光扩散膜制造技术

提供即使在高伸长率的加工后，亦能够抑制半值角降低的光扩散膜。一种光扩散膜，其具备基材膜、和含有光扩散粒子及树脂粘结剂的光扩散层；所述光扩散层的平均膜厚T与所述光扩散粒子的平均粒径t之比(T/t)为3.0以上。粒子的平均粒径t之比(T/t)为3.0以上。粒子的平均粒径t之比(T/t)为3.0以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光扩散膜


[0001]本专利技术涉及光扩散膜。

技术介绍

[0002]自以往以来，作为省电力且能发出高能量的光的发光装置，已知使用发光二极管(LED)的装置。从LED所发出的光，由于具有强的指向性，故要求使该光高度地分散。作为使用发光二极管的装置，被用作汽车用灯、冰箱、微波炉、室内光等LED照明装置。LED照明装置中，尤其要求高度的分散性(例如，专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018
‑
041638号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]以将光扩散为目的，使用光扩散膜。于光扩散膜中，作为评价光的扩散性的指标，有时使用雾度。然而，于LED照明装置中，即使为显示高雾度的光扩散膜，也有得不到令人满足的光扩散性的情况。因此，作为LED照明装置中的光扩散性的指标，使用半值角。半值角(度)是指透射光扩散膜而相对于光源的角度0度的正面光的强度I0，达到其一半的强度I
1/2
的角度。亦即，于LED照明装置中，要求显示宽广的半值角(度)的光扩散膜。
[0008]另一方面，LED照明装置中，设计的自由度高且具有新形状的照明装置有许多被公布。其中，对于LED照明装置的罩等部件，亦要求形状的自由度，于由平板片形状来成形时，有时存在具有高曲率半径的曲面，或在成型时成为高伸长率的平面。为了应付该需求，若将光扩散膜成形，则在具有高曲率半径时，或在成为高伸长率的部分中，明显地有光扩散膜的光扩散性能降低的问题。特别地，于光扩散膜被伸长时，即使雾度的降低为稍微，半值角亦容易降低。
[0009]因此，本专利技术的课题在于提供一种光扩散膜，其即使在高伸长率的加工后，亦能够抑制半值角降低。
[0010]解决课题的手段
[0011]本专利技术者们发现通过使用具备光扩散层的光扩散膜，且使该光扩散层含有光扩散粒子及树脂粘结剂，并且该光扩散层的平均膜厚T与该光扩散粒子的平均粒径t之比(T/t)为3.0以上，可得到即使在高伸长率的加工后，亦能够抑制半值角降低的光扩散膜。
[0012]即，本专利技术涉及以下的[1]～[5]。
[0013][1]一种光扩散膜，其具备基材膜、和含有光扩散粒子及树脂粘结剂的光扩散层；
[0014]所述光扩散层的平均膜厚T与所述光扩散粒子的平均粒径t之比(T/t)为3.0以上。
[0015][2]如[1]记载的光扩散膜，其中，光扩散膜在伸长率40％的半值角H
40
处于比伸长前的半值角H0的值低25％的值以上、且比伸长前的半值角H0的值高25％的值以下的范围内。
[0016][3]如[1]或[2]记载的光扩散膜，其中，相对于所述光扩散层的固体成分总量，所述光扩散粒子的填充量为30质量％以上且80质量％以下。
[0017][4]如[1]～[3]中任一项记载的光扩散膜，其中，所述光扩散粒子具有0.5～10.0μm的平均粒径t。
[0018][5]如[1]～[4]中任一项记载的光扩散膜，其中，所述光扩散层具有1.5～30μm的平均膜厚T。
[0019]专利技术效果
[0020]因此，根据本专利技术，能够提供即使在高伸长率的加工后，亦能够抑制半值角降低的光扩散膜。
附图说明
[0021]图1为本实施方式的光扩散膜1的示意剖面图。
[0022]图2为经伸长时的本实施方式的光扩散膜1的示意剖面图。
[0023]图3为经进一步伸长时的本实施方式的光扩散膜1的示意剖面图。
