人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法技术

本发明专利技术公开了人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法，包括高压端铜芯、低压端铜芯、毛细管；毛细管沿水平方向分别连接有高压电极、进气口、出气口和低压电极，高压电极和低压电极分别连接高压脉冲电源；毛细管的两端分别与同轴电缆的高压端铜芯和低压端铜芯连接，毛细管的外侧设置有外层屏蔽网，外层屏蔽网与同轴电缆连接；本发明专利技术引入等离子体物理化学数据和深度学习神经网络方法，实现从辐射源头激发态成分出发逆向推导出电场/电压波形，为EUV光源的驱动电源设计提供了一种新思路，可以极大的减少试错成本，提升EUV光源的波段选择性。段选择性。段选择性。

【技术实现步骤摘要】
人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法


[0001]本专利技术涉及光刻机
，具体涉及人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法。

技术介绍

[0002]光刻机、激光器等均需要使用极紫外(EUV)光源，一种常见的极紫外光源发生装置是毛细管放电器。毛细管放电器主要由一根石英毛细管、深入毛细管两端的电极、高压脉冲电源和真空系统组成。通过将毛细管抽至mbar级真空度并在电极上施加高压脉冲，可以在毛细管中形成纳秒脉冲快速电离波，电离波过程会产生大量的激发态成分，激发态成分在退激过程中会释放出不同波段的辐射，其中即包括EUV波段。目前对EUV辐射产生的控制，主要通过调整气体组成以及电压波形实现；
[0003]毛细管快速电离波放电中，可以辐射的成分和波段很多，为了增强EUV波段的辐射选择性，需要对毛细管快速电离波开展控制和优化。传统方式针对毛细管EUV辐射产生的控制，主要通过调整气体组成以及电压波形实现，但是这两种方法均需要采用大量的实验和试错，实现起来极为困难，这也是不同企业间的光刻光源性能差别的重要来源。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的就在于解决上述
技术介绍
的问题，而提出人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0006]人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法，包括以下步骤：
[0007]第一步，使用神经网络反推电场大小；
[0008]第二步，利用整体模型和神经网络反推的电场值计算下一时刻的成分浓度变化规律；
[0009]第三步，将计算结果与EUV辐射激发态成分的浓度进行比较并调整电场大小，从而给出准确电场变化规律。
[0010]作为本专利技术进一步的方案：EUV光源由电离波在运动的过程中，会形成含有大量激发态分子原子和离子的等离子体区域，等离子体区域中的激发态分子在退激过程中会形成大量的光辐射。
[0011]作为本专利技术进一步的方案：电离波由高压脉冲电源在高压电极上形成脉冲电压和强电场，强电场会将管内的气体分子或原子激发而形成的。
[0012]作为本专利技术进一步的方案：增设面向快速电离波放电激发态成分控制的深度神经网络；神经网络是根据给定的能够产生特定光辐射的激发态浓度的变化规律，反向输出电场和其他组分的变化规律，得到脉冲电源的输出电压波形。
[0013]作为本专利技术进一步的方案：EUV光源由高压端铜芯、低压端铜芯和毛细管连接的设备所产生。
[0014]作为本专利技术进一步的方案：毛细管沿水平方向分别连接有高压电极、进气口、出气口和低压电极，高压电极和低压电极分别连接高压脉冲电源；毛细管的两端分别与同轴电缆的高压端铜芯和低压端铜芯连接，毛细管的外侧设置有外层屏蔽网，外层屏蔽网与同轴电缆连接。
[0015]作为本专利技术进一步的方案：毛细管、高压端铜芯和低压端铜芯均设置在基板上，毛细管通过连接套设置在安装板上。
[0016]作为本专利技术进一步的方案：安装板的侧壁设置有固定板，固定板内的安装槽内设置有弹簧，弹簧的两端分别与滑动板连接，滑动板与安装槽的内壁滑动连接，滑动板远离弹簧的一侧设置有固定销，连接套上设置有与固定销相适配的销孔。
[0017]本专利技术的有益效果：
[0018]本专利技术引入等离子体物理化学数据和深度学习神经网络方法，实现从辐射源头激发态成分出发逆向推导出电场/电压波形，为EUV光源的驱动电源设计提供了一种新思路，可以极大的减少试错成本，提升EUV光源的波段选择性。
附图说明
[0019]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0020]图1是本专利技术中毛细管与铜芯连接关系的结构示意图；
