分区粗化引线框架及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种分区粗化引线框架及其制作方法，分区粗化引线框架包括平整区和粗化区，所述粗化区表面粗糙度大于所述平整区的表面粗糙度。通过一次或多次分区粗化的方法得到在表面不同作业区域具有不同粗糙度的引线框架，针对不同的作业区域分区粗化，解决产品封装制程中的不同粗化需求。利用等离子粗化的方法，使得粗化区的微小凹坑结构更加致密，粗化效果更加均匀，形成的凹坑尺寸相比于化学电镀工艺更大。等离子粗化工艺在引线框架制程后、封装制程之前进行，从而使得引线框架粗化工序可在封装厂进行，封装厂能够进一步灵活控制生产成本，并且有利于监控粗化质量。并且有利于监控粗化质量。并且有利于监控粗化质量。

【技术实现步骤摘要】
分区粗化引线框架及其制造方法


[0001]本专利技术涉及封装
，具体地涉及一种分区粗化引线框架及其制造方法。

技术介绍

[0002]常规半导体封装首先在高洁净度的环境中使用装片胶将芯片粘结到引线框架上，然后通过焊线焊接将芯片输出端连接到整条引线框架单元的对应引脚上，起到放大输出的目的，以上统称为组装。组装结束后，产品转入包封工序，使用环氧热固树脂将芯片、装片胶、金属线、引线框架内引脚等易受损的部分封装起来。
[0003]引线框架一般要通过粗化处理，目的是增加引线框架表面附着力以锁住塑封料，提升产品可靠性。而引线框架粗化都需要在引线框架厂实施，现有技术中对引线框架的粗化处理普遍采用的方法是使用化学粗化液进行粗化，采用化学粗化一般是对框架整体进行粗化，也就是对整个框架都会进行粗化，但是其粗化程度不均匀，其会在引线框架表面形成大大小小不同宽度和深度的凹坑，从而导致塑封料与引线框架的结合力不稳定。另一方面，引线框架的部分区域需要电镀银层以供焊线连接，而在焊线作业时对引线框架镀银层的平整度要求较高，就算通过电镀银层使得电镀区域中粗化形成的凹坑被镀银层金属进行了填充，其镀银层也仅仅只能填充凹坑的1/3～1/2不等，其还是无法达到焊线所要求的平整度要求，从而导致焊线作业异常。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种分区粗化引线框架及其制作方法。
[0005]本专利技术提供一种分区粗化引线框架，所述分区粗化引线框架具有相对的第一面和第二面，其包括多个基岛，分布于基岛周侧的管脚以及分别与所述基岛和所述管脚相连的支撑连筋，所述管脚包括朝向所述基岛设置的管脚前部以及与所述支撑连筋相连的管脚根部，所述分区粗化引线框架表面包括平整区和粗化区，所述粗化区表面粗糙度大于所述平整区的表面粗糙度。
[0006]作为本专利技术的进一步改进，所述分区粗化引线框架于所述粗化区表面形成有密集排列分布的凹坑，所述凹坑的宽度为1～5μm、深度为2～6μm。
[0007]作为本专利技术的进一步改进，在所述分区粗化引线框架第一面，所述管脚根部表面、所述基岛表面以及所述支撑连筋与所述基岛相连的部分表面区域为粗化区，所述分区粗化引线框架其余区域为平整区。
[0008]作为本专利技术的进一步改进，所述粗化区包括多个表面粗糙度不同的区域，分别为一次粗化区至N次粗化区，其中，N为大于等于2的整数。
[0009]作为本专利技术的进一步改进，所述分区粗化引线框架包括一次粗化区和二次粗化区，在所述一次粗化区，所述凹坑宽度为1～3μm、深度为1～3μm，在所述二次粗化区，所述凹坑宽度为3～5μm、深度为4～6μm。
[0010]作为本专利技术的进一步改进，在所述分区粗化引线框架第一面，所述基岛表面为一
次粗化区，所述基岛与所述支撑连筋两者相连的部分表面区域、所述管脚根部表面为二次粗化区，在所述分区粗化引线框架第二面，所述基岛表面边缘区域、所述管脚为二次粗化区，所述分区粗化引线框架其余区域为平整区。
[0011]本专利技术还提供一种分区粗化引线框架制作方法，包括步骤：
[0012]提供一引线框架；
[0013]覆盖遮蔽所述引线框架，并暴露出所述引线框架表面部分待粗化区域；
[0014]对所述引线框架表面暴露区域进行粗化处理，形成粗化区。
[0015]作为本专利技术的进一步改进，在所述引线框架第一面上，暴露管脚根部表面、基岛表面以及支撑连筋与所述基岛相连的部分表面区域为粗化区，所述分区粗化引线框架其余区域为平整区。
[0016]作为本专利技术的进一步改进，在“对所述引线框架表面暴露区域进行粗化处理”之后，还包括：
[0017]再次重复进行一次或多次下述步骤：
[0018]覆盖遮蔽所述引线框架，并暴露出所述引线框架表面部分待粗化区域；
[0019]对所述引线框架表面暴露区域进行粗化处理。
[0020]作为本专利技术的进一步改进，进行两次粗化处理分别形成一次粗化区和二次粗化区，在所述引线框架第一面上，暴露基岛表面为一次粗化区，暴露所述基岛与支撑连筋两者相连的部分表面区域、管脚根部表面为二次粗化区，在所述引线框架第二面上，暴露所述基岛表面边缘区域、管脚为二次粗化区。
