内藏式天线制造技术

技术编号:3275053 阅读:239 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种内藏式天线,应用于DVB-H系统,包括第一单极辐射部、第二单极辐射部及信号馈入段。第一单极辐射部具有第一端、远离第一端的第二端、及连接第一端与第二端的第一曲折辐射段。第二单极辐射部的结构相似于第一单极辐射部,且与第一单极辐射部邻近并对称于一直线,第二单极辐射部具有第三端、远离第三端的第四端、及连接第三端与第四端的第二曲折辐射段。信号馈入段是连接于第一端及第三端。此天线具有体积小、超频宽、效率佳、设计结构简单等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种内藏式天线,特别是指一种应用于手持式数字视频广播(DVB-H)的内藏式天线。
技术介绍
欧洲数字视频广播发展组织(Digital Video Broadcasting Project; DVB ), 为了实现移动收视的未来趋势,以原有数字视频地面广播(DVB-T; DVB-Terrestrial )传输技术标准为基础,提出"手持式数字视频广播"(DVB-H; DVB-Handheld)的技术规格,并于2004年2月DVB Project正式宣布完 成DVB-H的规格制定工作。此DVB-H技术可以满足手持式装置所需的低 功耗、高移动性(容易接收)、共享平台及网路切换服务不中断等功能,未来 可借由移动通信网路与DVB-H广播网路的整合,提供使用者更多样化的内 容与互动式服务。参阅图1,图中所示的天线架构是美国公开专利第US20060214857A1 号所提出的DVB-H天线10,天线10具有倒L型天线辐射部11及与辐射部 11相连的馈入导线12,而馈入导线12的另一端则连接至匹配电路13,匹配 电路13的后端连接至其它的RF电路14。除了辐射部ll夕卜,另三个元件均 设置于金属印刷电路板15上。天线10利用倒L型辐射部11及匹配电路13,谐振出多频率,以产生 DVB-H的频宽。然而,缺点是谐振出的多频率会影响其增益;另外,匹配 电路13与RF电路14之间的耦合间距不易控制,会使频率产生偏差。
技术实现思路
因此,本专利技术的目的,即在提供一种体积小、效率佳且设计结构简单的 DVB-H内藏式天线。本专利技术提出一种内藏式天线,包括第一单极辐射部、第二单极辐射部及 一信号馈入段。4第一单极辐射部具有第一端、远离第一端的第二端、及连接第一端与该 第二端的第一曲折辐射段。第二单极辐射部的结构相似于第 一单极辐射部,且与第 一单极辐射部邻 近并对称于一直线,第二单极辐射部具有第三端、远离第三端的第四端、及 连接第三端与该第四端的第二曲折辐射段。信号馈入段是连接于第 一端及第三端。附图说明图l是一立体图,说明传统DVB-H天线的结构;图2是一立体图,说明本专利技术内藏式天线的第一优选实施例设置于一绝 缘壳体;图3是一立体图,说明说明该第一优选实施例设置于该绝缘壳体; 图4是本实施例的内藏式天线展开成一平面的正面图,说明该优选实施 例的结构;图5是一示意图,说明一阻抗匹配电路的结构;图6是一示意图,说明该阻抗匹配电路设置于一微波基板及其与一信号 馈入段的连接情形;图7是本优选实施例的电压驻波比(VSWR)的测量结果图8是本优选实施例的史密斯图9是本优选实施例的增益(GAIN)的测量结果图IO是本优选实施例在频率为650MHz时的辐射场型(Radiation Pattern) 图形;以及图11是第二优选实施例的内藏式天线展开成一平面的正面图,说明该 优选实施例的结构。 主要元件符号说明 2内藏式天线 3第一单极辐射部 31第一端 32第二端 4第二单极辐射部 41第三端42第四端5信号馈入段 6第一曲折辐射段 61第一线段 62第二线段 63第三线段 64第四线段 65第五线段 7第二曲折辐射段 71第六线段 72第七线段 73第八线段 74第九线段 75第十线段 8阻:抗匹配电^各 81电容 82电感 83信号线 84微波基板 91绝缘基体 92第一面 93第二面 94第三面 95第四面 L直线具体实施例方式有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效,在以下配合参考附图 的二个优选实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。