[0021]图2是本专利技术中毛细管的结构示意图；
[0022]图3是本专利技术连接套与铜芯连接关系的结构示意图；
[0023]图4是本专利技术中固定板的结构示意图。
[0024]图中：1、高压端铜芯；2、低压端铜芯；3、毛细管；4、外层屏蔽网；5、固定板；6、固定孔；7、固定销；8、滑动板；9、拨杆；10、弹簧；11、安装槽；12、基板；13、安装板；14、连接套。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]请参阅图1
‑
4所示，本专利技术为人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法，包括高压端铜芯1、低压端铜芯2、毛细管3；毛细管3沿水平方向分别连接有高压电极、进气口、出气口和低压电极，高压电极和低压电极分别连接高压脉冲电源；
[0027]毛细管3的两端分别与同轴电缆的高压端铜芯1和低压端铜芯2连接，毛细管3的外侧设置有外层屏蔽网4，外层屏蔽网4与同轴电缆连接；打开高压脉冲电源，将会在高压电极上形成脉冲电压和强电场，强电场会将管内的气体分子或原子激发，形成一道高速移动的电离波并向低压端运动；电离波在运动的过程中，会形成含有大量激发态分子原子和离子的等离子体区域。等离子体区域中的激发态分子在退激过程中会形成大量的光辐射，其中包括极紫外波段的光辐射，从而形成EUV光源；
[0028]毛细管3、高压端铜芯1和低压端铜芯2均设置在基板12上，该毛细管3通过连接套14设置在安装板13上，安装板13的侧壁设置有固定板5，安装板13上设置有与连接套14的穿
孔，固定板5上间歇设置有两个固定孔6，两个固定孔6之间的距离与连接套14之间的距离相适配，固定板5内设置有安装槽11，安装槽11位于两个固定孔6之间，安装槽11内设置有弹簧10，弹簧10的两端分别与滑动板8连接，滑动板8与安装槽11的内壁滑动连接，滑动板8远离弹簧10的一侧设置有固定销7，固定销7滑动延伸至固定孔6内，固定销7的一侧设置有弧形面，连接套14上设置有与固定销7相适配的销孔，连接套14为U形结构；弧形面的固定销7，将使得连接套14插入到安装板13内时，固定销7自动向安装槽11内移动，然后，在弹簧10的恢复力作用下，移动到固定轴的销孔内；
[0029]滑动板8上设置有拨杆9，拨杆9延伸出安装槽11，固定板5上设置有与拨杆9移动相适配的滑槽；当需要将毛细管3从安装板13上拆卸下来，只需要移动拨杆9，将固定销7从固定轴的销孔内抽出，即可完成拆卸工作；将装有毛细管3、高压端铜芯1和低压端铜芯2的基板12，置于安装板13上，将连接套14分别置于高压端铜芯1和低压端铜芯2上，然后依次连接套14依次穿过安装板13上的穿孔和固定板5的固定孔6，连接套14移动到固定销7处时，首先将推动固定销7自动向安装槽11内移动，然后，在弹簧10的恢复力作用下，移动到固定轴的销孔内，从而完成对毛细管3的安装。
[0030]设计了面向快速电离波放电激发态本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，使用神经网络反推电场大小；第二步，利用整体模型和神经网络反推的电场值计算下一时刻的成分浓度变化规律；第三步，将计算结果与EUV辐射激发态成分的浓度进行比较并调整电场大小，从而给出准确电场变化规律。2.根据权利要求1所述的人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法,其特征在于，EUV光源由电离波在运动的过程中，会形成含有大量激发态分子原子和离子的等离子体区域，等离子体区域中的激发态分子在退激过程中会形成大量的光辐射。3.根据权利要求2所述的人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法,其特征在于，电离波由高压脉冲电源在高压电极上形成脉冲电压和强电场，强电场会将管内的气体分子或原子激发而形成的。4.根据权利要求3所述的人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方法,其特征在于，增设面向快速电离波放电激发态成分控制的深度神经网络；神经网络是根据给定的能够产生特定光辐射的激发态浓度的变化规律，反向输出电场和其他组分的变化规律，得到脉冲电源的输出电压波形。5.根据权利要求2所述的人工智能和纳秒脉冲快速电离波的定制EUV产生方...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱益飞，
申请(专利权)人：中国人民解放军空军工程大学，
类型：发明
国别省市：