[0021]作为本专利技术的进一步改进，“覆盖遮蔽所述引线框架，并暴露出所述引线框架表面部分待粗化区域”具体包括：
[0022]在引线框架表面贴覆感光膜；
[0023]曝光显影，为所述引线框架表面部分待粗化区域开窗；
[0024]通过显影药水去除未曝光区，暴露出所述引线框架表面部分待粗化区域。
[0025]作为本专利技术的进一步改进，“对所述引线框架表面暴露区域进行粗化处理”具体包括：
[0026]通过等离子气体对所述引线框架表面暴露区域进行粗化处理。
[0027]作为本专利技术的进一步改进，“通过等离子气体对所述引线框架表面暴露区域进行粗化处理”具体包括：
[0028]将所述引线框架置于反应腔体内，在所述反应腔体内通入氩气和氢气，启动等离子发生装置，使所述氩气形成等离子体；
[0029]调整等离子粗化射频功率和等离子粗化时间，对所述引线框架表面暴露区域进行粗化处理。
[0030]作为本专利技术的进一步改进，反应腔体内氩气和氢气体积百分含量为95％和5％，等离子粗化射频功率为450～1000W，等离子粗化时间为10～20s。
[0031]本专利技术的有益效果是：本专利技术通过一次或多次分区粗化的方法得到在表面不同作业区域具有不同粗糙度的引线框架，针对不同的作业区域分区粗化，解决产品封装制程中的不同粗化需求。利用等离子粗化的方法，使得粗化区的微小凹坑结构更加致密，粗化效果更加均匀，形成的凹坑尺寸相比于化学电镀工艺更大。等离子粗化工艺在引线框架制程后、
封装制程之前进行，从而使得引线框架粗化工序可在封装厂进行，封装厂能够进一步灵活控制生产成本，并且有利于监控粗化质量。
附图说明
[0032]图1是本专利技术实施例1中的分区粗化引线框架第一面的示意图。
[0033]图2是本专利技术实施例2中的分区粗化引线框架第一面的示意图。
[0034]图3是本专利技术实施例2中的分区粗化引线框架第二面的示意图。
[0035]图4是本专利技术实施例3中的分区粗化引线框架制作方法的步骤示意图。
[0036]图5是本专利技术实施例4中的分区粗化引线框架制作方法的步骤示意图。
具体实施方式
[0037]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
[0038]下面详细描述本专利技术的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分区粗化引线框架，所述分区粗化引线框架具有相对的第一面和第二面，其包括多个基岛，分布于基岛周侧的管脚以及分别与所述基岛和所述管脚相连的支撑连筋，所述管脚包括朝向所述基岛设置的管脚前部以及与所述支撑连筋相连的管脚根部，其特征在于，所述分区粗化引线框架表面包括平整区和粗化区，所述粗化区表面粗糙度大于所述平整区的表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的分区粗化引线框架，其特征在于，所述分区粗化引线框架于所述粗化区表面形成有密集排列分布的凹坑，所述凹坑的宽度为1～5μm、深度为2～6μm。3.根据权利要求2所述的分区粗化引线框架，其特征在于，在所述分区粗化引线框架第一面，所述管脚根部表面、所述基岛表面以及所述支撑连筋与所述基岛相连的部分表面区域为粗化区，所述分区粗化引线框架其余区域为平整区。4.根据权利要求2所述的分区粗化引线框架，其特征在于，所述粗化区包括多个表面粗糙度不同的区域，分别为一次粗化区至N次粗化区，其中，N为大于等于2的整数。5.根据权利要求4所述的分区粗化引线框架，其特征在于，所述分区粗化引线框架包括一次粗化区和二次粗化区，在所述一次粗化区，所述凹坑宽度为1～3μm、深度为1～3μm，在所述二次粗化区，所述凹坑宽度为3～5μm、深度为4～6μm。6.根据权利要求4所述的分区粗化引线框架，其特征在于，在所述分区粗化引线框架第一面，所述基岛表面为一次粗化区，所述基岛与所述支撑连筋两者相连的部分表面区域、所述管脚根部表面为二次粗化区，在所述分区粗化引线框架第二面，所述基岛表面边缘区域、所述管脚为二次粗化区，所述分区粗化引线框架其余区域为平整区。7.一种分区粗化引线框架制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一引线框架；覆盖遮蔽所述引线框架，并暴露出所述引线框架表面部分待粗化区域；对所述引线框架表面暴露区域进行粗化处理，形成粗化区。8.根据权利要求7所述的分区粗化引线框架制作方法，其特征在于，在所述引线框架第一面上，暴露...

【专利技术属性】
技术研发人员：王赵云，徐赛，
申请(专利权)人：长电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：