[0024]图4为显示将以往的光扩散膜C1伸长时的作用的示意剖面图。
[0025]图5为在伸长率0％的光扩散膜的剖面的SEM照片。
[0026]图6为在伸长率40％的光扩散膜的剖面的SEM照片。
[0027]图7为在伸长率80％的光扩散膜的剖面的SEM照片。
具体实施方式
[0028]以下，关于本专利技术的实施方式，参照附图而详细地说明。需要说明的是，上下左右等位置关系，只要没有特别说明，则基于附图所示的位置关系。另外，附图的尺寸比率并不限定于图示的比率。但是，以下的实施方式为用于说明本专利技术的例示，本专利技术不受它们所限定，在不脱离其要旨的范围内可任意地变更而实施。需要说明的是，于本说明书中，例如，“1～100”的数值范围的表述包含其下限值“1”及上限值“100”双方。另外，其他的数值范围的表述亦同样。
[0029]本实施方式的光扩散膜具备基材膜、和含有光扩散粒子及树脂粘结剂的光扩散层。于本实施方式中，该光扩散层的平均膜厚T与该光扩散粒子的平均粒径t之比(T/t)(以下，亦仅称“T/t比”)为3.0以上。根据本实施方式的光扩散膜，即使在高伸长率的加工后，亦能够抑制半值角降低。
[0030]图1为本实施方式的光扩散膜1的示意剖面图。本实施方式的光扩散膜1具备基材膜2和设于该基材膜2的一个面2a侧的光扩散层3。光扩散膜1中，光扩散层3在最外表面露出。如此地，通过光扩散层3在最外表面露出，并通过将光扩散膜1伸长，而容易形成光扩散层3的表面的凹凸，容易维持伸长后的半值角。
[0031]光扩散层3含有光扩散粒子31及树脂32。光扩散层3在其内部具有空隙B。光扩散层3通过具有规定范围以上的T/t比，而以光扩散粒子31在光扩散层3的厚度方向中堆积的方式形成。
[0032]接着，说明光扩散膜1的使用方法。本实施方式的光扩散膜1例如配合透明部件表面的曲面形状，在加热条件下被成形加工而使用。于该成型加工之际，按照曲面的形状而光
扩散膜1伸长。本实施方式的光扩散膜1即使经由该伸长，也能够维持光扩散膜的光扩散所致的半值角。
[0033]如图1所示，于不伸长时，光扩散膜1通过光扩散层3内的光扩散粒子31、空隙B及表面的界面使光扩散。于这些进行光扩散的要素中，光扩散层3内的光扩散粒子31贡献光的扩散的程度变大。
[0034]图2为经伸长时的本实施方式的光扩散膜1的示意剖面图。若光扩散膜1被伸长，则光扩散层3的膜厚变小，或光扩散粒子31对于光扩散的贡献亦多少降低，但光扩散膜1的内部的空隙B扩大，对于光扩散的贡献变大。需要说明的是，光扩散粒子31对于光扩散的贡献随着伸长率变高而变小，但该空隙B的大小亦随着伸长率变高而变大，对于光扩散的贡献亦变大。如此地，维持伸长前后的光扩散性。
[0035]图3为光扩散膜1进一步被伸长时的本实施方式的光扩散膜1的示意剖面图。若光扩散膜1进一步被伸长，则光扩散层3的膜厚变小，光扩散粒子31对于光扩散的贡献进一步降低，但除了光扩散膜1的内部的空隙B的扩大以外，虽然未图示，但空隙B的数目亦会增加，再者在光扩散层3的表面形成凹部S。关于该凹部S，通过光扩散层3的崩溃而形成凹部S，但由于T/t的值为规定值以上，形成因光扩散粒子31的露出所造成的表面的粗糙，或因凹部S本身的形成所造成的表面的粗糙，从而有助于光扩散性的增大。如此地，通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光扩散膜，其具备基材膜、和含有光扩散粒子及树脂粘结剂的光扩散层；所述光扩散层的平均膜厚T与所述光扩散粒子的平均粒径t之比T/t为3.0以上。2.根据权利要求1所述的光扩散膜，其中，光扩散膜在伸长率40％的半值角H
40
处于比伸长前的半值角H0的值低25％的值以上、且比伸长前的半值角H0的值高25％的值以下的范围内。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木翔，加藤龙哉，橘和寿，
申请(专利权)人：株式会社木本，
类型：发明
国别省市：