一种电机驱动H桥电路制造技术

一种电机驱动H桥电路，包括：第一正转支路、第一反转支路、第二正转支路、第二反转支路、双通道MOS管Q2、双通道MOS管Q3和MCU控制模块，双通道MOS管Q2的D1/D2极与电机正极连接，双通道MOS管Q3的D1/D2极与电机负极连接，双通道MOS管Q2的S2极和双通道MOS管Q3的S2极与电能输入端V+连接，双通道MOS管Q2的S1极和双通道MOS管Q3的S1极串联一电阻R33后接地；第一正转支路与双通道MOS管Q2的G2极、MCU控制模块连接，第二正转支路与双通道MOS管Q3的G1极、MCU控制模块连接，第一反转支路与双通道MOS管Q3的G2极、MCU控制模块连接，第二反转支路与双通道MOS管Q2的G1极、MCU控制模块连接。本发明专利技术采用两个双通道MOS管实现电机正反转、调速、刹车功能，体积更小在小空间应用有很大优势。体积更小在小空间应用有很大优势。体积更小在小空间应用有很大优势。

【技术实现步骤摘要】
一种电机驱动H桥电路


[0001]本专利技术属于驱动电路领域，具体涉及一种电机驱动H桥电路。

技术介绍

[0002]目前升降桌控制器越来越小型化，对控制电路的集成化也越来越高，在升降桌控制电路中，电机驱动电路是至关重要的部分，其直接影响到桌子的升降性能，目前的电机驱动电路常见的是由四个三极管与一个电机组成的H桥形电路，体积较大，在小空间内难以发挥。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本专利技术提供一种电机驱动H桥电路。
[0004]本专利技术采用如下技术方案：一种电机驱动H桥电路，包括：第一正转支路、第一反转支路、第二正转支路、第二反转支路、双通道MOS管Q2、双通道MOS管Q3和MCU控制模块，所述双通道MOS管Q2的D1/D2极与电机正极连接，所述双通道MOS管Q3的D1/D2极与电机负极连接，所述双通道MOS管Q2的S2极和双通道MOS管Q3的S2极均与电能输入端V+连接，所述双通道MOS管Q2的S1极和双通道MOS管Q3的S1极串联一电阻R33后接地；所述第一正转支路分别与双通道MOS管Q2的G2极以及MCU控制模块连接，所述第一正转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q2的S2极与D2极的通断；所述第二正转支路分别与双通道MOS管Q3的G1极以及MCU控制模块连接，所述第二正转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q3的S1极与D1极的通断；所述第一反转支路分别与双通道MOS管Q3的G2极以及MCU控制模块连接，所述第一反转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q3的S2极与D2极的通断；所述第二反转支路分别与双通道MOS管Q2的G1极以及MCU控制模块连接，所述第二反转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q2的S1极与D1极的通断。
[0005]可选地，所述第一正转支路包括：电阻R17、电阻R18、三极管Q6和电阻R19，所述电阻R17一端与MCU控制模块的第一PWM引脚U25连接，所述电阻R17另一端与三极管Q6的B极连接，所述电阻R18两端分别与三极管Q6的B极、E极连接，所述三极管Q6的E极接地，所述三极管Q6的C极与电阻R19串联后与双通道MOS管Q2的G2极连接。
[0006]可选地，所述第二正转支路包括：电阻R16、电阻R29、三极管Q12、三极管Q10、三极管Q11、电阻R30、电阻R14和电阻R27，所述电阻R16一端连接第二PWM引脚U5，所述电阻R16另一端与三极管Q12的B极连接，所述电阻R29两端分别与三极管Q12的B极、E极连接，所述三极管Q12的E极接地，所述三极管Q12的C极分别与三极管Q10的B极、三极管Q11的B极、电阻R14、电阻R27连接，所述三极管Q10的C极接入12V电压后与电阻R14的另一端连接，所述三极管Q10的E极分别与三极管Q11的C极、电阻R27的另一端、电阻R30连接，所述三极管Q11的E极接地，所述电阻R30的另一端与双通道MOS管Q3的G1极连接，所述三极管Q10、三极管Q12为NPN
型三极管，三极管Q11为PNP型三极管。
[0007]可选地，所述第一反转支路包括：电阻R21、电阻R22、三极管Q7和电阻R23，所述电阻R21一端与MCU控制模块的第三PWM引脚U27连接，所述电阻R21另一端与三极管Q7的B极连接，所述电阻R22两端分别与三极管Q7的B极、E极连接，所述三极管Q7的E极接地，所述三极管Q7的C极与电阻R23串联后与双通道MOS管Q3的G2极连接。
[0008]可选地，所述第二反转支路包括：电阻R25、电阻R26、三极管Q13、三极管Q8、三极管Q9、电阻R12、电阻R13和电阻R15，所述电阻R25一端连接第四PWM引脚U26，所述电阻R25另一端与三极管Q13的B极连接，所述电阻R26两端分别与三极管Q13的B极、E极连接，所述三极管Q13的E极接地，所述三极管Q13的C极分别与三极管Q8的B极、三极管Q9的B极、电阻R13、电阻R15连接，所述三极管Q8的C极接入12V电压后与电阻R13的另一端连接，所述三极管Q8的E极分别与三极管Q9的C极、电阻R15的另一端、电阻R12连接，所述三极管Q9的E极接地，所述电阻R12的另一端与双通道MOS管Q2的G1极连接，所述三极管Q8、三极管Q13为NPN型三极管，三极管Q9为PNP型三极管。
