一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法技术

本发明专利技术涉及一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法。其通过对DMD进行标定，以确定与DMD相应任一镜头的角度以及相应位置；对一镜头投图形成的一正曝光区域与反曝光区域进行图形拼接时，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，k为0.5～0.9。本发明专利技术能有效改善曝光区域之间的拼接效果，灵活性高，可满足高精度、高分辨率的工业需求。率的工业需求。率的工业需求。

【技术实现步骤摘要】
一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法


[0001]本专利技术涉及一种图形拼接方法，尤其是一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法。

技术介绍

[0002]无掩模激光直写光刻使用数字微镜器件(DMD)的数字掩模代替传统光刻的物理掩模，增强了光刻的灵活性。同时，通过将DMD倾斜一定的角度，在竖直方向和水平方向，实现亚像素级的DMD高精度扫描。
[0003]所谓的亚像素，是比像素更小的单位，即若干个亚像素组合在一起形成一个像素。一个DMD像元对应一个像素，利用DMD倾斜扫描，可以使得图形数据按照亚像素精度在DMD上显示。但是由于倾斜扫描，使图像的正反曝光区域之间不可避免地产生拼接。此外，由于镜头畸变以及其他因素的存在，会使得拼接区域的图像偏移或者模糊，难以满足高精度、高分辨率的工业需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，其能有效改善曝光区域之间的拼接效果，灵活性高，可满足高精度、高分辨率的工业需求。
[0005]按照本专利技术提供的技术方案，一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，对DMD进行标定，以确定与DMD相应任一镜头的角度以及相应位置；
[0006]对任一镜头，根据所述镜头的角度确定所述镜头投图形成的镜头内三角拼接区，所述镜头内三角拼接区包括形成于正曝光区域内的镜头内正曝光三角拼接区以及形成于反曝光区域内的镜头内反曝光三角拼接区，镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相互邻接，且镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头内水平拼接长度；
[0007]对一镜头投图形成的一正曝光区域与反曝光区域进行图形拼接时，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，k为0.5～0.9。
[0008]对任意相邻的两个镜头，利用所述相邻的两个镜头投图时，位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域邻接；根据所述相邻的两个镜头的角度以及相应位置，确定重复曝光剪切区以及镜头间三角拼接区，其中，镜头间三角拼接区包括形成于左侧镜头的反曝光区域内的镜头间反曝光三角拼接区以及形成于右侧镜头的正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区，且镜头间正曝光三角拼接区与镜头间反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头间水平拼接长度；
[0009]对任意相邻两个镜头，对位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域进行图形拼接时，将右侧镜头的正曝光区域内相应的重复曝光剪切区剪切删除，并配置镜头间反曝光区域的镜头间反曝光三角拼接区曝光参数以及镜头间正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区曝光参数，且使得得镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，其中，r为0.5～0.9。
[0010]镜头内水平拼接长度为N像素时，修正对镜头内正曝光三角拼接区长度为(N
‑
S)像素的范围内相应的有效曝光次数，剩余的长度为S像素的范围内有效曝光次数保持不变；对镜头内反曝光三角拼接区长度为(N
‑
S)像素范围内的有效曝光次数保持不变，剩余的长度为S像素的范围内修正相应的有效曝光次数，从而使得镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相应的重复曝光次数之和满足(N
‑
S)次，以满足镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，N
‑
S＝kN，N为正整数。
[0011]镜头间水平拼接长度为N像素时，镜头间正曝光三角拼接区长度为(N
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S)像素范围内有效曝光次数保持不变，修整剩余的长度为S像素范围内相应的有效曝光次数；修正镜头间反曝光三角拼接区长度为(N
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S)像素范围相应的有效曝光次数，剩余的长度为S像素范围内的有效曝光次数保持不变不，从而使得镜头间正曝光三角拼接区和镜头间反曝光三角拼接区的重复曝光次数之和满足(N
‑
S)次，以满足镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，其中，N
‑
S＝rN，N为正整数。
[0012]本专利技术的优点：对于一镜头内的镜头内三角拼接区，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，即可实现一镜头内正曝光区域与反曝光区域之间的直接拼接；
[0013]对于相邻的两个镜头，将右侧镜头的正曝光区域内相应的重复曝光剪切区剪切删除，并配置镜头间反曝光区域的镜头间反曝光三角拼接区曝光参数以及镜头间正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区曝光参数，且使得得镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，即能实现相邻镜头的镜头间三角拼接区的有效拼接；
[0014]可降低拼接区域的能量来削减镜头畸变产生的图像偏移和模糊，从而降低边缘分辨率对镜头的畸变指标的要求，灵活性高，可满足高精度、高分辨率的工业需求。
附图说明
[0015]图1为本专利技术利用与DMD相应镜头投图得到图形的示意图。
[0016]图2为本专利技术得到镜头内三角拼接区以及镜头间三角拼接区的示意图。
[0017]图3为本专利技术在进行图形拼接时的数据示意图。
[0018]图4为本专利技术对重复曝光剪切区剪切删除的示意图。
具体实施方式
[0019]下面结合具体附图和实施例对本专利技术作进一步说明。
[0020]为了能有效改善曝光区域之间的拼接效果，可满足高精度、高分辨率的工业需求，本专利技术的用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，具体地，对DMD进行标定，以确定与DMD相应任一镜头的角度以及相应位置；
[0021]对任一镜头，根据所述镜头的角度确定所述镜头投图形成的镜头内三角拼接区，所述镜头内三角拼接区包括形成于正曝光区域内的镜头内正曝光三角拼接区以及形成于反曝光区域内的镜头内反曝光三角拼接区，镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相互邻接，且镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头内水平拼接长度；
[0022]对一镜头投图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，其特征是：对DMD进行标定，以确定与DMD相应任一镜头的角度以及相应位置；对任一镜头，根据所述镜头的角度确定所述镜头投图形成的镜头内三角拼接区，所述镜头内三角拼接区包括形成于正曝光区域内的镜头内正曝光三角拼接区以及形成于反曝光区域内的镜头内反曝光三角拼接区，镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相互邻接，且镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头内水平拼接长度；对一镜头投图形成的一正曝光区域与反曝光区域进行图形拼接时，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，k为0.5～0.9。2.根据权利要求1所述的用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，其特征是：对任意相邻的两个镜头，利用所述相邻的两个镜头投图时，位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域邻接；根据所述相邻的两个镜头的角度以及相应位置，确定重复曝光剪切区以及镜头间三角拼接区，其中，镜头间三角拼接区包括形成于左侧镜头的反曝光区域内的镜头间反曝光三角拼接区以及形成于右侧镜头的正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区，且镜头间正曝光三角拼接区与镜头间反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头间水平拼接长度；对任意相邻两个镜头，对位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域进行图形拼接时，将右侧镜头的正曝光区域内相应的重复曝光剪切区剪切删除，并配置镜头间反曝光区域的镜头间反曝光三角拼接区曝光参数以及镜头间正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区曝光参数，且使得得镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍大云，杨琳韵，茆荣超，
申请(专利权)人：锡凡半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：