一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法制造方法及图纸

本申请实施例提出了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，显示装置包括衬底基板及位于衬底基板一侧且呈矩阵分布的多个像素单元，像素单元包括驱动电路，驱动电路包括有源层和第一金属层。有源层位于衬底基板的一侧且包括沿远离衬底基板方向依次设置的第一半导体层及第二半导体层；第一金属层包括源极和漏极且位于第二半导体层远离衬底基板的一侧。衬底基板包括第一遮光区及与第一遮光区紧邻设置的第一透光区，源极和漏极在衬底基板上的正投影覆盖第一遮光区，且第一透光区位于源极和/或漏极在衬底基板上的投影的两侧，第一透光区不具有第二半导体层。本实施例能够提高显示装置的显示性能。显示装置的显示性能。显示装置的显示性能。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。

技术介绍

[0002]随着Mini LED(次毫米发光二极管)显示技术的迅速发展，Mini LED显示装置已开始应用于超大屏高清显示，如监控指挥、高清演播、高端影院、医疗诊断、广告显示、会议会展、办公显示、虚拟现实等领域。Mini LED显示装置通过在多分区动态背光内均匀铺满上万颗微米级LED，使其拥有更精确的背光控制，可实现较高的峰值亮度和超高色域覆盖率。从而使得Mini LED显示装置具有亮场更亮，暗场更黑，色彩更加精准等优点。并且，Mini LED显示装置的亮度可达普通电视2到5倍。相关技术中，Mini LED显示装置的背光亮度比普通显示装置背光亮度要高出很多，而由于显示装置中的TFT(Thin Film Transisitor，薄膜晶体管)的耐光照性不够高，使得TFT在较亮光照下易于产生漏电及电流串扰等现象，影响显示装置的显示性能。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的在于提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，以提高显示装置中TFT的耐光照性，降低TFT产生漏电及电流串扰等现象的概率，提高显示装置的显示性能。具体技术方案如下：
[0004]本申请第一方面的实施例提供了一种显示面板，包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧且呈矩阵分布的多个像素单元，所述像素单元包括驱动电路，所述驱动电路包括：
[0005]有源层，所述有源层位于所述衬底基板的一侧，且所述有源层包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的第一半导体层及第二半导体层；
[0006]第一金属层，所述第一金属层位于所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述第一金属层包括源极和漏极；
[0007]所述衬底基板包括第一遮光区及与所述第一遮光区紧邻设置的第一透光区，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一遮光区，且所述第一透光区位于所述源极和/或所述漏极在所述衬底基板上的投影的两侧，所述第一透光区不具有所述第二半导体层。
[0008]在一些实施例中，所述第一透光区包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述源极的远离所述漏极的至少一侧，或所述第一部分位于所述漏极远离所述源极的至少一侧，所述第二部分位于所述源极和所述漏极之间，沿由所述第一透光区至所述第一遮光区的方向上，所述第一部分的宽度小于所述第二部分的宽度。
[0009]在一些实施例中，沿所述第一透光区至所述第一遮光区的方向上，所述第二部分的宽度为所述第一部分的宽度的两倍。
[0010]在一些实施例中，所述显示面板还包括发光层，所述发光层位于所述多个像素单
元远离所述衬底基板的一侧，所述发光层包括与所述多个像素单元对应设置的发光单元，所述发光单元包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的阳极层、发光层及阴极层，所述阳极层过孔与所述源极或漏极连接。
[0011]在一些实施例中，所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层限定出多个像素开口，所述多个发光单元置于所述多个像素开口内。
[0012]在一些实施例中，所述驱动电路还包括第二金属层和第一绝缘层，所述第二金属层包括栅极，所述第二金属层、所述第一绝缘层、所述有源层和所述第一金属层依次层叠设置。
[0013]本申请第二方面的实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：
[0014]提供一衬底基板；
[0015]在所述衬底基板的一侧形成有源层，所述有源层包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的第一半导体层及第二半导体层；
[0016]在所述有源层上形成第一金属层；
[0017]在所述第一金属层上形成光刻胶层；
