用于半导体工艺的气体/固体分离的液体过滤装置制造方法及图纸

一种用于气体/固体分离的液体过滤装置，包括具有过滤室、半导体工艺气体入口、和工艺气体出口的外壳。过滤室形成液体储存器，半导体工艺气体入口及工艺气体出口与过滤腔室相连通。该外壳还包括过滤液入口和过滤液出口，其均与液体储存器相连通，以分别用于将过滤流体输送到液体储存器和从液体储存器排出过滤流体。流体。流体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体工艺的气体/固体分离的液体过滤装置
[0001]
和
技术介绍

[0002]通常，半导体器件的制造采用通过氧化进行的转换，例如，在某些化学品的适度至高度升高的硅晶片温度下，以形成构成半导体器件电路层的所需薄膜。例如，在化学气相沉积(CVD)工艺中，沉积在硅晶片上的二氧化硅薄膜是通过在大约400摄氏度的晶片温度和大约300mTorr的处理室压力下用氧气氧化硅烷而形成的。二氧化硅薄膜也通过在几乎相似的处理条件下用氧气和臭氧氧化蒸气四乙基硅氧烷TOES来沉积。氧化硅膜也是通过低压气相等离子体增强(PECVD)在较低温度下沉积的。在另一个工艺中，硅烷与氨在低压和适中的晶片温度下反应形成氮化硅。在这些以及几乎所有其他CVD反应中，例如钨和硅化钨薄膜的形成，接近75％的进入处理室的气态进料反应物未经转化地通过处理室。
[0003]典型的半导体处理室的排气是低压气流，由未转化的进料反应物、反应副产物、稀释氮气载气和颗粒组成。这些颗粒是气相中加热的反应物的气相反应的副产物，它们沿着横跨处理室和真空泵之间的前级真空管线继续形成和增加数量，在典型的制造设备中可能达60本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于气体/固体分离的液体过滤装置，所述过滤装置包括：外壳，具有过滤室、半导体工艺气体入口、工艺气体出口，所述室形成液体储存器，并且所述半导体工艺气体入口和所述工艺气体出口与所述过滤室连通；以及与所述液体储存器连通的过滤液入口和过滤液出口，分别用于将过滤流体输送到所述液体储存器和从所述液体储存器移除过滤流体。2.根据权利要求1所述的液体过滤装置，其中所述半导体工艺气体入口与所述工艺气体出口成一直线。3.根据权利要求1或2所述的液体过滤装置，其中所述外壳包括在所述液体储存器和所述工艺气体出口之间的排气室。4.根据权利要求1或3所述的液体过滤装置，还包括进料管，所述进料管与所述工艺气体入口连通并延伸到所述液体储存器中以将流经所述工艺气体入口的工艺气体直接注入液体储存器中的过滤液体中。5.根据权利要求4在依赖于权利要求3时所述的液体过滤装置，其中所述外壳包括与所述过滤室和所述排气室流体连通的内部导管，以将过滤后的工艺气体流从所述过滤室引导到所述排气室。6.根据权利要求5所述的液体过滤装置，其中所述进料管包括穿孔进料管。7.根据权利要求6所述的液体过滤装置，其中所述的穿孔进料管包括远端部分和在所述远端部分处的多个穿孔。8.根据权利要求7所述的液体过滤装置，还包括过滤液体控制系统，用于控制过滤液体流入和流出所述液体储存器。9.根据权利要求8所述的液体过滤装置，其中所述过滤液体控制系统包括控制器和流体回路，所述控制器控制所述流体回路以调节过滤液体流入和流出所述液体储存器的流量，并且配置成将过滤液体保持在所述储液器中的液体高度。10.根据权利要求1所述的液体过滤装置，还包括进料管，所述进料管在其中具有文丘里节流部和文丘里入口，所述文丘里入口与所述半导体工艺气体入口或所述液体过滤器入口流体连...

【专利技术属性】
技术研发人员：I，
申请(专利权)人：科利百利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：