一种棒状氧化钨及其等离子体辅助生长制备方法技术

本发明专利技术公开了一种棒状氧化钨及其等离子体辅助生长制备方法，该方法包括：一、将钨箔清洗后放置于真空装置中，然后采用氦等离子体进行辐照处理，得到纳米结构钨丝；二、继续向真空装置中通入氧气至气压稳定，然后对纳米结构钨丝加热并保温得到棒状W

【技术实现步骤摘要】
一种棒状氧化钨及其等离子体辅助生长制备方法


[0001]本专利技术属于纳米金属氧化物材料制备
，具体涉及一种棒状氧化钨及其等离子体辅助生长制备方法。

技术介绍

[0002]氧化钨已经广泛地应用于电致变色、超级电容器、光催化、气体传感等领域。如氧化钨在低pH值下具有高化学稳定性以及优异的电导率，氧化钨有合适的半导体禁带宽度，它能吸收约12%的太阳光谱，通过引入氧空位还能吸收更多的太阳能，氧化钨的电子传输速率比氧化钛更快可作为优异的电极材料，电致变色器件和超级电容器的应用主要也是归因于它良好的电荷储存/输送性能；含有氧缺陷的氧化钨在近红外光区具有强烈的吸收和良好的光热转换效应，也是一种用于光热疗法的新兴材料。
[0003]目前报道的纳米级氧化钨绝大部分为溶剂热法制备而成，制备过程长，工艺复杂，需要各种酸、醇等有机溶剂在液相中进行化学反应，且制备的氧化钨质量稳定性难以控制，最重要的是该制备方法对环境不友好，有二次污染。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种棒状氧化钨的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种棒状氧化钨的等离子体辅助生长制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、将钨箔清洗后放置于真空装置中，然后采用氦等离子体进行辐照处理，得到纳米结构钨丝；步骤二、继续向步骤一中的真空装置中通入氧气至气压稳定，然后对得到的纳米结构钨丝进行加热并保温，得到棒状W
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。2.根据权利要求1所述的一种棒状氧化钨的等离子体辅助生长制备方法，其特征在于，步骤一中所述采用氦等离子体对钨箔的辐照处理剂量不小于5
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ions/m2。3.根据权利要求2所述的一种棒状氧化钨...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘璐，张于胜，潘晓龙，孙国栋，郑富凯，田丰，李海亮，
申请(专利权)人：西安稀有金属材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：