一种超低噪声宽带放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种超低噪声宽带放大器，包括信号输入端和信号输出端，所述信号输入端连接电容C1一端，所述电容C1另一端连接电感L1一端，所述电感L1另一端分别连接电阻R2一端、P型MOS管M3的栅极，所述电阻R2另一端分别连接电阻R1一端、P型MOS管M1的栅极、P型MOS管M1的漏极，所述电阻R1另一端分别连接+Vdd、P型MOS管M2的栅极、电感L3的一端，本实用新型专利技术提出的一种超低噪声宽带放大器将信号输入整体电路中后P型MOS管作为共源极放大器将产生的高频分量和谐波接入信号地，当宽带信号进入放大电路时实现良好的噪声匹配，再通过运算放大器A1后提升宽带增益，减少了噪声系数，在使用同样的功耗时提升了放大增益效果。样的功耗时提升了放大增益效果。样的功耗时提升了放大增益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种超低噪声宽带放大器


[0001]本技术涉及宽带放大器领域，尤其涉及一种超低噪声宽带放大器。

技术介绍

[0002]低噪声宽带放大器电路为射频芯片前段模块，要求具有低噪声、高带 宽、高线性度、高增益、低功耗的特点，多用于FM解调器、TV解调器、UWB 或其他宽带射频的技术方案中。现有的低噪声宽带放大器具有噪声系数大、功耗大、增益低的缺点。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种超低噪声宽带放大器。
[0004]本技术通过以下技术方案实现：
[0005]一种超低噪声宽带放大器，包括信号输入端和信号输出端，所述信号输入端连接电容C1一端，所述电容C1另一端连接电感L1一端，所述电感L1另一端分别连接电阻R2一端、P型MOS管M3的栅极，所述电阻R2另一端分别连接电阻R1一端、P型MOS管M1的栅极、P型MOS管M1的漏极，所述电阻R1另一端分别连接+Vdd、P型MOS管M2的栅极、电感L3的一端，所述电感L3的另一端分别连接P型MOS管M2的源极、电容C2的一端、电容C3一端，所述P型MOS管M2的漏极连接电感L2一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超低噪声宽带放大器，其特征在于，包括信号输入端和信号输出端，所述信号输入端连接电容C1一端，所述电容C1另一端连接电感L1一端，所述电感L1另一端分别连接电阻R2一端、P型MOS管M3的栅极，所述电阻R2另一端分别连接电阻R1一端、P型MOS管M1的栅极、P型MOS管M1的漏极，所述电阻R1另一端分别连接+Vdd、P型MOS管M2的栅极、电感L3的一端，所述电感L3的另一端分别连接P型MOS管M2的源极、电容C2的一端、电容C3一端，所述P型MOS管M2的漏极连接电感L2一端，所述电感L2另一端连接P型MOS管M3的源极，所述电容C3另一端分别连接电阻R3一端、运算放大器A1的同相输入端，所述电阻R3另一端接地，所述运算放大器A1的反相输入端连接电阻R5一端，所述电阻R5另一端连接
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Vdd，所述运算放大器A1的电压输入端连接电源+Vcc，所述运算放大器A1的电压输出端连接
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Vcc，运算放大器A1的输出端连接电阻R4一端，所述电阻R4另一端连接信号输出端。2.根据权利要求1所述的一种超低噪声宽带放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：漆彦玮，李池，王建伟，
申请(专利权)人：成都互行微电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：