[0018]提供一掩膜版，所述掩膜版包括第二遮光区和与所述第二遮光区紧邻设置的第二透光区；
[0019]通过所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光显影，在所述衬底基板上形成第一遮光区及与所述第一遮光区紧邻设置的第一透光区；
[0020]对所述曝光显影后的光刻胶层，及所述第一金属层、所述有源层进行刻蚀，去除所述第一透光区内的所述第二半导体层，并形成源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一遮光区，且所述第一透光区位于所述源极和/或所述漏极在所述衬底基板上的投影的两侧。
[0021]在一些实施例中，所述掩膜版还包括位于所述第二透光区的远离所述第二遮光区一侧的第一全透光区，所述第二透光区包括与所述第一全透光区紧邻设置的第三部分，所述第三部分的透光率为20％至60％。
[0022]在一些实施例中，所述掩膜版还包括位于所述第二透光区的远离所述第二遮光区一侧的第一全透光区，所述第二透光区包括与所述第一全透光区紧邻设置的第三部分，沿由所述第二遮光区至所述第一全透光区的方向上，所述第三部分的透光率逐渐增大，且所述第三部分靠近所述第二遮光区的一侧的透光率为20％至10％，所述第三部分靠近所述第一全透光区的一侧的遮光率为80％至90％。
[0023]本申请第三方面的实施例提供了一种显示装置，包括上述中任一所述的显示面板。
[0024]本申请实施例中，有源层包括第一半导体层和设置于第一半导体层上的第二半导体层，且第二半导体层具有导电性。由于源极和漏极的两侧均设置有第一透光区，且在显示面板的制作过程中，第一透光区中的第二半导体层被刻蚀去除，从而使得源极和漏极的两侧均不具有第二半导体层，可以降低因第二半导体层增加源极及漏极的导电面积，而使源极及漏极与栅极的交叠面积增加的概率，提高驱动电路的耐光照特性，可以降低驱动电路在较亮的光照下产生漏电现象的概率，降低显示面板产生电流串扰现象的概率，提高显示装置的显示性能。
[0025]当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
[0027]图1为本申请的一些实施例的相关技术中一种显示面板的剖视图；
[0028]图2为本申请的一些实施例的显示面板的结构示意图；
[0029]图3为图2中沿A
‑
A方向的一种剖面图；
[0030]图4为本申请的一些实施例的衬底基板的曝光区域示意图；
[0031]图5为图2中沿A
‑
A方向的另一种剖面图；
[0032]图6为图2中沿A
‑
A方向的又一种剖面图；
[0033]图7本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧且呈矩阵分布的多个像素单元，所述像素单元包括驱动电路，所述驱动电路包括：有源层，所述有源层位于所述衬底基板的一侧，且所述有源层包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的第一半导体层及第二半导体层；第一金属层，所述第一金属层位于所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述第一金属层包括源极和漏极；所述衬底基板包括第一遮光区及与所述第一遮光区紧邻设置的第一透光区，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一遮光区，且所述第一透光区位于所述源极和/或所述漏极在所述衬底基板上的投影的两侧，所述第一透光区不具有所述第二半导体层。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一透光区包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述源极的远离所述漏极的至少一侧，或所述第一部分位于所述漏极远离所述源极的至少一侧，所述第二部分位于所述源极和所述漏极之间，沿由所述第一透光区至所述第一遮光区的方向上，所述第一部分的宽度小于所述第二部分的宽度。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，沿所述第一透光区至所述第一遮光区的方向上，所述第二部分的宽度为所述第一部分的宽度的两倍。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括发光层，所述发光层位于所述多个像素单元远离所述衬底基板的一侧，所述发光层包括与所述多个像素单元对应设置的发光单元，所述发光单元包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的阳极层、发光层及阴极层，所述阳极层过孔与所述源极或漏极连接。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层限定出多个像素开口，所述多个发光单元置于所述多个像素开口内。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵宗奇，杨成绍，罗贤佳豪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：