封装体及其制备方法、终端和电子设备技术

本申请提供一种封装体，包括：基板；多个电子元器件，设置于所述基板上；封装材料层，位于所述基板上且封装所述多个电子元器件；以及低频屏蔽导电结构，嵌设在所述封装材料层中，位于所述封装材料层远离所述基板的一侧且与所述多个电子元器件间隔，所述低频屏蔽导电结构具有多个通孔，至少部分通孔的每一个的开口面积小于1mm*1mm，所述低频屏蔽导电结构的厚度不低于10μm。本申请还提供应用该封装体的终端和电子设备、以及该封装体的制备方法。低频屏蔽导电结构的设置大幅提升了所述封装体的低频电磁辐射屏蔽效能。低频电磁辐射屏蔽效能。低频电磁辐射屏蔽效能。

【技术实现步骤摘要】
封装体及其制备方法、终端和电子设备


[0001]本申请涉及一种具有低频电磁屏蔽效能的封装体、该封装体的制备方法以及应用该封装体的终端和电子设备。

技术介绍

[0002]随着5G时代的到来，消费类移动终端产品(例如手机)的内部空间趋于紧张，为了提高硬件系统的集成度，目前业界广泛采用高集成度的封装方案，如系统级封装(System in package,SiP)，即将一些分立有源或无源器件模组化，并在封装体表面形成一层微米级的金属屏蔽层，即共形屏蔽(conformal shielding)，从而取代占用较多面积的传统屏蔽罩，进一步提升集成度。带共形屏蔽的封装需要有与传统屏蔽罩相当的屏蔽效能，其通过溅射或喷涂等工艺在封装体的顶部及侧面形成微米级的金属薄层，将电磁波束缚在封装体内部，极大地减小封装体内部向外辐射的电磁能量，从而使带共形屏蔽的模组的附近易受电磁干扰的敏感器件免受干扰。然而，低频电磁波(一般10MHz以下)由于在金属中的趋附深度大，导致微米级的金属屏蔽薄层对电磁波的吸收损耗小，导致共形屏蔽层在低频时屏蔽效能较低(共形屏蔽的屏蔽效能越大，代表屏蔽结构对封装内部向外辐射的电磁能量的抑制程度越大)。当前手机等终端设备中有许多SiP模组内部含有低频强干扰源，但现有的屏蔽结构对于低频电磁波的屏蔽效果十分有限，使得周围对低频敏感的器件易受干扰。

