一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法技术

本发明专利技术涉及MEMS压力传感器技术领域,公开了一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，包括制作敏感结构，敏感结构内设有第一容腔和第二容腔；在敏感结构的顶部在第一容腔的顶面的区域和在第二容腔的顶面的区域分别制作压敏电阻，使用时，第一容腔处的压敏电阻在测量环境中输出第一检测信号，该信号包含压力信号和残余应力引入的误差信号，第二容腔处的压敏电阻在正常气压下输出第二检测信号，该信号仅包含残余应力引入的误差信号，将第二检测信号补偿第一检测信号得到MEMS压力传感器芯片的实际检测信号，消除了芯片结构残余应力和封装残余应力对MEM压力传感器芯片的影响，降低了输出漂移，使压力传感器具有较高的测量准确性和稳定性。的测量准确性和稳定性。的测量准确性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法


[0001]本专利技术涉及MEMS压力传感器
，具体涉及一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法。

技术介绍

[0002]MEMS压力传感器具有体积小、重量轻、成本低、线性度好、重复性高、可靠性高等特点，是当前压力传感器发展的主流方向，将替代传统各式压力传感器。MEMS压力传感器通常具有一个相对较薄的硅压力敏感膜，可在压力作用下发生形变。敏感膜上通过离子注入形成压敏电阻，压敏电阻可以检测到敏感膜在压力作用下的形变大小，相应的，检测出压力的大小。
[0003]在外界压力、温度等条件都不变的情况下，理论上MEMS压力传感器的输出值是稳定的。然而，实际上，随着时间的推移，MEMS压力传感器的输出值会出现漂移。在造成MEMS压力传感器输出随着时间逐渐漂移的原因中，芯片中残余应力释放不完全是最主要的原因。
[0004]残余应力一方面来自于芯片结构制作时的键合工艺。目前常见的键合方式为阳极键合和硅硅键合。阳极键合不但需要高温(通常为300～500℃)，还需加载高电压(一般为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制作敏感结构，所述敏感结构内设有第一容腔和第二容腔；S2：在所述敏感结构的顶部在第一容腔的顶面的区域和在第二容腔的顶面的区域分别制作压敏电阻；S3：在所述敏感结构的顶部制作介质层，在所述介质层上制作引线孔，在所述介质层的上表面上制作金属引线，所述金属引线通过所述引线孔与所述压敏电阻的接线端电连接；S4：在所述介质层和金属引线上制作钝化层，在所述钝化层上通过刻蚀制作金属PAD，所述金属PAD用于所述MEMS压力传感器芯片信号的引出；S5：在所述第二容腔的顶面的上方制作导气孔，所述第二容腔通过所述导气孔与外界连通。2.根据权利要求1所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤S1具体如下：S10：对第一硅片进行氧化，生成一层氧化层；S11：通过光刻工艺在第一硅片的底部定义出热隔离腔的位置；S12：通过蚀刻工艺蚀刻出所述热隔离腔；S13：去除所述氧化层；S14：对第二硅片进行氧化，生成一层第二氧化层；S15：在所述第二氧化层上制作氮化硅层；S16：通过光刻工艺在所述氮化硅层上定义出第一容腔和第二容腔图形；S17：使用蚀刻工艺蚀刻出所述第一容腔和第二容腔；S18：去除所述氮化硅层和第二氧化层；S19：将所述第一硅片的顶部与所述第二硅片的底部通过硅硅键合工艺键合在一起。3.根据权利要求2所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤S11还包括在第一硅片的顶部定义出导压通道的位置，步骤S12还包括蚀刻出所述导压通道，所述第一容腔通过所述导压通道与所述第二容腔连通。4.根据权利要求1所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪祖民，
申请(专利权)人：龙微科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：