表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法技术

本发明专利技术涉及表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法。[课题]提供可以充分去除存在于研磨完的研磨对象物的表面的有机物残渣的方案。[解决方案]一种表面处理组合物，其为用于对研磨完的研磨对象物的表面进行处理的表面处理组合物，其含有：具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物、螯合剂和水，下述式(1)中，R1为碳数1～5的烃基，R2为氢原子或碳数1～3的烃基，前述螯合剂具有膦酸基和羧酸基中的至少一者。合剂具有膦酸基和羧酸基中的至少一者。合剂具有膦酸基和羧酸基中的至少一者。

【技术实现步骤摘要】
表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着半导体基板表面的多层布线化，制造半导体装置(器件)时，利用了所谓化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)技术，其对半导体基板进行研磨以实现平坦化。CMP为如下方法：用包含二氧化硅、氧化铝、氧化铈等磨粒、防腐蚀剂、表面活性剂等的研磨用组合物(浆料)，使半导体基板等研磨对象物(被研磨物)的表面平坦化。研磨对象物(被研磨物)为硅、多晶硅、氧化硅膜(氧化硅)、硅氮化物、金属等所形成的布线、插头等。
[0003]在CMP工序后的半导体基板表面大量残留有杂质(缺陷)。作为杂质，包含：源自CMP中使用的研磨用组合物的磨粒、金属、防腐蚀剂、表面活性剂等有机物、对作为研磨对象物的含硅材料、金属布线、插头等进行研磨而产生的含硅材料、金属、进而由各种垫片等产生的垫片屑等有机物等。r/>[0004]半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面处理组合物，其为用于对研磨完的研磨对象物的表面进行处理的表面处理组合物，其含有：具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物、螯合剂、和水，所述式(1)中，R1为碳数1～5的烃基，R2为氢原子或碳数1～3的烃基，所述螯合剂具有膦酸基和羧酸基中的至少一者。2.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其中，所述螯合剂中，所述膦酸基和所述羧酸基的基团数的总计为2以上。3.根据权利要求1或2所述的表面处理组合物，其pH为5以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的表面处理组合物，其pH为3以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的表面处理组合物，其还含有离子性分散剂。6.根据权利要求5所述的表面处理组合物，其中，所述离子性分散剂为具有磺酸(盐)基的高分子化合物。7.根据权利要求1～6中任一项所述的表面处理组合物，其实质上不含有磨粒。8.根据权利要求1～7中任一项所述的表面处理组合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉野努，石黑创之介，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：