本发明专利技术公开了一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法，本发明专利技术涉及晶片加工技术领域。该宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法，通过放置组件的设置，当输送钢带运行的同时，能够通过传动组件以及放置盘等组件之间的配合，将放置的硅片输送至机体内部的同时进行转动，当两侧的挡片通过顶面开设的弧形面插入输送架底部两侧开设的矩形槽内部时，能够将两侧对应的传动齿板向上顶起，使得若干个弹簧体收缩的同时输送架停止移动，当输送架停止移动的同时，其顶面放置盘内部放置的硅片仍能够通过输送钢带的运行持续转动，使内部放置的硅片能够保证受热效果，使得能够更好的控制硅片退火时间的同时保证其受热的均匀性，提升了退火效果。效果。效果。
【技术实现步骤摘要】
一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法
[0001]本专利技术涉及晶片加工
，具体为一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法。
技术介绍
[0002]退火是一种金属热处理工艺，指的是将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性；降低残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。准确的说，退火是一种对材料的热处理工艺，包括金属材料、非金属材料。而且新材料的退火目的也与传统金属退火存在异同。
[0003]基于COP在高温条件下的消除原理，将硅片分别经过1100～1200度左右1h、2.5h及4h退火处理后，我们制备得到具有不同COP free深度的硅片，而单晶硅片在进行退火的过程中，由于其进行输送加热时硅片的放置以及加热片的设置，导致硅片的加热效果不均匀的同时，需要更改原先设定的退火时间，影响硅片的退火效果。
技术实现思路
[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法，解决了加热不均匀，影响退火效果的问题。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法，包含以下步骤：
[0006]S1、单晶锭制备：将硅石SIO2在电炉中高温还原为冶金级硅，纯度95％～99％，然后将其变为硅的卤化物或氢化物，经提纯，以制备纯度很高的硅多晶；
[0007]S2、半导体晶片加工：对硅单晶锭进行切片、研磨、抛光等各种加工，得到表面洁净及高几何参数的硅片；
[0008]S3、退火处理：将得到的硅片经过退火装置进行退火作业；
[0009]其中，S3中所述退火装置包含有机体，所述机体的内部底部两侧均固定安装有支撑腿，所述机体的侧面设置有衔接架、且通过衔接架固定安装有密封盖，所述机体的内部固定安装有若干个加热模块，所述机体的内部设置有输送板、且输送板的内部设置有输送组件，所述输送组件的顶面设置有放置组件，所述机体的外侧设置有加压组件，所述放置组件包含有输送架，所述输送架的顶面中部转动安装有放置盘，所述放置盘的顶面开设有若干个通风槽，所述放置盘的底部两侧均固定安装有定位架，若干个所述定位架的内部均固定安装有弹簧体，所述输送架的底部两侧均设置有传动齿板，两个所述传动齿板分别通过若干个定位架以及弹簧体的配合固定安装在输送架的底部两侧，两个所述传动齿板的底部均与输送架的底部保持齐平，所述输送架的两侧底部均固定安装有弧形卡口，所述输送架的内部转动安装有螺杆，所述螺杆通过两端套接的轴承转动安装在输送架的内部，所述输送架的内部中心位置固定安装有定位轴套，所述定位轴套的内部转动安装有限位轴、且限位轴的圆周外侧固定套接的内蜗轮与螺杆之间相互啮合，所述限位轴的端部固定套接有底盘
架，所述底盘架的内部对称开设有若干个衔接槽、且衔接槽的内部均设置有定位栓，所述底盘架通过若干个定位栓的配合与放置盘的底部固定连接，所述输送架的底部两侧均贯穿开设有矩形槽，所述机体的内部设置有挡板组件，所述输送架的内部设置有传动组件。
[0010]优选的，所述传动组件包含有固定板，所述固定板有两个、且均固定安装在输送架的内部，两个所述固定板之间转动安装有转轴，所述转轴的一端固定套接有齿轮、且另一端固定套接有外蜗轮，所述外蜗轮与螺杆之间相互啮合，所述齿轮与输送组件之间相互对应。
[0011]优选的，所述输送组件包含有输送板，所述输送板的内部中心位置设置有输送钢带，所述输送板的两侧均开设为弧形边、且分别与输送架两侧固定安装的弧形卡口滑动连接。
[0012]优选的，所述挡板组件包含有挡片，所述挡片的顶面开设有弧形面、且两个弧形面的开设位置分别与输送架的底部两侧均贯穿开设有矩形槽之间相互对应，两个所述挡片的端部均固定安装有挡杆、且通过挡杆固定安装在输送板的顶面，两个所述挡杆的安装位置均与输送架的侧面相互对应。
[0013]优选的，所述加压组件包含有充气泵，所述充气泵固定安装在机体的顶面，所述充气泵的内部固定安装有压力表，所述充气泵的端部分别与机体内部以及冲压瓶端部固定连接。
[0014]优选的，所述加压组件还包含有真空接口，所述真空接口的开设位置位于机体的一侧中部。
[0015]优选的，所述定位轴套的两侧均贯穿开设有凹型槽，所述内蜗轮通过限位轴的配合转动安装在凹型槽的内部。
[0016]优选的，所述放置盘通过底部的底盘架的配合转动安装在输送架的顶面，所述放置盘的顶面高度超出输送架、且其顶面形状为内凹形。
