System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 铝硅合金表面微弧氧化涂层及其制备方法技术_技高网

铝硅合金表面微弧氧化涂层及其制备方法技术

技术编号:41147904 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-30 18:15
本公开提供了一种铝硅合金表面微弧氧化涂层的制备方法和铝硅合金表面微弧氧化涂层,涉及材料技术领域。该铝硅合金表面微弧氧化涂层的制备方法包括:将目标铝硅合金浸入第一微弧氧化电解液中,以在目标铝硅合金的表面上生成中间微弧氧化涂层,中间微弧氧化涂层具有孔隙;将表面上生成有中间微弧氧化涂层的目标铝硅合金浸入第二微弧氧化电解液中,以在目标铝硅合金的表面上生成针对孔隙具有自封孔结构的目标微弧氧化涂层。本公开可以提升微弧氧化涂层的耐腐蚀性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及材料,具体而言,涉及一种铝硅合金表面微弧氧化涂层的制备方法和铝硅合金表面微弧氧化涂层。


技术介绍

1、铝硅合金具有比强度高、铸造性能好、易加工成型等优点,广泛用于航空航天、船舶、汽车等工业领域。但铝在空气中形成的氧化膜很薄,在酸性或碱性环境下,该合金容易被腐蚀破坏。微弧氧化是一种能在金属表面原位生长陶瓷膜的表面技术,其致密的陶瓷膜能有效阻挡外界环境中的腐蚀介质向基体的渗透,是目前提升铝合金耐腐蚀性最为有效的方法之一。

2、然而,铝硅合金在微弧氧化过程中,由于基体中硅的存在,会造成表面缺陷增多,使得电流不易导通,导致起弧困难,并且在高压条件下膜层容易击穿,从而破坏膜层的耐蚀性。因此,传统微弧氧化工艺制备的铝硅合金微弧氧化涂层表面缺陷多,孔隙率高,耐蚀性较差。

3、需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种铝硅合金表面微弧氧化涂层的制备方法和铝硅合金表面微弧氧化涂层,进而至少在一定程度上克服铝硅合金微弧氧化涂层耐腐蚀性能差的问题。

2、根据本公开的第一方面,提供了一种铝硅合金表面微弧氧化涂层的制备方法,包括:将目标铝硅合金浸入第一微弧氧化电解液中,以在目标铝硅合金的表面上生成中间微弧氧化涂层,中间微弧氧化涂层具有孔隙;将表面上生成有中间微弧氧化涂层的目标铝硅合金浸入第二微弧氧化电解液中,以在目标铝硅合金的表面上生成针对孔隙具有自封孔结构的目标微弧氧化涂层。

3、可选地,第一微弧氧化电解液包含成膜促进剂、增厚剂和氢氧化钠。

4、可选地,成膜促进剂包含硅酸盐、磷酸盐中的一种或两种的混合,增厚剂为钨酸钠;其中,磷酸盐为磷酸钠、六偏磷酸钠、三聚磷酸钠中的一种或多种的混合。

5、可选地,在成膜促进剂包含硅酸盐和磷酸盐的情况下,对于第一微弧氧化电解液,硅酸盐的浓度为10g/l至20g/l,磷酸盐的浓度为3g/l至10g/l,钨酸钠的浓度为3g/l至10g/l,氢氧化钠的浓度为1g/l至5g/l。

6、可选地,生成中间微弧氧化涂层的微弧氧化工艺参数包括:电源设置为恒流模式,正向电流密度为3a/dm2至10a/dm2,负向电流密度为0.3a/dm2至1a/dm2,工作频率为200hz至2000hz,占空比为10%至30%,处理时间为10min至20min。

7、可选地,第二微弧氧化电解液包含磷酸盐、碳酸锆铵、聚乙二醇、放电调节剂和氢氧化钠;其中,磷酸盐为磷酸钠、六偏磷酸钠、三聚磷酸钠中的一种或多种的混合,放电调节剂为柠檬酸钠、乙二胺四乙酸二钠中的一种或两种的混合。

