一种功率检波电路以及集成芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种功率检波电路以及集成芯片。该功率检波电路包括：顺次连接的第一温度补偿模块、阻抗匹配网络、检波模块和滤波放大模块；其中，阻抗匹配网络将毫米波信号转发给检波模块；第一温度补偿模块的第二等效电阻的动态单位温度变化量与检波模块的第一等效电阻的动态单位温度变化量符号相反，且绝对值相等；第一温度补偿模块用于生成电压补偿信号；阻抗匹配网络将电压补偿信号和毫米波信号合并后转发给检波模块，检波模块根据合并信号输出原始补偿检波信号，滤波放大模块将原始补偿检波信号滤波放大后得到补偿检波信号。本发明专利技术的技术方案，其可实现在一种随着温度变化可以准确反映毫米波信号功率大小的检波信号的功率检波电路。功率检波电路。功率检波电路。

【技术实现步骤摘要】
一种功率检波电路以及集成芯片


[0001]本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种功率检波电路以及集成芯片。

技术介绍

[0002]在毫米波通信系统中，信号幅度的大小是表征毫米波的一项非常重要的指标。近年来，随着通信技术的发展，各种调制技术所采用的毫米波信号的频率范围、功率范围、调制方式以及信号频谱各不相同，功率检波电路可以实现毫米波信号幅度的准确测量。检波是调制的逆过程，是指从已调电磁波信号中检出调制电磁波信号的过程。
[0003]现有的功率检波电路，随着温度的变化，输出的检波信号不稳定，进而导致其输出的检波信号不能准确反映毫米波信号功率的大小。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的主要目的在于提出一种功率检波电路以及集成芯片，旨在实现一种随着温度变化可以输出稳定检波信号，进而可以准确反映毫米波信号功率大小的功率检波电路。
[0005]为实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种功率检波电路，包括：
[0006]顺次连接的第一温度补偿模块、阻抗匹配网络、检波模块和滤波放大模块；其中，
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率检波电路，其特征在于，包括：顺次连接的第一温度补偿模块、阻抗匹配网络、检波模块和滤波放大模块；其中，所述阻抗匹配网络将毫米波信号转发给所述检波模块，所述检波模块根据所述毫米波信号输出原始检波信号，所述滤波放大模块将所述原始检波信号滤波放大后得到检波信号；所述检波模块的第一等效电阻随环境温度变化，所述第一温度补偿模块的第二等效电阻随环境温度变化，且所述第二等效电阻的动态单位温度变化量与所述第一等效电阻的动态单位温度变化量符号相反，且绝对值相等；所述第一温度补偿模块用于所述检波模块的环境温度发生变化时根据所述第二等效电阻的动态单位温度变化量生成电压补偿信号；所述阻抗匹配网络将所述电压补偿信号和毫米波信号合并后，将合并信号转发给所述检波模块，所述检波模块根据所述合并信号输出原始补偿检波信号，所述滤波放大模块将所述原始补偿检波信号滤波放大后得到补偿检波信号。2.根据权利要求1所述的功率检波电路，其特征在于，所述检波模块包括差分放大单元和第一负载单元，所述差分放大单元用于提取所述毫米波信号中的偶次谐波信号中的直流信号，并滤除奇次谐波信号得到所述原始补偿检波信号，所述第一负载单元的第一端连接第一电源，所述第一负载单元的第二端与所述差分放大单元的输出端电连接；所述阻抗匹配网络包括第一信号输出端和第二信号输出端，用于输入相位相反的毫米波信号，所述差分放大单元的第一信号输入端与所述阻抗匹配网络的第一信号输出端电连接，所述差分放大单元的第二信号输入端与所述阻抗匹配网络的第二信号输出端电连接，所述差分放大单元的信号输出端用于输出所述原始补偿检波信号；所述第一温度补偿模块的电压补偿信号输出端与所述差分放大单元的第一信号输入端和所述差分放大单元的第二信号输入端电连接。3.根据权利要求2所述的功率检波电路，其特征在于，所述差分放大单元包括第一PNP型三极管和第二PNP型三极管，所述第一PNP型三极管的集电极和所述第二PNP型三极管的集电极接地，所述第一PNP型三极管的基极和所述第二PNP型三极管的基极与所述第一温度补偿模块的电压补偿信号输出端电连接，所述第一PNP型三极管的发射极、所述第二PNP型三极管的发射极与所述第一负载单元的第二端电连接。4.根据权利要求1所述的功率检波电路，其特征在于，所述第一温度补偿模块包括基准电源和第二负载单元，所述基准电源包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第二负载单元包括第三PNP型三极管和第一电阻；所述第一NMOS管的漏极与第二电源电连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极电连接，所述第二NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极电连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极电连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极电连接，所述第三NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极电连接，所述第三NMOS管的源极与所述第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述第三PNP型三极管的发射极电连接，所述第三PNP型三极管的集电极与第三电源电连接，所述第三PNP型三极管的基极和所述第三PNP型三极管的发射极电连接，所述第一电阻的第一端与所述阻抗匹配网络的电压补偿信号输入端电连接。5.根据权利要求2所述的功率检波电路，其特征在于，所述第一负载单元包括第一PMOS
管，所述第一PMOS管的源极与所述第一电源电连接，所述第一PMOS管的漏极与所述差分放大单元的信号输出端电连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS的漏极电连接。6.根据权利要求5所述的功率检波电路，其特征在于，所述第一负载单元还包括第一电容，所述第一电容的第一电极与所述第一PMOS管的源极电连接，所述第一电容的第二端接地。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，
申请(专利权)人：深圳市中兴微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：