一种单晶炉的铱坩埚加热装置和单晶生长的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种单晶炉的铱坩埚加热装置和单晶生长的方法，涉及直拉单晶设备技术领域，其中，一种单晶炉的铱坩埚加热装置，包括：保温装置，保温装置具有空腔，空腔用于坩埚的放置；第一感应线圈，第一感应线圈用于坩埚的加热；加热组件，包括第二感应线圈和加热片，加热片设于第二感应线圈内，第二感应线圈套设于保温装置的外壁，加热片置于坩埚底部。该坩埚加热装置可以有效解决因原料与坩埚发生反应等原因产生的漂浮物对单晶生长的影响，有效提高单晶生长效率；同时相比于传统的采用机械传动装置去除漂浮物的方法，该坩埚加热装置，由于有效避免了因机械传动装置除渣过程中对熔体温度分布的影响，故无需对热场进行再次的调节，简化了操作步骤，进一步提高了单晶生长效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉的铱坩埚加热装置和单晶生长的方法


[0001]本专利技术涉及直拉单晶设备
，具体涉及一种单晶炉的铱坩埚加热装置和单晶生长的方法。

技术介绍

[0002]直拉法是一种从熔体中制备大尺寸高质量单晶的传统单晶生长方法，常见晶体如硅单晶、锗单晶、蓝宝石、YAG(钇铝石榴石,Yttrium Aluminum Garnet)等通常采用直拉法进行单晶生长。采用直拉法生长单晶时，将晶体原料在坩埚中加热熔化，精确控制炉内温度分布，并将籽晶浸入熔体使籽晶与熔体间存在合适的温度梯度，以一定的速率提拉、旋转使熔体不断在固液界面处结晶。直拉法具有单晶生长尺寸大、生长过程可视、单晶缺陷少等优点，并且方法简单易行，易实现工业化生产。
[0003]采用直拉法生长部分氧化物单晶时，常使用铱坩埚作为熔体容器。然而，晶体原料在坩埚中加热熔化后，往往会在熔体表面形成漂浮物，影响晶体生长。而出现漂浮物的原因通常是由于原料本身含有杂质，或者原料与坩埚发生反应使熔体中引入杂质。例如氧化镓(β
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Ga2O3)单晶，采用直拉法进行单晶生长时通常使用贵金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉的铱坩埚加热装置，其特征在于，包括：保温装置，所述保温装置具有空腔，所述空腔用于坩埚的放置；第一感应线圈，所述第一感应线圈用于坩埚的加热；加热组件，所述加热组件包括第二感应线圈和加热片，所述加热片设于第二感应线圈内，所述第二感应线圈套设于保温装置的外壁，所述加热片置于坩埚底部。2.根据权利要求1所述的单晶炉的铱坩埚加热装置，其特征在于，所述保温装置包括保温套筒和保温底座，所述保温套筒设于所述保温底座上，所述第一感应线圈套设于所述保温套筒的外壁，所述第二感应线圈套设于所述保温底座外壁，所述加热片设于所述保温底座上。3.根据权利要求2所述的单晶炉的铱坩埚加热装置，其特征在于，所述保温底座包括基体和盖板，所述基体与所述盖板可拆卸连接。4.根据权利要求3所述的单晶炉的铱坩埚加热装置，其特征在于，所述盖板上贯穿设有通孔。5.根据权利要求1
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4任意一项所述的单晶炉的铱坩埚加热装置，其特征在于，所述加热片包括本体，所述本体表面上设有中心凸台，所述中心凸台用于与坩埚底部的中心位置相接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：张辉，吴丹，夏宁，马可可，王嘉斌，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：