8、可选地,对于第二微弧氧化电解液,磷酸盐的浓度为5g/l至15g/l,碳酸锆铵的浓度为10g/l至40g/l,聚乙二醇的浓度为5g/l至10g/l,放电调节剂的浓度为5g/l至10g/l,氢氧化钠的浓度为1g/l至5g/l。

9、可选地,生成目标微弧氧化涂层的微弧氧化工艺参数包括:电源设置为恒压模式,正向电压为350v至550v,负向电压为20v至50v,工作频率为200hz至2000hz,占空比为10%至30%,处理时间为5min至15min。

10、可选地,制备方法还包括:对原始铝硅合金的表面依次进行打磨、清洗和烘干处理,以得到目标铝硅合金。

11、根据本公开的第二方面,提供了一种铝硅合金表面微弧氧化涂层,该铝硅合金表面微弧氧化涂层由采用上述任一种制备方法制备出。

12、在本公开实施方式的示例性方案中,通过二次微弧氧化过程,形成了自封孔的微弧氧化涂层,相比于传统工艺,本公开方案可以降低涂层的孔隙率,显著地提升了涂层的耐腐蚀性能。

13、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铝硅合金表面微弧氧化涂层的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一微弧氧化电解液包含成膜促进剂、增厚剂和氢氧化钠。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述成膜促进剂包含硅酸盐、磷酸盐中的一种或两种的混合,所述增厚剂为钨酸钠;

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在所述成膜促进剂包含硅酸盐和磷酸盐的情况下,对于所述第一微弧氧化电解液,所述硅酸盐的浓度为10g/L至20g/L,所述磷酸盐的浓度为3g/L至10g/L,所述钨酸钠的浓度为3g/L至10g/L,所述氢氧化钠的浓度为1g/L至5g/L。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法,其特征在于,生成所述中间微弧氧化涂层的微弧氧化工艺参数包括:电源设置为恒流模式,正向电流密度为3A/dm2至10A/dm2,负向电流密度为0.3A/dm2至1A/dm2,工作频率为200Hz至2000Hz,占空比为10%至30%,处理时间为10min至20min。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第二微弧氧化电解液包含磷酸盐、碳酸锆铵、聚乙二醇、放电调节剂和氢氧化钠;

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,对于所述第二微弧氧化电解液,所述磷酸盐的浓度为5g/L至15g/L,所述碳酸锆铵的浓度为10g/L至40g/L,所述聚乙二醇的浓度为5g/L至10g/L,所述放电调节剂的浓度为5g/L至10g/L,所述氢氧化钠的浓度为1g/L至5g/L。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法,其特征在于,生成所述目标微弧氧化涂层的微弧氧化工艺参数包括:电源设置为恒压模式,正向电压为350V至550V,负向电压为20V至50V,工作频率为200Hz至2000Hz,占空比为10%至30%,处理时间为5min至15min。

9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:

10.一种铝硅合金表面微弧氧化涂层,其特征在于,利用权利要求1至9中任一项所述的铝硅合金表面微弧氧化涂层的制备方法制备出。

...

【技术特征摘要】

1.一种铝硅合金表面微弧氧化涂层的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一微弧氧化电解液包含成膜促进剂、增厚剂和氢氧化钠。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述成膜促进剂包含硅酸盐、磷酸盐中的一种或两种的混合,所述增厚剂为钨酸钠;

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在所述成膜促进剂包含硅酸盐和磷酸盐的情况下,对于所述第一微弧氧化电解液,所述硅酸盐的浓度为10g/l至20g/l,所述磷酸盐的浓度为3g/l至10g/l,所述钨酸钠的浓度为3g/l至10g/l,所述氢氧化钠的浓度为1g/l至5g/l。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法,其特征在于,生成所述中间微弧氧化涂层的微弧氧化工艺参数包括:电源设置为恒流模式,正向电流密度为3a/dm2至10a/dm2,负向电流密度为0.3a/dm2至1a/dm2,工作频率为200hz至2000hz,占空比为10%至30%,处理时间为10min至20min。...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩东江海霞陈俐蔓邱龙时胡小刚王若云
申请(专利权)人:西安稀有金属材料研究院有限公司
类型:发明
国别省市:

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