加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供加工装置，其抑制在一种加工时所产生的加工屑对另一种加工造成不良影响。在通过磨削磨具(98)对晶片(100)进行加工时，第1分隔板(11)和第2分隔板(12)按照通过第1半圆凹部(111)和第2半圆凹部(121)围绕磨削磨具(98)的方式将加工室(20)上下分隔。因此，能够保护位于加工室(20)的上侧的研磨垫(93)免受位于加工室(20)的下侧的磨削磨具(98)的前端对晶片(100)进行加工而产生的加工屑的影响。由此，能够抑制加工屑附着于研磨垫(93)。因此，能够抑制通过研磨垫(93)进行研磨加工的晶片(100)的背面(102)被加工屑划伤。(100)的背面(102)被加工屑划伤。(100)的背面(102)被加工屑划伤。

【技术实现步骤摘要】
加工装置


[0001]本专利技术涉及加工装置。

技术介绍

[0002]在具有作为贯通电极的TSV(Through Silicon Via，硅通孔)的TSV晶片中，通过磨削和CMP(化学机械研磨)将背面平坦化，通过CMP将在正面侧露出的贯通电极平坦化。近年来，贯通电极的布线由铝布线替换成铜布线，因此通过基于刀具的旋切和CMP将贯通电极平坦化。因此，如专利文献1所公开的那样利用一个加工装置的加工单元能够进行基于刀具的旋切和CMP，由此使装置小型化，提高生产率。
[0003]专利文献1：日本特开2016
‑
92281号公报
[0004]在专利文献1记载的装置中，旋切和CMP在相同的加工室内实施。因此，旋切加工的旋切屑附着于研磨垫的下表面，在CMP时晶片的被研磨面可能会被划伤。
[0005]另外，在加工单元能够实施磨削和CMP的情况下，磨削加工的磨削屑附着于研磨垫的下表面，在CMP时晶片的被研磨面也有可能被划伤。

技术实现思路

[0006]因此，本专利技术的目的在于抑制在实施一种加工时所产生的加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加工装置，其具有：卡盘工作台，其通过保持面对晶片进行保持；加工单元，其具有用于对该卡盘工作台所保持的晶片进行加工的加工器具；加工进给单元，其将该加工单元在与该保持面垂直的方向上进行加工进给；以及加工室，其对该卡盘工作台和该加工器具进行收纳，其中，该加工单元具有：第1安装座，其上表面与沿该垂直的方向延伸的主轴的下端连结，在该第1安装座的下表面上安装有第1加工器具；第2安装座，其具有比该第1安装座的外径大的内径，呈与该第1安装座同心的圆环状，并且在该第2安装座的下表面上安装有第2加工器具；以及选择单元，其使该第1安装座和该第2安装座在该垂直的方向上相对地移动，由此选择性地使该第1加工器具或该第2加工器具接近该保持面，该加工室具有分隔机构，该分隔机构在通过该选择单元使该第1加工器具比该第2加工器具更接近该保持面并通过该第1加工器具对该保持面所保持的晶片进行加工时，围绕该第1加工器具，将该加工室上下分隔，保护该第2加工器具免受该第1加工器具对晶片进行加工而产生的加工屑的影响，该分隔机构具有：第1分隔板，其沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：波冈伸一，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：