掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供能够制造出可提高对ArF准分子激光的曝光光的相移效果、同时能够确保曝光边缘、光学性能良好的相移掩模的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板上具备相移膜，其中，相移膜含有铪、硅及氧，相移膜中的铪的含量相对于铪及硅的合计含量以原子％计的比率为0.4以上，相移膜在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为2.5以上，相移膜在曝光光的波长下的消光系数k为0.30以下。的消光系数k为0.30以下。的消光系数k为0.30以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及相移掩模用的掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工序中，使用光刻法进行微细图案的形成。另外，该微细图案的形成中通常要使用多片的转印用掩模。进行半导体器件的图案的微细化时，除了在转印用掩模形成的掩模图案的微细化以外，还需要使光刻中使用的曝光光源的波长短波长化。近年来，制造半导体装置时的曝光光源采用ArF准分子激光(波长193nm)的情况逐渐增加。
[0003]作为转印用掩模的一种，包括半色调型相移掩模。作为半色调型相移掩模的掩模坯料，以往以来已知有具有在透光性基板上层叠有由含有硅及氮的材料形成的相移膜、由铬类材料形成的遮光膜、由无机类材料形成的蚀刻掩模膜(硬掩模膜)的结构的掩模坯料。在使用该掩模坯料制造半色调型相移掩模的情况下，首先，将形成于掩模坯料表面的抗蚀图案作为掩模，通过利用氟类气体的干法蚀刻对蚀刻掩模膜进行图案化，接下来，将蚀刻掩模膜作为掩模，通过利用氯与氧的混合气体的干法蚀刻对遮光膜进行图案化，进一步将遮光膜的图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，所述相移膜含有铪、硅及氧，所述相移膜中的铪的含量相对于铪及硅的合计含量以原子％计的比率为0.4以上，所述相移膜在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为2.5以上，所述相移膜在所述曝光光的波长下的消光系数k为0.30以下。2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述相移膜在所述曝光光的波长下的折射率n为2.9以下。3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，所述相移膜在所述曝光光的波长下的消光系数k为0.05以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的掩模坯料，其中，所述相移膜的氧的含量为60原子％以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的掩模坯料，其中，所述相移膜的膜厚为65nm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的掩模坯料，其中，所述相移膜中的铪、硅及氧的合计含量为90原子％以上。7.根据权利要求1～6中任一项所述的掩模坯料，其中，所述相移膜具有下述功能：使所述曝光光以20％以上的透射率透过的功能、和使透过所述相移膜后的所述曝光光和仅在与所述相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的所述曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差的功能。8.根据权利要求1～7中任一项所述的掩模坯料，其在所述相移膜上具备遮光膜。9.一种相移掩模，其在透光性基板上具备具有转印图案的相移膜，所述相移膜含有铪、硅及氧，所述相移膜中的铪的含...

【专利技术属性】
技术研发人员：前田仁，野泽顺，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：