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本发明公开了一种晶圆或SOI晶圆的处理方法，该方法包括：提供一晶圆；所述晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区...
该专利属于浙江光特科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江光特科技有限公司授权不得商用。

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