[0009]可选地，所述MCU控制模块是型号为MT32F006C6XA FQN28的控制芯片。
[0010]本专利技术的有益效果在于，本专利技术的电机驱动H桥电路，采用两个双通道MOS管，可以实现电机正反转、PWM调速、刹车功能，相较于传统电路的4个MOS管，体积更小，在小空间的应用有很大优势，采用本专利技术的电机驱动H桥电路可以把控制器集成在手柄上。
附图说明
[0011]图1为本专利技术电路结构示意图；图2为本专利技术MCU控制模块引脚示意图。
具体实施方式
[0012]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0013]实施例一：如图1所示，一种电机驱动H桥电路，包括：第一正转支路、第一反转支路、第二正转支路、第二反转支路、双通道MOS管Q2、双通道MOS管Q3和MCU控制模块，所述双通道MOS管Q2的D1/D2极与电机正极连接，所述双通道MOS管Q3的D1/D2极与电机负极连接，所述双通道MOS管Q2的S2极和双通道MOS管Q3的S2极均与电能输入端V+连接，所述双通道MOS管Q2的S1极和双通道MOS管Q3的S1极联一电阻R33后接地；所述第一正转支路分别与双通道MOS管Q2的G2极以及MCU控制模块连接，所述第一正转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q2的S2极与D2极的通断，从而控制电机正极与电能输入端V+之间的通断；所述第二正转支路分别与双通道MOS管Q3的G1极以及MCU控制模块连接，所述第二正转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q3的S1极与D1极的通断，从而控制电机负极与地之间的通断；所述第一反转支路分别与双通道MOS管Q3的G2极以及MCU控制模块连接，所述第一
反转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q3的S2极与D2极的通断，从而控制电机负极与电能输入端V+之间的通断；所述第二反转支路分别与双通道MOS管Q2的G1极以及MCU控制模块连接，所述第二反转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q2的S1极与D1极的通断，从而控制电机正极与地之间的通断。
[0014]如图1所示，所述第一正转支路包括：电阻R17、电阻R18、三极管Q6和电阻R19，所述电阻R17一端与MCU控制模块的第一PWM引脚U25连接，所述电阻R17另一端与三极管Q6的B极连接，所述电阻R18两端分别与三极管Q6的B极、E极连接，所述三极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电机驱动H桥电路，其特征在于，包括：第一正转支路、第一反转支路、第二正转支路、第二反转支路、双通道MOS管Q2、双通道MOS管Q3和MCU控制模块，所述双通道MOS管Q2的D1/D2极与电机正极连接，所述双通道MOS管Q3的D1/D2极与电机负极连接，所述双通道MOS管Q2的S2极和双通道MOS管Q3的S2极均与电能输入端V+连接，所述双通道MOS管Q2的S1极和双通道MOS管Q3的S1极串联一电阻R33后接地；所述第一正转支路分别与双通道MOS管Q2的G2极以及MCU控制模块连接，所述第一正转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q2的S2极与D2极的通断；所述第二正转支路分别与双通道MOS管Q3的G1极以及MCU控制模块连接，所述第二正转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q3的S1极与D1极的通断；所述第一反转支路分别与双通道MOS管Q3的G2极以及MCU控制模块连接，所述第一反转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q3的S2极与D2极的通断；所述第二反转支路分别与双通道MOS管Q2的G1极以及MCU控制模块连接，所述第二反转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q2的S1极与D1极的通断。2.根据权利要求1所述的电机驱动H桥电路，其特征在于，所述第一正转支路包括：电阻R17、电阻R18、三极管Q6和电阻R19，所述电阻R17一端与MCU控制模块的第一PWM引脚U25连接，所述电阻R17另一端与三极管Q6的B极连接，所述电阻R18两端分别与三极管Q6的B极、E极连接，所述三极管Q6的E极接地，所述三极管Q6的C极与电阻R19串联后与双通道MOS管Q2的G2极连接。3.根据权利要求1所述的电机驱动H桥电路，其特征在于，所述第二正转支路包括：电阻R16、电阻R29、三极管Q12、三极管Q10、三极管Q11、电阻R30、电阻R14和电阻R27，所述电阻R16一端连接第二PWM引脚U5，所述电阻R16另一端与三极管Q12的B极连接，所述电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李培森，谢宝棠，赵素芳，郑阳辉，谢源，郭贵元，
申请(专利权)人：深圳市瑞必达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：