一种MOS管电源开关电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管电源开关电路，包括：MOS管；三级管；电容；电阻；其中所述三级管的集电极连接所述MOS管，所述三级管基极连接开关，所述电容连接所述MOS管的源极和栅极，且所述MOS管的栅极还连接所述电阻，在所述MOS管形成充电回路。所述开关电路在MOS管的栅极和源极分别添加电容和电阻，在三级管导通时可以形成充电回路，减缓所述MOS管的开启过程，从而使得所述开关电路可以实现软开启，减少峰值电流对MOS管的伤害。值电流对MOS管的伤害。值电流对MOS管的伤害。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管电源开关电路


[0001]本技术涉及电源开关
，特别涉及一种MOS管电源开关电路。

技术介绍

[0002]目前电子产品中对各个功能模块的供电都使用MOS管来控制电源的通断，当功能模块含有很大的负载电容时，打开MOS管开关瞬间会有很大的峰值电流，会引起电源系统的波动，同时会造成MOS管的损害。现有技术中，使用一个三极管来控制MOS管的通断，当三极管导通时MOS管的栅极变低，MOS管导通，而当三极管截止时MOS管的栅极变高，MOS管截止。由于三极管导通时会瞬时拉低MOS管的栅极电压，导致MOS管快速导通，使输出电流峰值过大。

技术实现思路

[0003]本技术其中一个目的在于提供一种MOS管电源开关电路，所述开关电路在MOS管的栅极和源极分别添加电容和电阻，在三级管导通时可以形成充电回路，减缓所述MOS管的开启过程，从而使得所述开关电路可以实现软开启，减少峰值电流对MOS管的伤害。
[0004]本技术另一个目的在于提供一种MOS管电源开关电路，所述开关电路通过三级管控制MOS管，并结合充电回路可以保障电源系统的稳定性。
[0005]为了实现至少一个上述开关电路，本技术进一步提供一种MOS管电源开关电路，包括：
[0006]MOS管；
[0007]三级管；
[0008]电容；
[0009]电阻；
[0010]其中所述三级管的集电极连接所述MOS管，所述三级管基极连接开关，所述电容连接所述MOS管的源极和栅极，且所述MOS管的栅极还连接所述电阻，在所述MOS管形成充电回路。
[0011]根据本技术另一个较佳实施例，所述电阻包括第一电阻，其中所述第一电阻一端连接所述三级管的集电极，所述第一电阻的另一端分别连接所述MOS管的栅极和所述电容的一端。
[0012]根据本技术另一个较佳实施例，所述电阻包括第二电阻，其中所述第二电阻一端分别连接所述第一电阻和三级管的集电极，且所述第二电阻的另一端分别连接输入电源、电容和MOS管的源极。
[0013]根据本技术另一个较佳实施例，所述MOS管的源极连接输入电源，且所述MOS管的漏极连接输出电源。
[0014]根据本技术另一个较佳实施例，所述开关电路包括第三电阻，所述第三电阻一端连接开关，且所述第三电阻的另一端连接所述三极管的基极。
[0015]根据本技术另一个较佳实施例，所述开关电路包括第四电阻，其中所述第四电阻一端分别连接所述第三电阻和所述三极管的基极，所述第四电阻的另一端连接所述三极管的发射极。
[0016]根据本技术另一个较佳实施例，所述三极管的发射极接地。
[0017]根据本技术另一个较佳实施例，所述MOS管为PMOS管。
附图说明
[0018]图1显示的是本技术一种MOS管电源开关电路的结构示意图。
具体实施方式
[0019]以下描述用于揭露本技术以使本领域技术人员能够实现本技术。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本技术的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本技术的精神和范围的其他技术方案。
[0020]本领域技术人员应理解的是，在本技术的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本技术的限制。
[0021]可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。
[0022]请参考图1显示的本技术一种MOS管电源开关电路结构示意图，所述开关电路通过在MOS管中设置充电回路，从而避免三级管在开关状态时的瞬时电流对所述MOS管造成的影响。
[0023]具体的，所述开关电路包括：MOS管Q1，三极管Q2，其中所述MOS管Q1包括源极2、栅极1和漏极3，所述三极管Q2包括集电极C，基极B和发射极E。所述开关电路包括多个电阻和至少一个电容，其中所述电阻包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4，所述第一电阻R1的一端分别连接所述三极管Q2的集电极C和第二电阻R2一端，所述第一电阻R1的另一端分别连接所述MOS管Q1的栅极1和所述电容C1的一端。所述第二电阻R2的另一端分别连接所述MOS管Q1的源极2、输入电源Vin和所述电容C1的另一端，所述MOS管Q1的漏极连接输出电源Vout。所述第一电阻R1和电容C1在所述MOS管Q1形成充电回路。
[0024]所述第三电阻R3的一端连接开关，所述第三电阻R3另一端连接所述三极管Q2的基极和所述第四电阻R4的一端，所述第四电阻R4另一端连接所述三极管Q2的发射极E，且所述三级管Q2的发射极E接地。
[0025]上述电路结构具有如下技术效果：当开关(on/off)输出信号为高时，通过第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4来控制所述三极管Q2的导通，三极管Q2的集电极30电压为零。输入电源Vin通过所述第一电阻R1对所述电容进行充电，从而使得所述MOS管Q1的栅源电压缓慢增加，从而实现对MOS管Q1的缓慢导通，实现MOS管Q1的软开启效果。
[0026]本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本技术的实施例只作为举例而并不限制本技术，本技术的目的已经完整并有效地实现，本技术的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本技术的实施方式可以有任何变形或修改。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS管电源开关电路，其特征在于，包括：MOS管；三级管；电容；电阻；其中所述三级管的集电极连接所述MOS管，所述三级管基极连接开关，所述电容连接所述MOS管的源极和栅极，且所述MOS管的栅极还连接所述电阻，在所述MOS管形成充电回路。2.根据权利要求1所述的一种MOS管电源开关电路，其特征在于，所述电阻包括第一电阻，其中所述第一电阻一端连接所述三级管的集电极，所述第一电阻的另一端分别连接所述MOS管的栅极和所述电容的一端。3.根据权利要求2所述的一种MOS管电源开关电路，其特征在于，所述电阻包括第二电阻，其中所述第二电阻一端分别连接所述第一电阻和三级管的集电极，且所述第二电阻的另一端分别连接输入电源、电容和MOS管的源极。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：康亮，王保同，张亮，李双全，陈方方，赵婷，刘书，曹强，徐斯懿，
申请(专利权)人：杭州海兴电力科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：