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本发明涉及MEMS压力传感器技术领域,公开了一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，包括制作敏感结构，敏感结构内设有第一容腔和第二容腔；在敏感结构的顶部在第一容腔的顶面的区域和在第二容腔的顶面的区域分别制作压敏电阻，使用时，第一...
该专利属于龙微科技无锡有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过龙微科技无锡有限公司授权不得商用。

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