一种高性能低B高Ga烧结Re-Fe-B的制备方法技术

本发明专利技术涉及永磁材料技术领域，尤其涉及一种高性能低B高Ga烧结Re

【技术实现步骤摘要】
一种高性能低B高Ga烧结Re
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Fe
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B的制备方法


[0001]本专利技术涉及永磁材料
，尤其涉及一种高性能低B高Ga烧结Re
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Fe
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B的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，烧结Nd
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Fe
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B是人类迄今为止发现的具有最高能量密度的、已大规模商品化的永磁体。自发现以来被广泛应用于计算机硬盘、混合动力汽车、医疗、风力发电等许多领域，其应用范围和产量在逐年增加，尤其是新能源汽车领域。
[0003]近年来，烧结Re
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Fe
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B磁体研发主要分两个方向：一是高性能；二是低成本。随着烧结Re
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Fe
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B磁体在风力发电、新能源汽车和节能家电等低碳经济领域的应用，兼具高磁能积和高矫顽力的双高特性的烧结Re
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Fe
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B磁体成为一个重要的研究方向。
[0004]如专利文献CN102592775B公布了一种高性能钕本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能低B高Ga烧结Re
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Fe
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B的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:S1:首先采用速凝工艺制成Re
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Fe
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B
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M合金速凝片，其中Re选自Nd、Pr、Dy和Tb中的一种或者一种以上，其总稀土量为29wt%～31wt%；其中M选自Cr、Co、Ni、Ga、Cu、Al、Zr、Nb、Ti中的两种或两种以上，其总量为1.63wt%～2.81wt%；其中Ga总量为0.3wt%～0.7wt%；其中B总量为0.89wt%～0.94wt%，余量为Fe；S2:将步骤S1中得到的合金速凝片进行氢化；S3:将步骤S2中得到的氢化粉加入添加剂，然后用气流磨制成2um～5.5um的粉体颗粒；S4:将步骤S3中得到的粉体颗粒加入添加剂后进行混匀；S5:采用自动压制的方式进行分段磁场取向:将步骤S4中得到的粉体颗粒压制成型，在压制取向时先正向充磁、上冲下压，到达位置后，停止下压，反向充磁，然后再进行正向充磁继续下压，其中正向充磁的正向磁场大于1.4T，反向磁场为0.3T~0.45T,反向充磁位置为0.2h~0.35h，压制取向时采用Ar气或N2气进行保护；S6:将...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志学，曹利军，李绍芳，李小明，李勇，洪春利，王浩颉，韩雪，
申请(专利权)人：北京中科三环高技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：