[0017]优选的，所述放置盘内部开设的若干个通风槽之间相互对称、且内部相互连通。
[0018]优选的，两侧的所述传动齿板的安装位置分别位于输送架底部两侧开设的矩形槽内部、且传动齿板的端部均为弧形。
[0019]有益效果
[0020]本专利技术提供了一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法。与现有技术相比具备以下有益效果：
[0021](1)、该宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法，通过放置组件的设置，当输送钢带运行的同时，能够通过传动组件以及放置盘等组件之间的配合，将放置的硅片输送至机体内部的同时进行转动，当两侧的挡片通过顶面开设的弧形面插入输送架底部两侧开设的矩形槽内部时，能够将两侧对应的传动齿板向上顶起，使得若干个弹簧体收缩的同时输送架停止移动，当输送架停止移动的同时，其顶面放置盘内部放置的硅片仍能够通过输送钢带的运行持续转动，使内部放置的硅片能够保证受热效果，使得能够更好的控制硅片退火时间的同时保证其受热的均匀性，提升了退火效果。
[0022](2)、该宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法，通过加压组件的设置，能够将机体内部的空气进行抽取的同时，当机体内部的加热模块在对硅片进行加热时，能够通过压力表的观测以及充气泵的配合，向机体内部充入适量的氧气，保证了硅片退火时的含氧量，同时通过退火时间的延长，能够使得硅片即满足提高硅片GOI性能的同时，又能满足集
成电路有源区洁净及具有一定的内吸杂能力。
附图说明
[0023]图1为本专利技术整体结构示意图；
[0024]图2为本专利技术图1爆炸结构示意图；
[0025]图3为本专利技术图2剖视结构示意图；
[0026]图4为本专利技术输送组件结构示意图；
[0027]图5为本专利技术输送架剖视结构示意图；
[0028]图6为本专利技术定位轴套剖视结构示意图；
[0029]图7为本专利技术A点放大结构示意图；
[0030]图8为本专利技术B点放大结构示意图；
[0031]图9为本专利技术方法流程图；
[0032]图10为本专利技术COP数量箱线图。
[0033]图中：1、机体；101、支撑腿；102、真空接口；103、加热模块；2、密封盖；201、衔接架；3、充气泵；301、压力表；4、输送板；401、输送钢带；5、输送架本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法，包含以下步骤：S1、单晶锭制备：将硅石SIO2在电炉中高温还原为冶金级硅，纯度95％～99％，然后将其变为硅的卤化物或氢化物，经提纯，以制备纯度很高的硅多晶；S2、半导体晶片加工：对硅单晶锭进行切片、研磨、抛光等各种加工，得到表面洁净及高几何参数的硅片；S3、退火处理：将得到的硅片经过退火装置进行退火作业；其中，S3中所述退火装置包含有机体(1)，所述机体(1)的内部底部两侧均固定安装有支撑腿(101)，所述机体(1)的侧面设置有衔接架(201)、且通过衔接架(201)固定安装有密封盖(2)，所述机体(1)的内部固定安装有若干个加热模块(103)，其特征在于：所述机体(1)的内部设置有输送板(4)、且输送板(4)的内部设置有输送组件，所述输送组件的顶面设置有放置组件，所述机体(1)的外侧设置有加压组件；所述放置组件包含有输送架(5)，所述输送架(5)的顶面中部转动安装有放置盘(502)，所述放置盘(502)的顶面开设有若干个通风槽(5021)，所述放置盘(502)的底部两侧均固定安装有定位架(8)，若干个所述定位架(8)的内部均固定安装有弹簧体(801)，所述输送架(5)的底部两侧均设置有传动齿板(9)，两个所述传动齿板(9)分别通过若干个定位架(8)以及弹簧体(801)的配合固定安装在输送架(5)的底部两侧，两个所述传动齿板(9)的底部均与输送架(5)的底部保持齐平，所述输送架(5)的两侧底部均固定安装有弧形卡口(501)，所述输送架(5)的内部转动安装有螺杆(7)，所述螺杆(7)通过两端套接的轴承(701)转动安装在输送架(5)的内部，所述输送架(5)的内部中心位置固定安装有定位轴套(10)，所述定位轴套(10)的内部转动安装有限位轴(11)、且限位轴(11)的圆周外侧固定套接的内蜗轮(1101)与螺杆(7)之间相互啮合，所述限位轴(11)的端部固定套接有底盘架(12)，所述底盘架(12)的内部对称开设有若干个衔接槽(1201)、且衔接槽(1201)的内部均设置有定位栓(1202)，所述底盘架(12)通过若干个定位栓(1202)的配合与放置盘(502)的底部固定连接，所述输送架(5)的底部两侧均贯穿开设有矩形槽(503)，所述机体(1)的内部设置有挡板组件，所述输送架(5)的内部设置有传动组件。2.根据权利要求1所述的一种宽COP free和DZ深度硅退火片的制备方法，其特征在于：所述传动组件包含有固定板(504)，所述固定板(504)有两个、且均固定安装在输送架(5)的内部，两个所述固定板(504)之间转动安装有转轴(505...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶绍凤，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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