在本专利技术被详细描述之前,要注意的是,在以下的说明内容中,类似的 元件是以相同的编号来表示。参阅图2与图3,本专利技术的内藏式天线2的第一优选实施例是内置于手 机、PDA等手持式电子装置,其工作频段是在符合DVB-H要求的470MHz ~ 862MHz,而为了将所占面积缩小,在本实施例中是将内藏式天线2设计成 立体的型式,然而,它亦可以平面的型式存在,如图4所示,而为了方便说 明其结构,以下先以平面的型式来作说明。参阅图4,内藏式天线2包括第一单极辐射部3、第二单极辐射部4及 信号馈入段5。第一单极辐射部3具有第一端31,第二端32及连接在此两端的第一曲 折辐射段6。第一曲折辐射段6包括由第一端31向左延伸的第一线段61、接续第一 线段61的末端向下延伸的第二线段62、接续第二线段62的末端向右延伸的 第三线段63、接续第三线段63的末端向下延伸的第四线段64、接续第四线 段64的末端向左延伸至第二端32的第五线段65。与上述第一单极辐射部3相似的结构,第二单极辐射部4也具有第三端 41、第四端42及连接在此两端的第二曲折辐射段7。值得一提的是,第二单 极辐射部4是与第一单极辐射部3邻近并对称于直线L。第二曲折辐射段7的结构也和第一曲折辐射段6相似,包括由第三端41 向左延伸的第六线段71 、由第六线段71末端朝直线L方向延伸的第七线段 72、由第七线段72末端朝右延伸的第八线段73、由第八线段73末端朝直线 L方向延伸的第九线段74,及由第九线段74末端延伸至第四端42的第十线 段75。要进一步说明的是,第二端32及第四端42是邻近直线L,第一端31 及第三端41是远离该直线L,且信号馈入段5是连接于第一端31及第三端 41。优选而言,第一、三、五、六、八、十线段61、 63、 65、 71、 73、 75 是平行于该直线L;第二、四、七、九线段62、 64、 72、 74及信号馈入段5 是与该直线L垂直。第三、五、八、十线段63、 65、 73、 75彼此等长,第 二、四、七、九线段62、 64、 72、 74彼此等长等宽,第一线段61等长于第 六线段71;值得注意的是,第五线段65与第十线段75两者的宽度是较其它 线段为宽,且当两者的间距小于3mm时,对增益的提升效果优选。配合参阅图2与图3,如图所示,第一单极辐射部3、第二单极辐射部4及信号馈入段5被弯折地设置于长方体形的绝缘基体91的表面上。其中,第一、三线段61、 63是位于绝缘基体91的第一面92上,第五线段65是由第一面92延伸至绝缘基体91的第二面93,第十线段75与第五线段65相隔一间距地位于第二面93,信号馈入段5是由绝缘基体91的第三面94延伸至第四面95;第二面93与第三面94彼此隔着第一面92平行,且均垂直连接于第一面92,而第四面95与另三面均垂直相连。(由于设置方便的考虑,有的线段并未如图4的平面图是呈笔直,而是略再曲折,如第一线段61、信号馈入段5,此并未偏离本专利技术的概念,反而衬托出本专利技术所提供的设计多样性)参阅图2、图3、图4、图5与图6,设计此内藏式天线2时,可先设计中心频率约为600MHz, 1/4波长的第一单极辐射部3,再设计出与第一单41辐射部3结构相似且对称的第二单极辐射部4,再配合连接于信号馈入段5的阻抗匹配电3各8来调整,以使内藏式天线2可以工作在DVB-H频带。阻抗匹配电路8包括电容81及电感82,电容81是连接于信号线83的正端与信号馈入段5之间,电感82是连接于信号馈入段5及一接地端。在本优选实施例中,电容的值为4.7pF,电感的值为15nH。如图6所示,阻抗匹配电路8是设置于微波基板84本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种内藏式天线,包括: 一第一单极辐射部,具有一第一端、远离该第一端的一第二端、及连接该第一端与该第二端的一第一曲折辐射段; 一第二单极辐射部,结构相似于该第一单极辐射部,且与该第一单极辐射部邻近并对称于一直线,具有一第三端、远 离该第三端的一第四端,及连接该第三端与该第四端的一第二曲折辐射段;以及 一信号馈入段,连接于该第一端及该第三端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡调兴邱建评吴朝旭
申请(专利权)人:广达电脑股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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