一种晶圆或SOI晶圆的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆或SOI晶圆的处理方法，该方法包括：提供一晶圆；所述晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；去除所述第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁。本发明专利技术通过对现有的干法刻蚀方法做出改进，改变其中的刻蚀角度，并选择刻蚀的离子注入角度，使四个区域的结的形成，在一次注入时即达到最佳化的效果，提高生产效率,整个刻蚀工艺缩短为两次离子注入。生产效率,整个刻蚀工艺缩短为两次离子注入。生产效率,整个刻蚀工艺缩短为两次离子注入。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆或SOI晶圆的处理方法


[0001]本专利技术涉及芯片生产
，尤其涉及一种晶圆或SOI晶圆的处理方法及芯片、装置。

技术介绍

[0002]刻蚀是半导体光电子器件制备过程中一项重要工艺，其目的是通过物理或化学的方法从半导体材料晶片表面选择性地去除材料以形成所需台面或图形。刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种。干法刻蚀的图形精度和各向异性度都较高，且各项参数的可控性较好；湿法刻蚀具有良好的可重复性，具有操作简单、刻蚀速率快、无毒或低毒、良好的可重复性等优点。
[0003]光检测器是硅光子集成电路接收端中相当重要的一个组件。在光检测器的发展上，大致有两种不同的想法，一种是把三五族材料直接贴在绝缘层上覆硅 (SOI)基板上面，另一个重要的发展就是把三五族材料以PiN锗取代,本专利技术是基于后者。
[0004]该光检测器的结构是包括了一锗波导及在侧壁形成的PIN结，工作原理就是经由波导传播过来的光讯号，在锗发生了光转换成电的效应，产生的电子再由PIN结连接的金属传导出去,金属与结需是欧姆接触，以达电的最佳传导效能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆或SOI晶圆的处理方法，其特征在于，该方法包括：提供一晶圆；所述晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；去除所述第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；去除所述第二光刻胶；涂覆第三光刻胶，覆盖所述P型侧壁、所述第一欧姆接触区；对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；去除所述第三光刻胶；其中，0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β
‑
α1)≤75度；60度≤(β
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α2)≤75度；或者，提供一晶圆；所述晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；去除所述第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区；对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；去除所述第二光刻胶；涂覆第三光刻胶，覆盖所述N型侧壁、所述第二欧姆接触区；对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；去除所述第三光刻胶；其中，0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β
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α1)≤75度；60度≤(β
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α2)≤75度；或者，提供一具有锗外延或锗硅外延的晶圆；所述锗外延或所述锗硅外延表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；去除所述第一光刻胶；
涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；去除所述第二光刻胶；涂覆第三光刻胶，覆盖已形成的所述P型侧壁、所述第一欧姆接触区；对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；去除所述第三光刻胶；其中，0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β
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α1)≤75度；60度≤(β
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α2)≤75度；或者，提供一具有锗外延或锗硅外延的晶圆；所述锗外延或所述锗硅外延表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；去除所述第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区；对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；去除所述第二光刻胶；涂覆第三光刻胶，覆盖所述N型侧壁、所述第二欧姆接触区；对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；去除所述第三光刻胶；其中，0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β
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α1)≤75度；60度≤(β
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α2)≤75度；或者，提供一SOI晶圆；所述SOI晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；去除所述第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；去除所述第二光刻胶；涂覆第三光刻胶，覆盖所述P型侧壁、所述第一欧姆接触区；对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N
型的侧壁；去除所述第三光刻胶；其中，0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β
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α1)≤75度；60度≤(β
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α2)≤75度；或者，提供一SOI晶圆；所述SOI晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；去除所述第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚正致，李超翰，廖世容，
申请(专利权)人：浙江光特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：