电阻式随机存取存储器器件制造技术

本公开一般地涉及存储器器件及其形成方法。更具体地，本公开涉及电阻式随机存取(ReRAM)存储器器件。本公开提供了一种存储器器件，其包括：具有开口的电介质层；沿着开口的侧壁；位于开口中的第一电极；设置在第一电极上的电阻层；设置在电阻层上的氧清除层；以及与氧清除层接触的第二电极。氧清除层包括与电阻层不同并且部分地覆盖电阻层的材料。第一电极通过氧清除层和电阻层电连接到第二电极。极通过氧清除层和电阻层电连接到第二电极。极通过氧清除层和电阻层电连接到第二电极。

【技术实现步骤摘要】
电阻式随机存取存储器器件


[0001]所公开的主题一般地涉及存储器器件及其形成方法。更具体地，本公开涉及电阻式随机存取(ReRAM)存储器器件。

技术介绍

[0002]半导体器件和集成电路(IC)芯片已经在物理、化学、生物学、计算和存储器器件领域中得到了大量应用。存储器器件的示例是非易失性(NV)存储器器件。NV存储器器件是可编程的，并且由于其即使在电源关断之后也能持续长时段保留数据的能力，因此其被广泛用于电子产品中。NV存储器的示例性类别可以包括电阻式随机存取存储器(ReRAM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、闪存、铁电式随机存取存储器(FeRAM)和磁阻式随机存取存储器(MRAM)。
[0003]电阻式存储器器件可以通过在以下两种不同状态之间改变(或切换)来工作：高电阻状态(HRS)，其可以代表关断或0状态；低电阻状态(LRS)，其可以代表开启或1状态。然而，这些器件可能经历关于电阻切换特性的大变化，并可能导致器件内电流流动的大波动，这会降低器件的性能并增加其功耗。
[0004]因此，存在对提供能够克服或至少改进如上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，包括：具有开口的电介质层；位于所述开口中的第一电极；设置在所述第一电极上的电阻层；设置在所述电阻层上的第一氧清除层，其中所述第一氧清除层包括与所述电阻层不同并且部分地覆盖所述电阻层的材料；以及与所述第一氧清除层接触的第二电极。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一电极通过所述第一氧清除层和所述电阻层电连接到所述第二电极。3.根据权利要求2所述的器件，还包括：设置在所述电阻层上的第二氧清除层，其中所述第二氧清除层与所述第一氧清除层间隔开。4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述第一氧清除层和所述第二氧清除层各自具有与所述电介质层的上表面基本上共面的上表面。5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第二电极横向延伸以接触所述第二氧清除层。6.根据权利要求5所述的器件，还包括：布置在所述第二电极上方并连接到所述第二电极的位线；以及布置在所述第一电极下方并连接到所述第一电极的源极线。7.根据权利要求4所述的器件，还包括：设置在所述第二氧清除层上的第三电极，其中所述第一电极通过所述第二氧清除层和所述电阻层电连接到所述第三电极。8.根据权利要求7所述的器件，还包括：布置在所述第二电极上方并连接到所述第二电极的第一位线；布置在所述第三电极上方并连接到所述第三电极的第二位线；以及布置在所述第一电极下方并连接到所述第一电极的源极线。9.根据权利要求3所述的器件，还包括：沿着所述开口的侧壁，其中所述第一氧清除层和所述第二氧清除层具有与所述侧壁邻接的侧面。10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一氧清除层和所述第二氧清除层的所述侧面与所述电阻层的侧边缘基本上对齐。11.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎佳俊，卓荣发，陈学深，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：