双偶极天线制造技术

一种双偶极天线，其包括一由介电材料构成的基底，设置于该基底两表面的第一辐射体和第二辐射体及一第一馈入点和第二馈入点，其特征在于：　　　　基底具有大体上相互平行的一第一表面及一第二表面；　　　　第一辐射体设置于该第一表面上；　　　　第二辐射体设置于该第二表面上，且与该第一辐射体正投影于该第二表面的区域不相互重叠；　　　　第一馈入点设置于该第一辐射体上邻近于该第二辐射体的一侧；以及　　　　第二馈入点设置于该第一表面上且邻近于该第一馈入点，并与该第二辐射体电性连接。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种双偶极天线，且特别涉及一种双偶极天线，其天线的二电极分别设置在基底上大体相互平行的二个表面上。
技术介绍
在无线传输装置中所使用的双偶极天线通常采用一种直线型偶极天线，参考附图说明图1所显示，其借由直线铺设于一基底10的同一平面上的二个相对称的电极20并同时与馈入点30形成电气连接所构成。这种双偶极天线的设计，往往希望能实现低Q值、高增益值(gain)，而且频宽大的天线效果，其方法通常是将双偶极天线的双电极20做的越粗越好。而粗的双极天线能在较低频处谐振，而且它的长度可以缩小。目前，中央馈给式双偶极天线是较佳的选择，而且其可借由调整馈入点30的位置，来改变阻抗，从而使得双偶极天线和传输线的阻抗完全匹配。前述现有的双偶极天线中，其提升天线的效果仅仅只能着力于天线电极长度或厚度的设计。然而，这类技术在效果改善上，仍具有相当的瓶颈。此外，随着电路整合度的提升，天线的设计也希望能够与后端的电路设计相结合，以便充分利用电路板。然而，传统上，若将天线直接设置于电路板上时，为了配合天线的特性，避免遮蔽天线辐射，天线周围区域的电路板往往需要有别于其它区域的设计，例如不同金属层的设置，因此，增加了设计上的限制以及制程上难度。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的缺陷，本技术提出一种双偶极天线，其具有易于融入整体电路设计、并具有高增益以及宽频的特性。为实现上述目的，本技术提供一种双偶极天线，在一由介电材料构成的基底上大体相互平行的第一、第二表面上分别铺设一第一辐射体及一第二辐射体。其中，第一辐射体铺设的区域与第二辐射体正投影于第一表面的区域不相互重叠，且第一辐射体靠近第二辐射体的一侧上设置有第一馈入点，而第二辐射体靠近于第一辐射体的一侧正投影于第一表面的区域上，则设置有第二馈入点，此第二馈入点并且与第二辐射体电性连接。此外，基底中还可设置有彼此分离的第一金属层与第二金属层，其中，第一金属层的配置对应于第一辐射体，第二金属层的配置对应于第二辐射体，而且第一金属层与第一辐射体可以无直接连接，而第二金属层与第二辐射体则可以电性相连。利用本技术双偶极天线可以实现以下效果本技术的双偶极天线易于融入整体电路布局；本技术的双偶极天线，可以利用基底中的金属层的层数或配置实现阻抗匹配的目的；借由本技术的双偶极天线，可同时实现高增益及宽频的目的。以下结合附图，通过对本技术的较佳实施例的详细描述，将使本技术的技术方案和有益效果显而易见。附图中，图1为现有双偶极天线的示意图；图2为本技术双偶极天线一较佳实施例的立体视图；图3为本技术双偶极天线一较佳实施例的前剖面视图；图4为本技术双偶极天线一较佳实施例的俯视图；图5为本技术双偶极天线一较佳实施例的仰视图；图6为本技术双偶极天线另一较佳实施例的前剖面视图；图7a及图7b为本技术双偶极天线在2.4GHz的辐射场形图；图8a及图8b为本技术双偶极天线在2.45GHz的辐射场形图；图9a及图9b为本技术双偶极天线在2.5GHz的辐射场形图。具体实施方式请参阅图2至图5，其所示为本技术双偶极天线的一较佳实施例，其主要在一基底1的第一表面11a及第二表面11b分别铺设一第一辐射体21a及一第二辐射体21b而形成一天线2的基本辐射结构。其中，基底1是由介电材料所构成，例如FR4等。