技术实现思路

[0003]本申请实施例第一方面提供了一种封装体，包括：
[0004]基板；
[0005]多个电子元器件，设置于所述基板上；
[0006]封装材料层，位于所述基板上且封装所述多个电子元器件；以及
[0007]低频屏蔽导电结构，嵌设在所述封装材料层中，所述低频屏蔽导电结构位于所述封装材料层远离所述基板的一侧且与所述多个电子元器件间隔，所述低频屏蔽导电结构具有多个通孔，至少部分通孔的每一个的开口面积小于1mm*1mm，所述低频屏蔽导电结构的厚度不低于10μm。
[0008]本申请具有多个微型的通孔的低频屏蔽导电结构能较好地屏蔽低频频段的电磁波，即不让电磁波从非导电区域(通孔)穿透出去；此外，为了保证低频(小于10MHz)的封装屏蔽效能，通过设置低频屏蔽导电结构的厚度不低于10μm，增大电磁波在低频屏蔽导电结构中的损耗程度，因此所述封装体整体呈现良好的低频电磁波的屏蔽效能。
[0009]本申请实施方式中，所述低频屏蔽导电结构的材质为具有电导率不低于5
×
106S/m或磁导率大于等于4π
×
10-7
H/m的导电材料。
[0010]所述高电导率和高磁导率的导电材料的选择能够进一步增大电磁波在低频屏蔽导电结构中的损耗程度。
[0011]本申请实施方式中，所述多个电子元器件包括发射低频电磁波的电子元器件，所
述低频的范围小于10MHz；所述低频屏蔽导电结构至少覆盖所述发射低频电磁波的电子元器件，且覆盖所述发射低频电磁波的电子元器件的区域为网状的。
[0012]所述低频屏蔽结构不一定要铺满整个封装体的顶部区域，其设置的区域至少覆盖发射低频电磁波的电子元器件。
[0013]本申请实施方式中，所述低频屏蔽导电结构中覆盖所述发射低频电磁波的电子元器件的区域的每一个通孔的开口面积小于1mm*1mm。
[0014]通过设置通孔的开口尺寸，使波长较长的低频电磁波无法从所述低频屏蔽导电结构的非导电区域(通孔)穿透出去。
[0015]本申请实施方式中，所述低频屏蔽导电结构的多个通孔为阵列排布。
[0016]所述通孔的排布方式不限于阵列排布，还可为不规律的排布，通孔的形状也不限，只要保证所述低频屏蔽导电结构覆盖所述发射低频电磁波的电子元器件的区域为网状的。
[0017]本申请实施方式中，所述封装材料层的外表面上还设置有共形屏蔽层，所述共形屏蔽层为微米级的导电薄层；所述低频屏蔽导电结构与所述共形屏蔽层连接。
[0018]所述共形屏蔽层一般为厚度不高于10微米的导电金属层；所述共形屏蔽层主要用于高频电磁波(一般高于10MHz)的屏蔽。
[0019]本申请实施方式中，所述低频屏蔽导电结构与所述共形屏蔽层之间还设置有一完整的导电薄层。
[0020]通过增加一层完整的导电薄层，可进一步提升封装体的低频电磁屏蔽效能。
[0021]本申请实施方式中，所述封装材料层中还嵌设有接地的导电隔墙，以将所述封装体分成至少两个腔室，从而减弱电磁波在不同腔室之间的耦合。
[0022]所述导电隔墙贯穿所述封装材料层，一端连接所述基板，以将所述封装体分成至少两个腔室，从而电磁波在腔室之间的耦合会大幅减弱，进而实现封装体的内部电子元器件之间的屏蔽。
[0023]本申请实施方式中，所述低频屏蔽导电结构远离所述基板的表面上覆盖有一完整的导电薄层。
[0024]通过增加一层完整的导电薄层，可进一步提升封装体的低频电磁屏蔽效能。
[0025]本申请实施例第二方面提供了一种封装体的制备方法，包括：
[0026]提供初始的封装体，所述初始的封装体包括基板、设置于所述基板上的多个电子元器件、以及位于所述基板上且封装所述多个电子元器件的封装材料层；
[0027]在所述封装材料层远离所述基板的一侧开设沟槽，所述沟槽的至少部分为呈网状，所述沟槽的深度不低于10μm且所述沟槽与所述多个电子元器件相间隔，所述沟槽的网状部分将所述封装材料层划分为间隔的多个单元，每一个单元的面积小于1mm*1mm；以及
[0028]在所述沟槽中形成导电材料以形成低频屏蔽导电结构。
[0029]所述封装体的制备方法工艺简单，较易实现。
[0030]本申请实施方式中，所述制备方法还包括在所述封装材料层的外表面形成共形屏蔽层，该共形屏蔽层与所述低频屏蔽导电结构接触。
[0031]所述共形屏蔽层一般为厚度不高于10微米的导电金属层；所述共形屏蔽层主要用于高频电磁波(一般高于10MHz)的屏蔽。
[0032]本申请实施方式中，所述制备方法还包括在所述低频屏蔽导电结构远离所述基板
的表面形成导电薄层。
[0033]通过增加一层完整的导电薄层，可进一步提升封装体的低频电磁屏蔽效能。
[0034]本申请实施方式中，在所述沟槽中形成的所述导电材料具有电导率不低于5
×
106S/m且磁导率大于等于4π
×
10-7
H/m。
[0035]所述高电导率和高磁导率的导电材料的选择能够进一步增大电磁波在低频屏蔽导电结构中的损耗程度。
[0036]本申请实施方式中，所述多个电子元器件包括发射低频电磁波的电子元器件，所述低频的范围小于10MHz，所述低频屏蔽导电结构至少覆盖所述发射低频电磁波的电子元器件，且所述低频屏蔽导电结构覆盖所述发射低频电磁波的电子元器件的区域为网状的；所述低频屏蔽导电结构的网状部分的每一个通孔的开口面积小于1mm*1mm。
[0037本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装体，其特征在于，包括：基板；多个电子元器件，设置于所述基板上；封装材料层，位于所述基板上且封装所述多个电子元器件；以及低频屏蔽导电结构，嵌设在所述封装材料层中，所述低频屏蔽导电结构位于所述封装材料层远离所述基板的一侧且与所述多个电子元器件间隔，所述低频屏蔽导电结构具有多个通孔，至少部分通孔的每一个的开口面积小于1mm*1mm，所述低频屏蔽导电结构的厚度不低于10μm。2.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述低频屏蔽导电结构的材质为具有电导率不低于5
×
106S/m或磁导率大于等于4π
×
10-7
H/m的导电材料。3.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述多个电子元器件包括发射低频电磁波的电子元器件，所述低频的范围小于10MHz；所述低频屏蔽导电结构至少覆盖所述发射低频电磁波的电子元器件，且覆盖所述发射低频电磁波的电子元器件的区域为网状的。4.根据权利要求3所述的封装体，其特征在于，所述低频屏蔽导电结构中覆盖所述发射低频电磁波的电子元器件的区域的每一个通孔的开口面积小于1mm*1mm。5.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述低频屏蔽导电结构的多个通孔为阵列排布。6.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述封装材料层的外表面上还设置有共形屏蔽层，所述共形屏蔽层为微米级的导电薄层；所述低频屏蔽导电结构与所述共形屏蔽层连接。7.根据权利要求6所述的封装体，其特征在于，所述低频屏蔽导电结构与所述共形屏蔽层之间还设置有一完整的导电薄层。8.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述封装材料层中还嵌设有接地的导电隔墙，以将所述封装体分成至少两个腔室，从而减弱电磁波在不同腔室之间的耦合。9.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述低频屏蔽导电结构远离所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张乐，郭学平，王惠娟，
申请(专利权)人：荣耀终端有限公司，
类型：发明
国别省市：