出；第1放大器，其根据第1电源电压对所述驱动信号进行放大而供给至所述第1功率晶体管的栅极；以及第2放大器，其根据与所述第1电源电压不同的第2电源电压对所述驱动信号进行放大而供给至所述第2功率晶体管的栅极。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1功率晶体管的饱和电流比所述第2功率晶体管的饱和电流小，所述第2电源电压比所述第1电源电压小。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特...
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