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掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法技术
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文档序号:32808431
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本发明提供能够制造出可提高对ArF准分子激光的曝光光的相移效果、同时能够确保曝光边缘、光学性能良好的相移掩模的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板上具备相移膜,其中,相移膜含有铪、硅及氧,相移膜中的铪的含量相对于铪及硅的合计含量以原子%计的比...
该专利属于HOYA株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过HOYA株式会社授权不得商用。
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