第一辐射体21a及第二辐射体21b是利用导电材料分别铺设在第一表面11a与第二表面11b上，它们不相互重叠，如图2所示为第一表面11a的左半部区域及第二表面11b的右半部区域。且第一辐射体21a在靠近第二辐射体21b的一侧，设置有第一馈入点22a，在第一表面11a上未铺设第一辐射体21a且靠近第一馈入点22a的区域处，以导电材料形成第二馈入点22b，并使得第二馈入点22b与第二辐射体21b电性连接。前述的第二辐射体21b可以通过贯穿基底1的一介层孔22c而电性连接至第二馈入点22b，然而，第二辐射体21b与第二馈入点22b的电性连接方式并不限于此，其它电性连接方式也可以。此外，第一辐射体21a与第二辐射体21b具有大体上相同的几何形状且面积大小相近，也就是第一辐射体21a及第二辐射体21b在基底1上相互斜对称。而且，第一辐射体21a及第二辐射体21b的形状可以为矩形、圆形、倒F型或是其它可以产生所需辐射场形的形状。而且，基底1可以由一印刷电路板所构成，且第一辐射体21a及第二辐射体21b可以通过蚀刻或转印方式形成于此印刷电路板上。请参阅图6，其显示本技术双偶极天线的另一种较佳实施例，其主要在一基底1的第一表面11a及第二表面11b分别铺设第一辐射体21a及一第二辐射体21b而形成一天线3的主要辐射结构。其中，与图2-图5相同的构成在此也采用相同的标号且不再赘述。相较于上述实施例，在此基底1的内部或表面上，分别对应第一辐射体21a及第二辐射体21b的形状及位置而形成单层或数层的第一金属层12a及第二金属层12b，也就是，第一金属层12a及第二金属层12b的层数是可以彼此独立配置，根据实际需要而定，较佳的，第一金属层12a及第二金属层12b间无直接连接，而第一金属层12a与第一辐射体21a间也无直接连接，但第二金属层12b、第二辐射体21b及第二馈入点22b间则电性相连。前述的第二辐射体21b通过贯穿该基底1的介层孔22c，而同时连接第二辐射体21b、第二金属层12b及该第二馈入点22b，然而，构成以上三者的电性连接方式并不限于此，其它电性连接方式也可以使用。此外，利用调整第一金属层12a的层数、厚度、材料或层间厚度实现到天线的阻抗匹配；而第二金属层12b则与第二辐射体21b相耦合而成为天线辐射体的一部份。当基底1为一多层电路板时，使用如同第一金属层12a及第二金属层12b的构造，可以配合此多层电路板的金属层层数及结构，而将天线2轻易地整合至原有的电路板设计之中，不必再改变多层电路板中邻近天线2部分的金属层布局。图7a及图7b分别显示本技术双偶极天线中，该天线2在2.4GHz频率所获得的E-plane场形及H-plane场形。在其E-plane场形分布上，增益值最大为0.42dBi，最小为-46.50dBi，平均增益值为-3.88dBi；在其H-plane场形分布上，增益值最大为1.79dBi，最小为-0.59dBi，平均增益值为0.63dBi。图8a及图8b分别显示本技术双偶极天线中，该天线2在2.45GHz频率所获得的E-plane场形及H-plane场形。在其E-plane场形分布上，增益值最大为0.12bdBi，最小为-27.67dBi，平均增益值为-3.22dBi；在其H-plane场形分布上，增益值最大为1.39dBi，最小为-1.60dBi，平均增益值为-0.04dBi。图9a及图9b分别显示本技术双偶极天线中，该天线2在2.5GHz频率所获得的E-plane场形及H-plane场形。在其E-plane场形分布上，增益值最大为0.42dBi，最小为-23.36dBi，平均增益值为-3.67dBi；在其H-plane场形分布上，增益值最大为1.59dBi，最小为-0.70dBi，平均增益值为0.28dBi。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李长荣，
申请(专利权)人：智邦科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：