一种P型单晶硅制绒方法技术

技术编号:32806477 阅读:28 留言:0更新日期:2022-03-26 19:59
本发明专利技术涉及一种P型单晶硅制绒方法,包括如下步骤:(1)将水洗过的P型单晶硅片采用制绒混合溶液进行第一次制绒,所述第一次制绒混合溶液按体积比计,以碱:添加剂:水按3.2

【技术实现步骤摘要】
一种P型单晶硅制绒方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池的制备
,具体涉及一种制备太阳能电池工艺中的制绒方法。
[0002]技术背景:晶硅太阳能电池片制作流程主要分为:制绒、扩散制结、周边刻蚀、背面钝化、沉积减反射膜、丝网印刷/烧结等步骤。制绒工艺主要目的是在硅片表面形成起伏不平的绒面,增加对太阳光的吸收,减少光的反射损失,提高短路电流(Isc),同时增加硅片表面积,进而增加PN结面积,提高转换效率。
[0003]现有制绒技术中一步制绒方式已相当成熟,令硅片经过碱、添加剂和水的混合液腐蚀,形成起伏不平的绒面状态,达到降低反射率,提高效率的目的。但是一次制绒难以控制反应速率,得到的绒面不均匀,反射率仍偏高不稳定,一般制绒后反射率在10%~13%波动。
[0004]随着晶硅电池的快速发展及技术升级,二次制绒得到了飞快的发展,例如201110113900.3,201410123902.4等,但其一般都采用铬酸制绒,其对制绒溶液、配方、腐蚀温度,腐蚀时间等,均无法获得很好的突破,从而获得均匀的绒面。
专利技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种P型单晶硅制绒方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将水洗过的P型单晶硅片采用制绒混合溶液进行第一次制绒,所述第一次制绒混合溶液按体积比计,以碱:添加剂:水按3.2

4:1:140

160比例配比,控制混合溶液温度80℃
±
2℃,腐蚀时间230

245秒,初步形成金字塔结构绒面;(2)将上述硅片进行第二次制绒,第二次制绒混合溶液按体积比计,以碱:添加剂:水按1:1.5

2.0:260

280比例配比,控制混合溶液温度80℃
±
2℃,腐蚀110

130秒,对一次制绒得到的金字塔进行修饰;(3)对多晶硅太阳能电池片进行清...

【专利技术属性】
技术研发人员:李秋良陈正飞徐春
申请(专利权)人:江苏顺风新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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